【技术实现步骤摘要】
实施例涉及有机发光显示装置和提供有机发光显示装置的方法。例如，实施例涉及具有高光效率的有机发光显示装置和制造(或提供)有机发光显示装置的方法。
技术介绍
1、显示装置是显示用于向用户提供视觉信息的图像的装置。在显示装置当中，有机发光显示装置(oled)近来已经引起关注。
2、与液晶显示装置不同，oled具有自发射特性并且不需要单独的光源，使得可以减小厚度和重量。oled可以具有诸如低功耗、高亮度和高反应速度等的高质量特性。
3、应当理解，本
技术介绍
部分旨在部分地提供用于理解技术的有用背景。然而，本
技术介绍
部分也可以包括本文中公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域技术人员已知或理解的部分的想法、构思或认识。
技术实现思路
1、在oled中包括的有机发光元件可以包括有机薄膜。在本公开的精神和范围内，这样的有机薄膜可以使用真空热蒸发方法等来沉积在基板上。有机薄膜可以针对每一个红色、绿色或蓝色像素使用精细金属掩模(fmm)来形成。此时，可能针对形成像素中的每一个像素的每一个工艺来更换掩模。在更换掩模的情况下，可能在基板上出现划痕等，这可能导致有缺陷的像素。
2、本公开要实现的技术目标不限于在本文中描述的那些技术目标，并且本领域技术人员将根据本公开的描述清楚地理解未在本文中提及的其它技术目标。
3、实施例提供了有机发光显示装置。
4、实施例提供了制造(或提供)有机发光显示装置的方法。
5、有机发光显示装置可以包括第一
6、在实施例中，第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极中的每一个可以包括第一透明氧化物层、金属层和第二透明氧化物层。第一透明氧化物层可以设置在基板上。金属层可以设置在第一透明氧化物层上。第二透明氧化物层可以设置在金属层上。
7、在实施例中，第一透明氧化物层可以包括ito。金属层可以包括银。第二透明氧化物层可以包括ito。
8、在实施例中，厚度补偿层的蚀刻速率和第二透明氧化物层的蚀刻速率可以彼此不同。
9、在实施例中，厚度补偿层的蚀刻速率可以大于第二透明氧化物层的蚀刻速率。
10、在实施例中，第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极中的每一个可以是阳极电极，并且公共电极可以是阴极电极。
11、在实施例中，第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光中的每一种可以在阳极电极与阴极电极之间共振。
12、在实施例中，在截面图中，第三像素电极的宽度和厚度补偿层的宽度可以彼此不同。
13、在实施例中，第三像素电极的宽度可以大于厚度补偿层的宽度。
14、制造有机发光显示装置的方法可以包括：在包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的基板上顺序地形成第一透明氧化物膜、金属膜、第二透明氧化物膜和厚度补偿膜。可以在厚度补偿膜上形成光致抗蚀剂膜。可以形成在第一像素区域和第二像素区域中的第一光致抗蚀剂图案以及在第三像素区域中的第二光致抗蚀剂图案。可以通过使用半色调掩模对光致抗蚀剂膜执行曝光工艺和显影工艺来形成第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案中的每一个。可以形成厚度补偿层的在第一像素区域和第二像素区域中的每一个中的第一部分、厚度补偿层的在第三像素区域中的第二部分以及在第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域中的每一个中的第一透明氧化物层、金属层和第二透明氧化物层。可以通过对第一透明氧化物膜、金属膜、第二透明氧化物膜和厚度补偿膜执行初次蚀刻工艺来形成第一透明氧化物层、金属层和第二透明氧化物层中的每一个。可以去除厚度补偿层的第一部分以及厚度补偿层的第二部分的一部分。
15、在实施例中，通过曝光工艺和显影工艺，第一光致抗蚀剂图案可以具有第一厚度，并且第二光致抗蚀剂图案可以具有不同于第一厚度的第二厚度。
16、在实施例中，第一厚度可以小于第二厚度。
17、在实施例中，厚度补偿层的第一部分以及厚度补偿层的第二部分的该一部分的去除可以包括形成在第三像素区域中的剩余的光致抗蚀剂膜。可以通过借助于灰化工艺去除第一光致抗蚀剂图案以及第二光致抗蚀剂图案的一部分来形成剩余的光致抗蚀剂膜。可以通过执行二次蚀刻工艺来去除厚度补偿层的第一部分以及厚度补偿层的第二部分的该一部分。
18、在实施例中，厚度补偿层的第二部分的侧部可以通过二次蚀刻工艺来去除。
19、在实施例中，方法可以进一步包括在通过执行二次蚀刻工艺进行的厚度补偿层的第一部分以及厚度补偿层的第二部分的该一部分的去除之后去除剩余的光致抗蚀剂膜。
20、在实施例中，厚度补偿层的第一部分以及厚度补偿层的第二部分的该一部分的去除可以是通过使用使厚度补偿层的蚀刻速率和第二透明氧化物层的蚀刻速率彼此不同的蚀刻剂执行蚀刻的去除。
21、在实施例中，厚度补偿层的蚀刻速率可以大于第二透明氧化物层的蚀刻速率。
22、在实施例中，厚度补偿层可以由z-ito形成。
23、在实施例中，z-ito当中的znox的含量可以是大约50wt.％以上且大约90wt.％以下。
24、在实施例中，第一透明氧化物层可以由ito形成，金属层可以由ag形成，并且第二透明氧化物层可以由ito形成。
25、根据实施例的有机发光显示装置可以包括第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极、像素限定层、第一发光层、第二发光层、第三发光层、厚度补偿层和公共电极。基板可以包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域。第一像素电极可以设置在基板上，并且可以设置在第一像素区域中。第二像素电极可以设置在基板上，并且可以设置在第二像素区域中。第三像素电极可以设置在基板上，并且可以设置在第三像素区域中。像素限定层可以设置在基板上，并且可以暴露第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极的上表面。第一发光层可以发射第一颜色光，并且可以设置在第一像素电极上。第二发光层可以发射不同于第一颜色光的第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极中的每一个包括：
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述厚度补偿层的蚀刻速率和所述第二透明氧化物层的蚀刻速率彼此不同。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述厚度补偿层的所述蚀刻速率大于所述第二透明氧化物层的所述蚀刻速率。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极中的每一个是阳极电极，并且所述公共电极是阴极电极。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，所述第一颜色光、所述第二颜色光和所述第三颜色光中的每一种在所述阳极电极与所述阴极电极之间共振。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，在截面图中，所述第三像素电极的宽度和所述厚度补偿层的宽度彼此不同。
9.根据权利要求8所述的有机发
10.一种提供有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过所述曝光工艺和所述显影工艺，所述第一光致抗蚀剂图案具有第一厚度，并且所述第二光致抗蚀剂图案具有不同于所述第一厚度的第二厚度。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一厚度小于所述第二厚度。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述厚度补偿层的所述第一部分以及所述厚度补偿层的所述第二部分的所述一部分的所述去除包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述厚度补偿层的所述第二部分的侧部通过所述二次蚀刻工艺来去除。
15.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：
16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述厚度补偿层的所述第一部分以及所述厚度补偿层的所述第二部分的所述一部分的所述去除是通过使用使所述厚度补偿层的蚀刻速率和所述第二透明氧化物层的蚀刻速率彼此不同的的蚀刻剂执行蚀刻的去除。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述厚度补偿层的所述蚀刻速率大于所述第二透明氧化物层的所述蚀刻速率。
18.根据权利要求10所述的方法，其中，所述厚度补偿层由Z-ITO形成。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述Z-ITO当中的ZnOx的含量是50wt.％以上且90wt.％以下。
20.根据权利要求10所述的方法，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极中的每一个包括：
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述厚度补偿层的蚀刻速率和所述第二透明氧化物层的蚀刻速率彼此不同。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述厚度补偿层的所述蚀刻速率大于所述第二透明氧化物层的所述蚀刻速率。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极中的每一个是阳极电极，并且所述公共电极是阴极电极。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，所述第一颜色光、所述第二颜色光和所述第三颜色光中的每一种在所述阳极电极与所述阴极电极之间共振。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，在截面图中，所述第三像素电极的宽度和所述厚度补偿层的宽度彼此不同。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述第三像素电极的所述宽度大于所述厚度补偿层的所述宽度。
10.一种提供有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
11.根据权利要求10所...
【专利技术属性】
技术研发人员：申铉亿，李周炫，朴种熙，朴俊龙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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