【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及永磁材料制备，特别涉及一种高抗弯强度钐钴烧结磁体及其制备方法。
技术介绍
1、随着我国电子信息、电动汽车、5g通讯等领域的发展，常规钐钴永磁体已不能满足其需要。传统的钐钴永磁体具有优异的综合磁性能和温度稳定性，但常规钐钴永磁体是极脆的，在工作中受应力有发生崩边、掉角以及开裂等可能，这种脆性使得钐钴永磁体的生产加工损失率很高，同时限制了磁体可生产的形状和尺寸和应用领域。提高钐钴磁体的抗弯强度就显得十分有必要。已有提高钐钴磁体的抗弯强度的方法有掺杂非磁性相与表面电镀改性等，但是非磁性相无知的掺入会导致磁稀释效应，使磁体的磁性能降低，表面电镀改性无法提高钐钴磁体的本身的抗弯强度，仍未解决其生产加工过程中成品率低、小型化困难等问题。例如中国专利cn114597042a，专利技术名称为一种高性能钐钴永磁材料的制备方法，通过将两种成分比较接近的合金粉烧结固溶以及时效处理得到钐钴永磁材料。又例如中国专利cn107316726a，专利技术名称为一种烧结钐钻磁体的制备方法，通过将(sm1 xrx)合金原料与合金粉末成分相近的边角余料和废料，烧结固溶、时效处理，制备出钐钻磁体，具有良好力学性能，抗弯强度大于l00mpa。采用上述两种的制备方法制备的磁体仅是达到了基本的抗弯强度标准，不具有高抗弯强度，因此，探索一种高抗弯强度钐钴磁体制备的新方法具有重要意义。
技术实现思路
1、针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本专利技术提供一种高抗弯强度钐钴烧结磁体及其制备方法。
2、为了实
3、本专利技术提供一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，所述制备方法包括：
4、(1)按sm(cofecuzr)z合金中各元素的质量比，称量原料，混合后进行真空感应熔炼，制成不同成分的合金铸锭a、合金铸锭b和合金铸锭c；
5、其中，合金铸锭a按质量百分比计，sm＝23～28％，fe＝8～16％，cu＝3.6～5.2％，zr＝1.8～2.5％，其余为co；
6、合金铸锭b按质量百分比计，sm＝23～28％，fe＝16～40％，cu＝6～12％，zr＝3～5.5％，其余co；
7、合金铸锭c按质量百分比计，sm＝26～40％，fe＝0～8％，cu＝12～22％，zr＝8～15％，其余co；
8、(2)将合金铸锭a、合金铸锭b和合金铸锭c破碎制成粗粉a、粗粉b和粗粉c；
9、(3)将粗粉a通过气流磨研磨得到磁粉a；将粗粉b通过研磨球研磨得到磁粉b；将粗粉c通过研磨球研磨得到磁粉c；
10、(4)按质量比称量磁粉a、磁粉b和磁粉c，并采用混料机混合均匀，获得混合磁粉，其中按质量百分比计，磁粉a为50％～85％，磁粉b为10％～20％，磁粉c为5％～10％；
11、(5)将混合磁粉进行磁场取向和冷等静压处理制成压坯；
12、(6)将压坯进行烧结和固溶处理，然后进行回火处理，制得低温度系数sm2co17型烧结磁体。
13、进一步的，所述sm(cofecuzr)z合金中z的取值范围是7～8.5。
14、进一步的，磁粉a的粒径大于2.6μm。
15、进一步的，步骤(3)中研磨球与粗粉b的球料比为5～20：1，研磨罐体转速为1.5～6r/s，球磨介质为酒精、甲苯、丙酮中的一种或几种，球磨时间为6～30h。
16、进一步的，所述磁粉b的粒径为1.3μm～2.6μm。
17、进一步的，步骤(3)中研磨球与粗粉b的球料比10～30：1，研磨球的磨罐体转速为5～20r/s，球磨介质为酒精、甲苯、丙酮中的一种或几种，球磨时间为1～6h。
18、进一步的，所述磁粉c的平均粒径小于200nm且最大粒径小于500nm。
19、优选的，步骤(4)中混料机混料时间为3～8h，转速为20～40r/min。
20、进一步的，步骤(5)中所述磁场取向成形，取向磁场为2t，冷等静压压力为350mpa，冷等静压时间为5min。
21、进一步的，步骤(6)中烧结工艺为：烧结温度为1190～1240℃，烧结时间为1～5h；固溶温度为1140～1185℃，固溶时间为2～9h；
22、回火处理工艺为：800～850℃保温7～20h，随后以0.4℃/min～0.7℃/min冷却至680～720℃保温1～3h，后以0.6℃/min～0.9℃/min冷却至580～630℃，后以0.8℃/min～1.2℃/min冷却至460～490℃，后以1.4℃/min～2℃/min缓慢冷却至380～400℃后冷却至室温。
23、本专利技术提供一种高抗弯强度钐钴烧结磁体，所述烧结磁体采用上述的制备方法制备得到。
24、本专利技术具有以下有益效果：
25、(1)本专利技术通过分别制备不同成分、不同平均粒径的磁体粉末，将磁体粉末以一定比例混合，然后进行磁场取向和冷等静压处理制成压坯，后进行烧结、固溶和回火处理，制得高抗弯强度钐钴烧结磁体；
26、(2)本专利技术中的合金铸锭a、合金铸锭b和合金铸锭c中的成分相差较大，且合金铸锭a采用机械破碎加气流磨破碎，合金铸锭b和合金铸锭c采用机械破碎，通过破碎模式提高了永磁材料性能；
27、(3)本专利技术中的回火处理工艺经过多次冷却降温，有助于元素的扩散，优化了磁体方形度并提高矫顽力；
28、(4)本专利技术的制备方法能够制得抗弯强度较高的磁体，而且该磁体的磁性能也较高，该制备方法可以适用现有钐钴烧结磁体的工业生产流程，适宜推广使用。
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1.一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，所述Sm(CoFeCuZr)z合金中z的取值范围是7～8.5。
3.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，磁粉A的粒径大于2.6μm。
4.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，步骤(3)中研磨球与粗粉B的球料比为5～20：1，研磨罐体转速为1.5～6r/s，球磨介质为酒精、甲苯、丙酮中的一种或几种，球磨时间为6～30h。
5.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，所述磁粉B的粒径为1.3μm～2.6μm。
6.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，步骤(3)中研磨球与粗粉C的球料比10～30：1，研磨球的磨罐体转速为5～20r/s，球磨介质为酒精、甲苯、丙酮中的一种或几种，球磨时间为1～6h。
7.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴
8.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述磁场取向成形，取向磁场为2T，冷等静压压力为350MPa，冷等静压时间为5min。
9.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，步骤(6)中烧结工艺为：烧结温度为1190～1240℃，烧结时间为1～5h；固溶温度为1140～1185℃，固溶时间为2～9h；
10.一种高抗弯强度钐钴烧结磁体，其特征在于，所述烧结磁体采用权利要求1-9中任一项所述的制备方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，所述sm(cofecuzr)z合金中z的取值范围是7～8.5。
3.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，磁粉a的粒径大于2.6μm。
4.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，步骤(3)中研磨球与粗粉b的球料比为5～20：1，研磨罐体转速为1.5～6r/s，球磨介质为酒精、甲苯、丙酮中的一种或几种，球磨时间为6～30h。
5.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，所述磁粉b的粒径为1.3μm～2.6μm。
6.根据权利要求1所述的一种高抗弯强度钐钴烧结磁体的制备方法，其特征在于，步骤(3)中研磨...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘冰玉，俞能君，李雨，泮敏翔，孟宪赫，杨杭福，
申请(专利权)人：绵阳量大技术创新服务有限公司，
类型：发明
国别省市：
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