【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于空间遥感，具体涉及一种真空紫外像增强器及紫外成像探测器。
技术介绍
1、如图1所示，紫外像增强器是紫外成像探测器的核心部件，由输入光窗1，光电阴极2，微通道板3，管壳4、荧光粉层5以及输出光窗6组成。基于光电阴极2的位置，紫外像增强器分为反射式光阴极和透射式光阴极。反射式光阴极，即将光电阴极2镀在微通道板3表面；透射式光阴极，即将光电阴极2镀在输入光窗1口上，由于反射式光阴极对短波波段有更高的量子效率，所以针对真空紫外波段，会选择基于反射式的光阴极。其工作原理是：紫外波段目标发出的紫外光线经过光学系统汇聚到紫外成像探测器窗口上，通过窗口材料对光线波段进行选择后，照射到镀在微通道板3表面上的光电阴极2上，光电阴极2按照一定的量子效率转换为光电子，光电子进入微通道板3通道内碰撞通道壁实现电子的倍增，从而实现对弱信号的放大，之后从微通道板3出来的光电子轰击荧光屏发光，该可见光图像可由后续ccd等获取，从而实现对真空紫外目标的探测。由于应用于空间遥感领域的输入紫外信号往往都很微弱，提高探测效率尤为关键，而常用的微通道板3开口面积比为65％，光电阴极2发出的光电子一部分会入射到通道壁而散射在外，成为无效电子，从而导致了探测效率的降低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有紫外成像探测器探测效率低的缺陷。
2、为了实现上述目的，本专利技术提出了一种真空紫外像增强器，在真空紫外像增强器的输入光窗内表面镀一层导电膜；
3、所述导电膜为栅格结构；>
4、在所述导电膜与真空紫外像增强器的微通道板之间设置电压，所述微通道板的输入面接地，所述导电膜接负电压。
5、作为上述真空紫外像增强器的一种改进，所述导电膜的材料为镍或金。
6、作为上述真空紫外像增强器的一种改进，所述导电膜的厚度为100nm±10nm。
7、作为上述真空紫外像增强器的一种改进，所述导电膜的栅格结构采用刻蚀工艺制成。
8、作为上述真空紫外像增强器的一种改进，所述电压为-280～-300v。
9、作为上述真空紫外像增强器的一种改进，所述栅格的微孔尺寸小于10um。
10、本申请还提供一种紫外成像探测器，包括上述的真空紫外像增强器。
11、与现有技术相比，本专利技术的优势在于：
12、与现有的紫外成像探测器相比，本申请的紫外成像探测器能够实现探测效率至少30％的提升效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种真空紫外像增强器，其特征在于，在真空紫外像增强器的输入光窗(1)内表面镀一层导电膜(7)；
2.根据权利要求1所述的真空紫外像增强器，其特征在于，所述导电膜(7)的材料为镍或金。
3.根据权利要求1所述的真空紫外像增强器，其特征在于，所述导电膜(7)的厚度为100nm±10nm。
4.根据权利要求1所述的真空紫外像增强器，其特征在于，所述导电膜(7)的栅格结构采用刻蚀工艺制成。
5.根据权利要求1所述的真空紫外像增强器，其特征在于，所述电压为-280～-300V。
6.根据权利要求1所述的真空紫外像增强器，其特征在于，所述栅格的微孔尺寸小于10um。
7.一种紫外成像探测器，其特征在于，包括如权利要求1-6任一所述的真空紫外像增强器。
【技术特征摘要】
1.一种真空紫外像增强器，其特征在于，在真空紫外像增强器的输入光窗(1)内表面镀一层导电膜(7)；
2.根据权利要求1所述的真空紫外像增强器，其特征在于，所述导电膜(7)的材料为镍或金。
3.根据权利要求1所述的真空紫外像增强器，其特征在于，所述导电膜(7)的厚度为100nm±10nm。
4.根据权利要求1所述的真空紫外像增...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓红，王咏梅，黄伟鹏，
申请(专利权)人：中国科学院国家空间科学中心，
类型：发明
国别省市：
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