一种微纳多层膜型薄膜传感器及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种微纳多层膜型薄膜传感器及制造方法，所述微纳多层膜型薄膜传感器包括衬底、薄膜A和薄膜B，所述衬底外设置电极层，所述薄膜A和薄膜B设置在衬底上。本发明专利技术的制备方法可以在不借助先进光刻工艺及刻蚀工艺的情况下实现纳米级电阻电路的精确制备，并且采用叠层的方法，极大的减少了功能层在衬底上所占的面积，使其宽度方向仅受切割方式的影响。有效的增加了膜型传感器的功能层面积，大幅减小体积，增加传感器精度，扩展了薄膜类传感器使用空间下极限。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微纳传感器，尤其涉及一种微纳多层膜型薄膜传感器及制造方法。

技术介绍

1、随着传感器对小体积、高精度、高灵敏度的要求越来越高，薄膜传感器已经成为传感器发展的必然方向，常规的薄膜传感器的薄膜构建方式如图7所示，需要占用大量的衬底表面积。但在特殊领域，薄膜传感器的体积还是不能满足特殊微小空间的传感要求。

2、目前在薄膜传感器领域有多种利用多层薄膜技术实现感知功能的方法，例如，申请号为cn200710177709.9的专利公开了一种ta/nico/femn/ta多层膜材料，用于交换偏置型磁电阻传感器元件，其金属层数虽然是多层，但其功能层数却只有一层。申请号为cn201810058440.0的专利公开了一种膜型触摸传感器及其制造方法，其在基膜上依次堆叠分离层、电极图案层和保护层，但整体来看其也只实现了一层功能层封装，其他的层结构均是为了实现基本功能而制备。申请号为cn201711062405.8的专利公开了一种触摸传感器层叠体，其功能薄膜分别构建再基板的上表层和下表层，这样一块基板上就构建了两层功能层，该专利虽然实现一块基板上构筑两层功能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微纳多层膜型薄膜传感器，其特征在于：包括衬底(1)、薄膜A(2)和薄膜B(3)，所述衬底(1)外设置电极层(4)，所述薄膜A(2)和薄膜B(3)设置在衬底(1)上。

2.如权利要求1所述的一种微纳多层膜型薄膜传感器，其特征在于：所述衬底(1)为用氧化铝陶瓷表面热氧化的硅。

3.如权利要求1所述的一种微纳多层膜型薄膜传感器，其特征在于：所述薄膜A(2)为功能层薄膜，采用电子束蒸发或磁控溅射将薄膜A(2)和薄膜B(3)交替且错位沉积在衬底(1)上。

4.如权利要求1所述的一种微纳多层膜型薄膜传感器，其特征在于：所述薄膜B(3)为氧化铝绝缘层薄膜，厚...

【技术特征摘要】

1.一种微纳多层膜型薄膜传感器，其特征在于：包括衬底(1)、薄膜a(2)和薄膜b(3)，所述衬底(1)外设置电极层(4)，所述薄膜a(2)和薄膜b(3)设置在衬底(1)上。

2.如权利要求1所述的一种微纳多层膜型薄膜传感器，其特征在于：所述衬底(1)为用氧化铝陶瓷表面热氧化的硅。

3.如权利要求1所述的一种微纳多层膜型薄膜传感器，其特征在于：所述薄膜a(2)为功能层薄膜，采用电子束蒸发或磁控溅射将薄膜a(2)和薄膜b(3)交替且错位沉积在衬底(1)上。

4.如权利要求1所述的一种微纳多层膜型薄膜传感器，其特征在于：所述薄膜b(3)为氧化铝绝缘层薄膜，厚度为20-50nm。

5.如权利要求1所述的一种微纳多层膜型薄膜传感器，其特征在于：所述薄膜a(2)采用直流磁控溅射法制备；所述薄膜b(3)采用反应射频磁控溅射法制备，所述电极层(4)采用直流溅射法制备。

6.如权利要求1所述的一种微纳多层膜型...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶先微，张羽，乔正阳，胡裕庚，甘霖琳，
申请(专利权)人：贵州航天电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：