【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子电路，特别是涉及一种带隙基准电路及电子设备。
技术介绍
1、带隙基准(bandgap reference)电路是目前应用最为广泛的基础功能模块之一，可以为设备中的其它模块提供一个稳定的、与电源电压相关的且温度系数很小的参考电压。随着集成电路工艺的不断发展，芯片的工作电源电压越来越低，为了在深亚微米工艺中，用中压晶体管设计出支持低压工作且稳定的带隙基准，亟需一种能够稳定在低电源电压下工作的带隙基准电路架构。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够稳定在低电源电压下工作的带隙基准电路及电子设备。
2、第一方面，本申请提供了一种带隙基准电路，包括：启动模组、核心模组、偏置模组和误差放大模组；
3、所述启动模组用于为所述核心模组、所述偏置模组以及所述误差放大模组提供启动电流；
4、所述核心模组包括镜像电流输出模块、输出支路和调节支路，其中，所述镜像电流输出模块用于为所述输出支路和所述调节支路提供镜像电流，所述输出支路用于输出目标带隙基准电压，所述调节支路用于与误差放大模组形成负反馈，并根据所述误差放大模组输出的误差放大信号以及所述偏置模组输出的偏置电压信号调节所述目标带隙基准电压；
5、所述误差放大模组包括偏置电流输入模块、差分放大模块和电流求和模块，其中，所述偏置电流输入模块与所述偏置模组连接，所述偏置电流输入模块用于为所述差分放大模块提供偏置电流信号，所述差分放大模块包括第一晶体管和第二晶体管，所述第
6、在其中一个实施例中，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为三极管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一极均为基极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二极均为集电极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第三极均为发射极。
7、在其中一个实施例中，所述偏置电流输入模块包括第一电流镜单元，所述电流求和模块包括第二电流镜单元、第三电流镜单元和第四电流镜单元；
8、所述第一电流镜单元的第一端所述偏置模组的偏置电流输出端连接，所述第一电流镜的第二端与所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第二极连接，所述第一电流镜的第三端连接所述启动模组；
9、所述第二电流镜单元的第一端连接所述第一晶体管的第二极，所述第二电流镜单元的第二端连接所述第四电流镜的第一端，所述第二电流镜单元的第三端接地；
10、所述第三电流镜单元的第一端连接所述第二晶体管的第二极，所述第三电流镜单元的第二端连接所述第四电流镜的第二端，所述第三电流镜单元的第三端接地；
11、所述第四电流镜单元的第三端连接所述启动模组，所述第四电流镜的第二端作为所述电流求和模块的输出端，用于输出所述误差放大信号。
12、在其中一个实施例中，所述镜像电流输出模块包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管；
13、所述第三晶体管的第一极、所述第四晶体管的第一极和所述第五晶体管的第一极均连接所述误差放大模组，所述第三晶体管的第二极、所述第四晶体管的第二极和所述第五晶体管的第二极均连接所述启动模组，所述第三晶体管的第三极连接所述输出支路，所述第四晶体管的第三极和所述第五晶体管的第三极均连接所述调节支路。
14、在其中一个实施例中，所述镜像电流输出模块还包括第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管；
15、所述第三晶体管的第三极通过所述第六晶体管连接所述输出支路，所述第四晶体管的第三极通过所述第七晶体管连接所述调节支路，所述第五晶体管的第三极通过所述第八晶体管连接所述调节支路；
16、所述第六晶体管的第一极、所述第七晶体管的第一极和所述第八晶体管的第一极均连接所述偏置模组；
17、所述第七晶体管的第三极连接所述第一晶体管的第一极，所述第八晶体管的第三极连接所述第二晶体管的第一极。
18、在其中一个实施例中，所述核心模组还包括补偿电容；
19、所述补偿电容的一端连接所述第四晶体管和第五晶体管的第一极，所述补偿电容的另一端连接所述第一晶体管的第一极。
20、在其中一个实施例中，所述输出支路包括第一电阻、第二电阻和第九晶体管；
21、所述第一电阻的一端连接所述镜像电流输出模块，所述第一电阻的另一端连接所述第九晶体管的第一极和第二极，所述第九晶体管的第三极接地；
22、所述第二电阻的一端连接所述镜像电流输出模块，所述第二电阻的另一端接地；
23、所述第二电阻用于承载所述目标带隙基准电压。
24、在其中一个实施例中，所述调节支路包括第三电阻、第十晶体管和第十一晶体管；
25、所述第十晶体管的第一极和第二极均连接所述镜像电流输出模块，所述第十晶体管的第三极接地；
26、所述第十一晶体管的第一极和第二极均通过所述第三电阻连接所述镜像电流输出模块，所述第十一晶体管的第三极接地。
27、在其中一个实施例中，所述偏置模组包括偏置电压输出模块和偏置电流输出模块；
28、所述偏置电压输出模块连接所述核心模组，用于提供所述偏置电压信号；
29、所述偏置电流输出模块连接所述误差放大模组，用于提供所述偏置电流信号。
30、第二方面，本实施例还提供了一种电子设备，包括第一方面所述的带隙基准电路。
31、综上所述，本申请实施例提供了一种带隙基准电路及电子设备，包括：启动模组、核心模组、偏置模组和误差放大模组，其中，偏置模组用于产生偏置电流信号和偏置电压信号，并向核心模组提供偏置电压信号，向误差放大模组提供偏置电流信号。核心模组与误差放大模组之间形成负反馈，核心模组用于根据偏置电压信号以及误差放大信号生成具有较小温度系数的目标带隙基准电压信号。误差放大模组采用第一晶体管和第二晶体管组成差分放大模块，能够有效解决传统的带隙基准遇到的低压模式下的瓶颈问题，使带隙基准电路能够在更低的电源电压下工作。
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1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：启动模组、核心模组、偏置模组和误差放大模组；
2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为三极管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一极均为基极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二极均为集电极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第三极均为发射极。
3.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述偏置电流输入模块包括第一电流镜单元，所述电流求和模块包括第二电流镜单元、第三电流镜单元和第四电流镜单元；
4.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述镜像电流输出模块包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管；
5.根据权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述镜像电流输出模块还包括第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管；
6.根据权利要求5所述的带隙基准电路，其特征在于，所述核心模组还包括补偿电容；
7.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述输出支路包括第一电阻、第二电阻和第九晶体管；
8.根据权利要求
9.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述偏置模组包括偏置电压输出模块和偏置电流输出模块；
10.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求1-9中任一项所述的带隙基准电路。
...【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：启动模组、核心模组、偏置模组和误差放大模组；
2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为三极管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一极均为基极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二极均为集电极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的第三极均为发射极。
3.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述偏置电流输入模块包括第一电流镜单元，所述电流求和模块包括第二电流镜单元、第三电流镜单元和第四电流镜单元；
4.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述镜像电流输出模块包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管；
【专利技术属性】
技术研发人员：胡海军，夏群兵，谢旺生，
申请(专利权)人：深圳市爱协生科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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