一种太阳能电池制造技术

技术编号:40992813 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-18 21:34
本申请提供一种太阳能电池,太阳能电池包括硅基底;硅基底包括相对设置的第一表面和第二表面;第一表面上沿第一方向依次叠层设置有超薄硅氧层、多晶硅层、透明导电层和银触板;银触板覆盖透明导电层,且银触板与透明导电层电性连接;银触板在第一方向上的厚度的范围为80nm‑90nm;其中,第一方向为垂直于第一表面的方向,且第一方向由超薄硅氧层指向银触板。在上述技术方案中,通过采用银触板覆盖透明导电层,且银触板与透明导电层电性连接的方式,拓宽了第一表面的载流子的传输路径,减少了电子的复合,提升了太阳能电池的光电转换效率。同时,通过设置银触板在第一方向上的厚度的范围为80nm‑90nm,降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光伏,尤其是涉及一种太阳能电池


技术介绍

1、太阳能的应用是解决能源与环境问题的有效途径。高转换效率低成本、易于产业化的高效电池技术是太阳能电池发展的目标,而提高效率是电池降低成本最核心的手段。当前限制传统晶体硅(c-si)太阳能电池效率进一步提升的关键因素是正背膜与硅接触界面处的载流子复合损失。目前最有效方法之一是采用钝化接触topcon技术。

2、topcon电池技术的高效率来源于采用背钝化接触结构si/sio/poly-si,这种钝化接触可以降低载流子复合。然而在制备多晶硅膜层后,poly-si的电子传输能力相对较差,导致载流子的横向传输电阻大。因此,如何增强背钝化层载流子的输运和收集成为本领域技术人员研究的方向。


技术实现思路

1、本申请提供一种太阳能电池,用以改善由于太阳能电池背面多晶硅(poly-si)薄膜载流子传输电阻较大,导致背表面复合较高,进而太阳能电池效率较低的情况。

2、本申请提供了一种太阳能电池,所述太阳能电池包括硅基底;所述硅基底包括相对设置的第一表面和第二表面;

3、所述第一表面上沿第一方向依次叠层设置有超薄硅氧层、多晶硅层、透明导电层和银触板;

4、所述银触板覆盖所述透明导电层,且所述银触板与所述透明导电层电性连接;

5、所述银触板在所述第一方向上的厚度的范围为80nm-90nm;

6、其中,所述第一方向为垂直于所述第一表面的方向,且所述第一方向由所述超薄硅氧层指向所述银触板。

7、在上述技术方案中,通过采用银触板覆盖透明导电层,且银触板与透明导电层电性连接的方式,拓宽了第一表面的载流子的传输路径,减少了电子的复合,提升了太阳能电池的光电转换效率。同时,通过设置银触板在第一方向上的厚度的范围为80nm-90nm,降低了生产成本。

8、在一个具体的可实施方案中,所述银触板沿所述第一方向上的厚度大于所述透明导电层沿所述第一方向上的厚度。

9、在一个具体的可实施方案中,所述透明导电层在所述第一方向上的厚度的范围为50nm-90nm。

10、在一个具体的可实施方案中,所述透明导电层具体为氧化铟锡层。氧化铟锡层与银电极配合使用,电子传输的电阻小,电子的损耗小,有利于提高电池的效率。

11、在一个具体的可实施方案中,所述多晶硅层在所述第一方向上的厚度范围为30nm-280nm。

12、在一个具体的可实施方案中,所述超薄硅氧层、所述多晶硅层、所述透明导电层和所述银触板沿与所述第一方向相反的方向在所述第一表面上的投影均重叠。

13、在一个具体的可实施方案中,所述第二表面上进行硼扩散形成硼发射极;所述硼发射极上沿第二方向依次叠层设置钝化层、减反射层;

14、所述第二方向为垂直于所述第二表面的方向,且所述第二方向由所述硼发射极指向所述减反射层。

15、在上述技术方案中,通过设置钝化层,使得太阳能电池片不受外界环境影响,防止太阳能电池片表面氧化和腐蚀,从而提高太阳能电池的效率和寿命。设置减反射层,提高了电池片对太阳光的利用率。

16、在一个具体的可实施方案中,所述减反射层在所述第二方向上的厚度范围为90nm-180nm。

17、在一个具体的可实施方案中,还包括多个银电极;多个所述银电极依次穿过所述减反射层和所述钝化层,且多个所述银电极均连接于所述硼发射极。

18、在上述技术方案中,通过设置多个银电极均连接于硼发射极,在多个银电极的另一端连接其他电子设备,使得太阳能电池能够通过吸收太阳光转换的电能为电子设备提供电能。

19、在一个具体的可实施方案中,所述钝化层、所述减反射层沿与所述第二方向相反的方向在所述第二表面上的投影均重叠。

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【技术保护点】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括硅基底;所述硅基底包括相对设置的第一表面和第二表面;

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述银触板沿所述第一方向上的厚度大于所述透明导电层沿所述第一方向上的厚度。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电层在所述第一方向上的厚度的范围为50nm-90nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电层具体为氧化铟锡层。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述多晶硅层在所述第一方向上的厚度范围为30nm-280nm。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述超薄硅氧层、所述多晶硅层、所述透明导电层和所述银触板沿与所述第一方向相反的方向在所述第一表面上的投影均重叠。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二表面上进行硼扩散形成硼发射极;所述硼发射极上沿第二方向依次叠层设置钝化层、减反射层;

8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述减反射层在所述第二方向上的厚度范围为90nm-180nm。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,还包括多个银电极;多个所述银电极依次穿过所述减反射层和所述钝化层,且多个所述银电极均连接于所述硼发射极。

10.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述钝化层、所述减反射层沿与所述第二方向相反的方向在所述第二表面上的投影均重叠。

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【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括硅基底;所述硅基底包括相对设置的第一表面和第二表面;

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述银触板沿所述第一方向上的厚度大于所述透明导电层沿所述第一方向上的厚度。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电层在所述第一方向上的厚度的范围为50nm-90nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电层具体为氧化铟锡层。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述多晶硅层在所述第一方向上的厚度范围为30nm-280nm。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述超薄硅氧层、所述多晶硅层、所述透...

【专利技术属性】
技术研发人员:左晓昆陈红左景武夏雪松
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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