【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属有机配合物,具体为一种混配型酰胺基铪配合物及其制备方法和应用。
技术介绍
1、随着集成电路的飞速发展,sio2作为传统的栅介质将不能满足金属-氧化物-半导体场效应管(mosfet)器件高集成度的要求,需要一种新型高k材料来代替传统的sio2,这就要综合考虑以下几个方面的问题:①具有高介电常数、高的势垒和能隙;②在si上有良好的热稳定性;③非晶态栅介质更理想;④具有良好的界面质量;⑤与si基栅兼容;⑥处理工艺的兼容性;⑦具有良好的可靠性和稳定性。
2、目前被广泛研究用来替代传统sio2栅极氧化物的高k材料主要有以下几种:al2o3、zro2、hfo2、 (hfo2)x(al2o3)1-x、la2o3、pr2o3、y2o3、gd2o3和nd2o3等等。其中研究最多是zro2、hfo2和它们相关的硅化物。稀土氧化物由于具有高势垒和能隙(pr2o3~3.9, gd2o3~5.6ev)、高介电常数(gd2o3k=16, la2o3k=30, pr2o3k=26-30),以及在硅底物上优良的热力学稳定三大优点,最近也引
...【技术保护点】
1.一种混配型酰胺基铪配合物,其特征在于:该配合物的结构通式为:
2.一种混配型酰胺基铪配合物的制备方法,其特征在于:技术路径为,
3.根据权利要求2所述的一种混配型酰胺基铪配合物的制备方法,其特征在于:所述金属M为铪,无水金属盐为无水氯化铪。
4.根据权利要求2所述的一种混配型酰胺基铪配合物的制备方法,其特征在于:所述技术路径中,金属M为铪:二胺盐与酰胺基盐的投料比为1:3或2:2或3;1;二胺盐与酰胺基盐与无水氯化铪的投料比为4:1。
5.根据权利要求2所述的一种混配型酰胺基铪配合物的制备方法,其特征在于:所述无水有
...【技术特征摘要】
1.一种混配型酰胺基铪配合物,其特征在于:该配合物的结构通式为:
2.一种混配型酰胺基铪配合物的制备方法,其特征在于:技术路径为,
3.根据权利要求2所述的一种混配型酰胺基铪配合物的制备方法,其特征在于:所述金属m为铪,无水金属盐为无水氯化铪。
4.根据权利要求2所述的一种混配型酰胺基铪配合物的制备方法,其特征在于:所述技术路径中,金属m为铪:二胺盐与酰胺基盐的投料比为1:3或2:2或3;1;二胺盐与酰胺基盐与无水氯化铪的投料比为4:1。
5.根据权利要求2所述的一种混配型酰胺基铪配合物的制备方法,其特征在于:所述无水有机溶剂为:甲苯、乙醚、乙二醇二甲醚、四氢呋喃、正己烷或者其中任意两种上述溶剂按照1:9-9:1...
【专利技术属性】
技术研发人员:陶弦,沈应中,沈克成,
申请(专利权)人:江苏爱姆欧光电材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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