【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及半导体装置。
技术介绍
1、一种用于增加半导体装置的密度的缩放技术是多栅极晶体管，在多栅极晶体管中，在基板上形成鳍或纳米线形状的多沟道有源图案(或硅体)，并且在多沟道有源图案的表面上形成栅极。
2、由于这种多栅极晶体管使用三维沟道，所以很容易缩放多栅极晶体管。另外，即使多栅极晶体管的栅极长度不增加，电流控制能力也增加。另外，可有效地抑制沟道区域的电位受漏极电压影响的短沟道效应(sce)。
3、随着半导体装置的间距大小减小，将需要对减小电容并确保半导体装置中的触点之间的电稳定性进行研究。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种元件性能和可靠性提高的半导体装置。
2、根据本公开的实施例，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基板，其包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；
3、第一源极/漏极图案，其设置在基板的第一表面上；第二源极/漏极图案，其设置在基板的第一表面上并且在第二方向上与第一源极/漏极图案间隔开；第一源极...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括设置在所述基板的所述第一表面上并且在第三方向上延伸的栅电极，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在距所述后布线第一高度处所述第一接触连接穿通件在所述第二方向上的宽度大于在距所述后布线第二高度处所述第一接触连接穿通件在所述第二方向上的宽度，并且
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在距所述后布线所述第一高度处所述第一接触连接穿通件在所述第三方向上的宽度小于在距所述后布线所述第二高度处所述第一接触连接穿通件在所述第三方向上的宽度。
5.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括设置在所述基板的所述第一表面上并且在第三方向上延伸的栅电极，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在距所述后布线第一高度处所述第一接触连接穿通件在所述第二方向上的宽度大于在距所述后布线第二高度处所述第一接触连接穿通件在所述第二方向上的宽度，并且
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在距所述后布线所述第一高度处所述第一接触连接穿通件在所述第三方向上的宽度小于在距所述后布线所述第二高度处所述第一接触连接穿通件在所述第三方向上的宽度。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括设置在所述第一接触连接穿通件和所述第二接触连接穿通件之间的栅极隔离结构，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括设置在所述基板的所述第一表面上的前布线结构，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括设置在所述基板中并且设置在所述第一接触连接穿通件和所述后布线之间的掩埋导电图案。
9.一种半导体装置，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第一接触连接穿通件和所述第二接触连接穿通件中的每一个包括在所述第二方向上彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，
11.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗相喆，李敬雨，郭玟灿，金菊喜，金泛镇，金荣佑，李东翼，蔡命均，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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