【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书涉及光子集成电路的制造。
技术介绍
1、光子级氮化硅膜通常具有大的面内机械应力，这限制了其在小衬底和低密度光子电路中的应用。为了在任何衬底尺寸上制造高密度的光子集成电路，在衬底中引入了附加的结构来减轻面内机械应力。
技术实现思路
1、根据本专利技术的一方面，提供了一种用于减轻机械应力的结构。该结构包括：衬底；缺口，该缺口形成在衬底中；以及光子层，该光子层形成在衬底上。
2、在一些实施方式中，缺口的深度等于或大于光子层的厚度。缺口的宽度小于光子层的厚度的两倍。
3、在一些实施方式中，光子层包括具有第一厚度的连续层和具有第二厚度的不连续层。不连续层形成在衬底上和缺口内，并且连续层形成在不连续层上。
4、在一些实施方式中，连续层和不连续层包括相同的材料。
5、在一些实施方式中，缺口的宽度是第二厚度的两倍。
6、在一些实施方式中，第一厚度小于0.5微米。
7、在一些实施方式中，深度等于或大于1.2微米，并且宽度等于或大
【技术保护点】
1.一种用于减轻机械应力的结构，所述机构包括：
2.根据权利要求1所述的结构，
3.根据权利要求1或2所述的结构，
4.根据权利要求3所述的结构，
5.根据权利要求3或4所述的结构，
6.根据权利要求3至5中任一项所述的结构，
7.根据任一前述权利要求所述的结构，
8.根据任一前述权利要求所述的结构，
9.根据任一前述权利要求所述的结构，
10.一种切割线，包括：
11.根据权利要求10所述的切割线，包括：
12.根据权利要求10或11所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于减轻机械应力的结构，所述机构包括：
2.根据权利要求1所述的结构，
3.根据权利要求1或2所述的结构，
4.根据权利要求3所述的结构，
5.根据权利要求3或4所述的结构，
6.根据权利要求3至5中任一项所述的结构，
7.根据任一前述权利要求所述的结构，
8.根据任一前述权利要求所述的结构，
9.根据任一前述权利要求所述的结构，
10.一种切割线，包括：
11.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：达维德·萨凯托，迈克尔·泽瓦斯，加布里埃尔·纳维凯特，
申请(专利权)人：立坚特克股份公司，
类型：发明
国别省市：
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