【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电流产生，具体涉及温度系数可调的电流产生电路、电路板和电流产生芯片。
技术介绍
1、在集成电路领域中，经常需要产生不同温度系数的基准电流来供电路使用，具体为产生零温漂的基准电流、正温度系数的基准电流和负温度系数的基准电流中的至少一种基准电流来供电路使用。然而对于现有的基准电流源，其产生的电流的温度系数大多较为固定，应用领域范围，使用性较差，不能同时依据使用环境的不同去调整温度系数的大小。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
的不足，本专利技术是提供了一种温度系数可调的电流产生电路，所要解决的技术问题是现有的基准电流源产生的电流的温度系数固定，适用性较差。
2、为解决以上技术问题，第一方面，本专利技术提供了如下技术方案：一种温度系数可调的电流产生电路，包括偏置电压产生单元、第一负载单元、第一电流镜单元、第二负载单元、第三负载单元、运算放大单元和第二电流镜单元；
3、所述第一电流镜单元包括第一主支路、第一从支路和第二从支路，所述第一从支路和第二从支路用于按照比例复制流过第一主支路的电流，所述第二电流镜单元包括第二主支路和第三从支路，所述第三从支路用于按照比例复制流过第二主支路的电流；
4、所述偏差电压产生单元与所述第一负载单元电连接，用于在第一负载单元上产生第一偏置电流；
5、所述第一主支路与所述第一负载单元电连接，所述第一从支路与所述第二负载单元电连接，所述运算放大单元用于对所述第二负载单元上的电压进行放大，从而向第三负载单元上
6、所述第二主支路与所述第三负载单元电连接，所述第三从支路的输入端与所述第二从支路的输出端电连接，所述第二从支路的输出端与输出管的输入端电连接，所述输出管的控制端用于输入驱动电压，所述输出管的输出端用于输出驱动电流。
7、在第一方面的某种实施方式中，所述偏置电压产生单元包括运算放大器和mos管m1，所述运算放大器的正输入端用于输入外部电压，所述运算放大器的输出端与mos管m1的栅极电连接，mos管m1的源极分别与运算放大器的负输入端和第一负载单元电连接，mos管m1的漏极与第一主支路电连接。
8、在第一方面的某种实施方式中，所述第一负载单元包括电阻r1，所述mos管m1的源极通过电阻r1接地。
9、在第一方面的某种实施方式中，所述第一主支路包括mos管mp1，第一从支路包括mos管mp2，第二从支路包括mos管mp3；
10、mos管mp1的源极分别与mos管mp2的源极和mos管mp3的源极电连接，mos管mp1的栅极分别与mos管mp1的漏极、第一负载单元、mos管mp2的栅极和mos管mp3的栅极电连接，mos管mp2的漏极与第二负载单元电连接，mos管mp3的漏极与第三从支路的输入端电连接。
11、在第一方面的某种实施方式中，所述第二负载单元包括电阻r2，mos管mp2的源极通过电阻r2接地，电阻r2未接地一端与运算放大单元电连接。
12、在第一方面的某种实施方式中，所述第三负载单元包括电阻r3，所述运算放大单元的输出端通过电阻r3与第二主支路电连接。
13、在第一方面的某种实施方式中，所述第二主支路包括mos管mn1，第三从支路包括mos管mn2，mos管mn1的漏极分别与电阻r3、mos管mn1的栅极和mos管mn2的栅极电连接，mos管mn1的源极和mos管mn2的源极电连接，且接地，mos管mn2的漏极与第二从支路电连接。
14、在第一方面的某种实施方式中，所述输出管为nmos管，nmos管的漏极为输出管的输入端，nmos管的栅极为输出管的控制端，nmos管的源极为输出管的输出端。
15、第二方面，本专利技术提供了一种电路板，所述电路板上设有上述的温度系数可调的电流产生电路。
16、第三方面，本专利技术提供了电流产生芯片，所述电流产生芯片上设有上述的温度系数可调的电流产生电路。
17、本专利技术与现有技术相比所具有的有益效果是：本专利技术通过在第一负载单元上产生第一偏置电流，并通过第一电流镜单元将第一偏置电流转移到第二负载单元上，在第二负载单元上形成电压，运算放大单元将该电压在第三负载单元上形成第二偏置电流，由于通过第二电流镜单元将第二偏置电流转移到第三从支路上，通过将第二从支路的电流减去第三从支路的电路可以得到流过输出管的电流大小，进而可以通过调整第一负载单元-第三负载单元的温度系数以及通过第一电流镜单元和第二电流镜单元来实现流过输出管的电流的温度系数的调整。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.温度系数可调的电流产生电路，其特征在于，包括偏置电压产生单元、第一负载单元、第一电流镜单元、第二负载单元、第三负载单元、运算放大单元和第二电流镜单元；
2.根据权利要求1所述的温度系数可调的电流产生电路，其特征在于，所述偏置电压产生单元包括运算放大器和MOS管M1，所述运算放大器的正输入端用于输入外部电压，所述运算放大器的输出端与MOS管M1的栅极电连接，MOS管M1的源极分别与运算放大器的负输入端和第一负载单元电连接，MOS管M1的漏极与第一主支路电连接。
3.根据权利要求2所述的温度系数可调的电流产生电路，其特征在于，所述第一负载单元包括电阻R1，所述MOS管M1的源极通过电阻R1接地。
4.根据权利要求1所述的温度系数可调的电流产生电路，其特征在于，所述第一主支路包括MOS管MP1，第一从支路包括MOS管MP2，第二从支路包括MOS管MP3；
5.根据权利要求4所述的温度系数可调的电流产生电路，其特征在于，所述第二负载单元包括电阻R2，MOS管MP2的源极通过电阻R2接地，电阻R2未接地一端与运算放大单元电连接。
<...【技术特征摘要】
1.温度系数可调的电流产生电路，其特征在于，包括偏置电压产生单元、第一负载单元、第一电流镜单元、第二负载单元、第三负载单元、运算放大单元和第二电流镜单元；
2.根据权利要求1所述的温度系数可调的电流产生电路，其特征在于，所述偏置电压产生单元包括运算放大器和mos管m1，所述运算放大器的正输入端用于输入外部电压，所述运算放大器的输出端与mos管m1的栅极电连接，mos管m1的源极分别与运算放大器的负输入端和第一负载单元电连接，mos管m1的漏极与第一主支路电连接。
3.根据权利要求2所述的温度系数可调的电流产生电路，其特征在于，所述第一负载单元包括电阻r1，所述mos管m1的源极通过电阻r1接地。
4.根据权利要求1所述的温度系数可调的电流产生电路，其特征在于，所述第一主支路包括mos管mp1，第一从支路包括mos管mp2，第二从支路包括mos管mp3；
5.根据权利要求4所述的温度系数可调的电流产生电路，其特征在于，所述第二负载单元包括电阻r2，mos管mp2的源极通过电阻r2接地，电阻r2未...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨中，
申请(专利权)人：江苏集萃智能集成电路设计技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：
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