【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片清洗，具体涉及芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统。
技术介绍
1、清洗工艺是贯穿整个半导体制造的重要环节，是影响半导体器件性能以及良率的重要因素之一。在芯片制造过程中，任何的沾污都可能影响半导体器件的性能，甚至引起失效。因此，几乎在芯片制造的每一道工序前后，都需要进行清洗工艺，去除表面的污染物，保证晶圆表面的洁净度。
2、随着超大规模集成电路的发展， 芯片工艺节点进入28nm、14nm 甚至更先进的节点，集成度不断提高，线宽不断减小，工艺流程更加复杂。先进节点的芯片制造对沾污的敏感度更高，小尺寸条件下的沾污清洗更加困难，也就导致清洗工艺步骤不断增加，清洗工艺变得更加复杂、更加重要和更具挑战性。90nm 的芯片清洗工艺约 90 道，到了 20nm 芯片的清洗工艺达到 了 215 道。随着芯片制造进入 14nm、10nm 甚至更高节点，清洗工艺的道数仍然要不断增加。
3、由于集成电路特征尺寸的逐渐减小，器件结构会要求更高的纵横比，常规湿法清洗由于表面张力很难进入晶圆深沟槽结构内部，不能满足更细线条工艺...
【技术保护点】
1.一种芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，包括第一输送管路、第二输送管路、调压装置和加热装置，所述调压装置和加热装置位于所述第一输送管路和第二输送管路之间，所述第一输送管路内输送液态二氧化碳，所述第二输送管路内输送气态二氧化碳，所述第一输送管路包括依次连通的第一伴冷段和第二伴冷段，所述第一伴冷段和第二伴冷段之间设置有隔膜泵，所述第一输送管路的液态二氧化碳来料温度为-19℃至-22℃，所述第一伴冷段的平均温度控制在-23℃至-26℃，工作压力为19±4 barg；所述第二伴冷段的平均温度控制在-23℃至-26℃，工作压力为62±4 barg； 所述第二输送管...
【技术特征摘要】
1.一种芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，包括第一输送管路、第二输送管路、调压装置和加热装置，所述调压装置和加热装置位于所述第一输送管路和第二输送管路之间，所述第一输送管路内输送液态二氧化碳，所述第二输送管路内输送气态二氧化碳，所述第一输送管路包括依次连通的第一伴冷段和第二伴冷段，所述第一伴冷段和第二伴冷段之间设置有隔膜泵，所述第一输送管路的液态二氧化碳来料温度为-19℃至-22℃，所述第一伴冷段的平均温度控制在-23℃至-26℃，工作压力为19±4 barg；所述第二伴冷段的平均温度控制在-23℃至-26℃，工作压力为62±4 barg； 所述第二输送管路采用电伴热，所述第二输送管路输出的气态二氧化碳温度控制在30℃至40℃，压力控制在51barg至59 barg。
2.如权利要求1所述的芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，所述亚临界二氧化碳供应系统还包括原料储罐和缓冲储罐，所述原料储罐和缓冲储罐通过第一输送管路连通，所述隔膜泵位于所述原料储罐和缓冲储罐之间，所述第一伴冷段位于所述原料储罐和隔膜泵，所述第二伴冷段位于所述隔膜泵和缓冲储罐之间，所述缓冲储罐的出口连通所述加热装置，所述加热装置的出口连通调压装置。
3.如权利要求2所述的芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，所述原料储罐和缓冲储罐内筒材质为s30408不锈钢，所述缓冲储罐内筒厚度为35-45mm。
4.如权利要求1所述的芯片清洗用亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，所述第二输送管路包括气体输送管、热管绝缘层、热管保护套和多段伴热带，从第二输送管路的截面来看，所述热管绝缘层环绕于所述气体输送管外，所述热管保护套环绕于所述热管绝缘层外，所述多段伴热带贴合所述气体输送管外；所述多段伴热带沿第二输送管路延伸方向间隔设置，且每段伴热带分别...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓韬，孙永康，钟小禹，
申请(专利权)人：广州广钢气体能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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