【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例总体涉及半导体领域，特别地涉及用于设计芯片的方法、装置、设备和计算机可读存储介质。
技术介绍
1、随着摩尔定律的发展，半导体的制程越来越小。目前一颗芯片的裸片(die)内通常存在数目众多的各种半导体器件，例如上亿个标准单元、数以万计的存储单元以及数百个硬知识产权核(ip core)等。在这些半导体器件中，诸如静态随机存取存储器(sram)的存储单元的漏电功耗在芯片的总漏电功耗中占据较大比例，例如30％以上。因此，对存储单元的合理选型以降低功耗对芯片设计来说是重要的。
技术实现思路
1、在本公开的第一方面，提供了一种设计芯片的方法。该方法包括：从候选存储单元集中选择用于所设计的芯片的第一存储单元，第一存储单元的第一传输延时小于阈值传输延时；确定与芯片中包括第一存储单元的信号路径相关联的时序余量；以及基于时序余量，在芯片中用候选存储单元集中的第二存储单元替换第一存储单元，第二存储单元具有比第一存储单元高的电压阈值。
2、在本公开的第二方面，提供了一种用于评估设计芯...
【技术保护点】
1.一种设计芯片的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中用所述第二存储单元替换所述第一存储单元包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中至少基于所述第一延时变化量与所述时序余量的比较用所述第二存储单元替换所述第一存储单元包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其中至少基于所述第一延时变化量与所述时序余量的比较用所述第二存储单元替换所述第一存储单元包括：
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述阈值传输延时小于时钟周期的90％。
7.根据权利要求1所述的
【技术特征摘要】
1.一种设计芯片的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中用所述第二存储单元替换所述第一存储单元包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中至少基于所述第一延时变化量与所述时序余量的比较用所述第二存储单元替换所述第一存储单元包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其中至少基于所述第一延时变化量与所述时序余量的比较用所述第二存储单元替换所述第一存储单元包括：
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴岸，任勇斌，魏康亮，朱经纬，刘俐敏，李继峰，王剑，
申请(专利权)人：北京有竹居网络技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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