【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光通信,具体涉及一种超窄带宽双陷波滤波器。
技术介绍
1、随着科学技术的进步,特别是光通信技术的日益发展,要求光通信器件有着非常高的集成度,使得单个元器件的体积越来越小。陷波光滤波器几乎可以无损的通过大部分波长,同时衰减某一特定的波长。该器件在图像处理、数据传输、地震学、生物医学工程、拉曼光谱和激光防护涂层等领域有着广泛的应用。
2、传统的陷波滤波器是由多层薄构成,这使得制造成本高、加工困难且复杂。高折射率和低折射率介质膜的组合叠加,构成具有折射率差异的叠层设计是制备陷波滤波器的传统方法。其阻带的带度取决于高折射率层和低折射率层的厚度以及折射率的比值。且阻带的带宽是通过选择相对较小的两种材料之间折射率差来控制。但在实际制备过程中,如何区分两种折射率相差不大的高折射率材料和低折射率材料,以及如何精确控制它们的厚度来实现陷波滤波器都是比较困难的问题。同时,现有的窄带陷波滤波器带宽比较宽,严重限制了其在通信领域的应用。
技术实现思路
1、本专利技术所为了解决
技术介绍
中存 ...
【技术保护点】
1.一种超窄带宽双陷波滤波器,其特征在于,包括:上周期性纳米棒层(1)、基底层(2)和下周期性纳米棒层(3);所述上周期性纳米棒层(1)贴合在所述基底层(2)的上表面,所述下周期性纳米棒层(3)贴合在所述基底层(2)的下表面。
2.根据权利要求1所述的一种超窄带宽双陷波滤波器,其特征在于,在所述上周期性纳米棒层(1)和下周期性纳米棒层(3)中,两个纳米棒为一个单元,以相同的周期性方式排列。
3.根据权利要求1所述的一种超窄带宽双陷波滤波器,其特征在于,所述上周期性纳米棒层(1)和下周期性纳米棒层(3)的纳米棒均采用电介质硅材料。
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...【技术特征摘要】
1.一种超窄带宽双陷波滤波器,其特征在于,包括:上周期性纳米棒层(1)、基底层(2)和下周期性纳米棒层(3);所述上周期性纳米棒层(1)贴合在所述基底层(2)的上表面,所述下周期性纳米棒层(3)贴合在所述基底层(2)的下表面。
2.根据权利要求1所述的一种超窄带宽双陷波滤波器,其特征在于,在所述上周期性纳米棒层(1)和下周期性纳米棒层(3)中,两个纳米棒为一个单元,以相同的周期性方式排列。
3.根据权利要求1所述的一种超窄带宽双陷波滤波器,其特征在于,所述上周期性纳米棒层(1)和下周期性纳米棒层(3)的纳米棒均采用电介...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘会龙,虎岩,贾兴宁,马占红,袁依丹,万磊,
申请(专利权)人:宁夏大学,
类型:发明
国别省市:
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