【技术实现步骤摘要】
本申请涉及碳化硅驱动电压电路，具体涉及一种栅极可调驱动电压电路。
技术介绍
1、随着第三代半导体的逐渐成熟，应用场景变得更加多元。在碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（mosfet，metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）的驱动方面，与以往硅基mosfet不同，碳化硅mosfet对栅源电压vgs（gate-source）驱动电压要求尤为严苛。因此，在不同的碳化硅mosfet芯片所需要的栅源电压vgs电压有所不同，不同厂家的碳化硅mosfet芯片需要不同的栅极电压进行驱动。
2、然而，目前应用端驱动板上的电源不能够全部满足不同碳化硅mosfet芯片的不同栅极驱动电压。在传统方式中使用开环电源来保证单一类型的碳化硅mosfet芯片驱动电压供电（不能进行可调），一旦需要更换不同厂家的碳化硅mosfet，则需要进行电源设计变更，需要很大程度的改变变压器设计以及外围电路，导致成本的显著增加。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种栅极可调驱动电压电路，以便于满足不同类型碳化硅mosfet芯片的驱动电压的供电需求。
2、为实现本申请的目的，本申请提供了如下的技术方案：
3、反激电源电路，包括高边域电路、低边域电路和辅助电源电路；所述高边域电路和低边域电路均与所述辅助电源电路相连接，并在所述辅助电源电路的调节下分别输出第一电压及第二电压；所述第一电压包括正压，所述第二电压包括负压或0v电压；>
4、栅极驱动电路，包括高侧驱动器域电路、低侧驱动器域电路、第一栅极驱动芯片和第二栅极驱动芯片；所述高侧驱动器域电路的输入端和所述高边域电路的输出端相连接，所述高侧驱动器域电路的输出端与所述第一栅极驱动芯片相连接；所述低侧驱动器域电路的输入端和所述低边域电路的输出端相连接，所述低侧驱动器域电路的输出端与所述第二栅极驱动芯片相连接。
5、本申请的栅极可调驱动电压电路，通过对反激电源电路的辅助电源电路进行调节，可以输出不同碳化硅mosfet芯片所需的驱动电压，同时通过变更反激电源电路的反馈分压值，能够满足不同类型碳化硅mosfet芯片所需的驱动电压和驱动电源功率，进而满足应用双脉冲测试、无功台架测试和对拖台架测试评估；提升了反激电源效率，在瞬时带载的情况下更加稳定的同时，精简了反激电源的外围器件，节约了成本。
6、在其中一个实施例中，所述辅助电源电路包括：
7、反激芯片，所述反激芯片包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、第六引脚、第七引脚和第八引脚；所述第一引脚和所述第二引脚连接电源电压；所述第五引脚和所述第六引脚接地；
8、晶体管，所述晶体管的栅极与所述第八引脚相连接，所述晶体管的源极与所述第七引脚相连接，所述晶体管的漏极与所述高边域电路和所述低边域电路均相连接；
9、分压电路，所述分压电路的第一端与所述第三引脚和所述第四引脚均相连接，所述分压电路的第二端接地，所述分压电路的第三端与所述低边域电路相连接。
10、在其中一个实施例中，所述分压电路包括：
11、第一电阻，一端与所述第三引脚和所述第四引脚相连接；
12、第二电阻，一端与所述第一电阻的另一端相连接，另一端接地；
13、第三电阻，一端与所述第一电阻远离所述第二电阻的一端、所述第三引脚和所述第四引脚相连接，另一端与所述低边域电路相连接。
14、在其中一个实施例中，所述高边域电路包括：
15、第一变压器，所述第一变压器包括第一连接引脚、第二连接引脚、第三连接引脚、第四连接引脚、第五连接引脚和第六连接引脚；所述第一连接引脚连接电源电压；所述第二连接引脚与所述辅助电源电路相连接；所述第四连接引脚接地；
16、第一二极管，所述第一二极管的正极与所述第五引脚相连接；
17、第一电感，所述第一电感的一端与所述第一二极管的负极相连接，另一端与所述高侧驱动器域电路相连接；
18、第二电感，所述第二电感的一端与所述第六引脚相连接，另一端与所述高侧驱动器域电路相连接；
19、第一稳压电路，与所述高侧驱动器域电路相连接。
20、在其中一个实施例中，所述第一稳压电路包括第一稳压晶体管。
21、在其中一个实施例中，所述低边域电路包括：
22、第二变压器，所述第二变压器包括第七连接引脚、第八连接引脚、第九连接引脚、第十连接引脚、第十一连接引脚和第十二连接引脚；所述第七连接引脚连接电源电压；所述第八连接引脚和所述第九引脚与所述辅助电源电路均相连接；所述第十连接引脚接地；
23、第二二极管，所述第二二极管的正极与所述第十一连接引脚相连接；
24、第三电感，所述第三电感的一端与所述第二二极管的负极相连接，另一端与所述低侧驱动器域电路相连接；
25、第四电感，所述第四电感的一端与所述第十二引脚相连接，另一端与所述低侧驱动器域电路相连接；
26、第二稳压电路，与所述低侧驱动器域电路相连接。
27、在其中一个实施例中，其特征在于，所述第二稳压电路包括第二稳压晶体管。
28、在其中一个实施例中，所述高边域电路包括：第一正压输出端、第二正压输出端、第一负压输出端、第二负压输出端及第一参考电压输出端。
29、在其中一个实施例中，所述低边域电路包括：第三正压输出端、第四正压输出端、第三负压输出端、第四负压输出端及第二参考电压输出端。
30、在其中一个实施例中，所述高侧驱动器域电路包括：第一正压输入端、第一负压输入端及多个第一参考电压输入端；所述第一正压输入端与所述第一正压输出端及所述第二正压输出端均相连接；所述第一负压输入端与所述第一负压输出端及所述第二负压输出端均相连接后接地；多个所述第一参考电压输入端均与所述第一参考电压输出端相连接后接地；
31、所述低侧驱动器域电路包括：第二正压输入端、第二负压输入端及多个第二参考电压输入端；所述第二正压输入端均与所述第三正压输出端及所述第四正压输出端相连接；所述第二负压输入端与所述第三负压输出端及所述第四负压输出端均相连接后接地；多个所述第二参考电压输入端均与所述第二参考电压输出端相连接后接地。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种栅极可调驱动电压电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的栅极可调驱动电压电路，其特征在于，所述辅助电源电路包括：
3.根据权利要求2所述的栅极可调驱动电压电路，其特征在于，所述分压电路包括：
4.根据权利要求1所述的栅极可调驱动电压电路，其特征在于，所述高边域电路包括：
5.根据权利要求4所述的栅极可调驱动电压电路，其特征在于，所述第一稳压电路包括第一稳压晶体管。
6.根据权利要求1所述的栅极可调驱动电压电路，其特征在于，所述低边域电路包括：
7.根据权利要求6所述的栅极可调驱动电路，其特征在于，所述第二稳压电路包括第二稳压晶体管。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的栅极可调驱动电路，其特征在于，所述高边域电路包括：第一正压输出端、第二正压输出端、第一负压输出端、第二负压输出端及第一参考电压输出端。
9.根据权利要求8所述的栅极可调驱动电路，其特征在于，所述低边域电路包括：第三正压输出端、第四正压输出端、第三负压输出端、第四负压输出端及第二参考电压输出端。
<...【技术特征摘要】
1.一种栅极可调驱动电压电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的栅极可调驱动电压电路，其特征在于，所述辅助电源电路包括：
3.根据权利要求2所述的栅极可调驱动电压电路，其特征在于，所述分压电路包括：
4.根据权利要求1所述的栅极可调驱动电压电路，其特征在于，所述高边域电路包括：
5.根据权利要求4所述的栅极可调驱动电压电路，其特征在于，所述第一稳压电路包括第一稳压晶体管。
6.根据权利要求1所述的栅极可调驱动电压电路，其特征在于，所述低边域电路包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：李博强，肖嘉明，肖鹏，刘军，
申请(专利权)人：广东芯聚能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。