平封结构瓷封件的平封结构组件及其高精度封接方法技术

本申请涉及陶瓷封装体技术领域，公开了平封结构瓷封件的高精度封接方法，包括以下方法步骤：S1、在陶瓷上、下端面首先镀覆T i膜实现金属化，其中Ti膜作为陶瓷金属化的基础膜；S2、将镀覆后的瓷件在真空气氛环境下加热保温处理，提升T i膜层与陶瓷结合力；S3、在瓷件的上、下端面先后镀覆Cu膜、Ag膜；S4、覆膜后陶瓷与金属件在专用平封结构组件夹持固定后在真空炉下加热并保温一段时间。通过将陶瓷在镀T i膜实现金属化后镀覆μm级别Cu、Ag金属薄膜，作为过渡液相扩散焊的反应膜层，显著改善了组件封接前后高度方向的变化量，实现了高精度封接效果，提升了真空电子器件平封结构瓷封件各极间距控制一致性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷封装体，具体为平封结构瓷封件的平封结构组件及其高精度封接方法。

技术介绍

1、真空电子器件广泛应用于广播、通信、电视、雷达、导航、医学诊断等领域。伴随整机系统的性能提升，对真空电子器件的性能提出了更高要求，需实现高效率、长寿命以及大功率等指标提升。陶瓷与金属封接结构件作为真空电子器件内部的绝缘结构件，在满足各极耐压的前提下，需确保各极间距达到设计要求，确保电子轨迹满足设计要求，以保障功率和效率等指标。现有平封结构瓷封件封接前后高度尺寸变化较大，对电子枪内电子注形状产生了较大影响，由于这些问题的存在导致真空电子器件效率和功率进一步提升受阻。

2、经过技术调研以及开展工艺研究发现，采用先进的薄膜金属化技术，合理选择膜层种类并结合适宜的热处理温度，能够实现平封结构瓷封件的高精度连接。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了平封结构瓷封件的平封结构组件及其高精度封接方法，目的是为了解决封接前后高度方向的变化量过大问题，提高了实际封接尺寸与设计值之间的符合度，提升了真空电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.平封结构瓷封件的高精度封接方法，其特征在于，包括以下方法步骤：

2.根据权利要求1所述的平封结构瓷封件的高精度封接方法，其特征在于，所述S1步骤中，陶瓷上、下端面Ti膜的镀覆厚度为2±0.2μm。

3.根据权利要求1所述的平封结构瓷封件的高精度封接方法，其特征在于，所述S2步骤中，瓷件在真空气氛环境下的加热温度为700℃，保温时间为5min。

4.根据权利要求1所述的平封结构瓷封件的高精度封接方法，其特征在于，所述S3步骤中，Cu膜的镀覆厚度为1±0.2μm，Ag膜的镀覆厚度为2±0.2μm。

5.根据权利要求1所述的平封结构瓷封件的高...

【技术特征摘要】

1.平封结构瓷封件的高精度封接方法，其特征在于，包括以下方法步骤：

2.根据权利要求1所述的平封结构瓷封件的高精度封接方法，其特征在于，所述s1步骤中，陶瓷上、下端面ti膜的镀覆厚度为2±0.2μm。

3.根据权利要求1所述的平封结构瓷封件的高精度封接方法，其特征在于，所述s2步骤中，瓷件在真空气氛环境下的加热温度为700℃，保温时间为5min。

4.根据权利要求1所述的平封结构瓷封件的高精度封接方法，其特征在于，所述s3步骤中，cu膜的镀覆厚度为1±0.2μm，ag膜的镀覆厚度为2±0.2μm。

5...

【专利技术属性】
技术研发人员：任重，王竟宇，杨梦瑶，唐中华，周朝阳，刘颖博，
申请(专利权)人：南京三乐集团有限公司，
类型：发明
国别省市：