System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 微波发生装置及微波烹饪器具制造方法及图纸_技高网

微波发生装置及微波烹饪器具制造方法及图纸

技术编号:40957941 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-18 20:35
本发明专利技术公开了一种微波发生装置及微波烹饪器具,该微波发生装置包括磁路组件和真空管,磁路组件包括支架和两个磁性件,两个磁性件间隔设置在支架的安装空间内,并且两个磁性件之间形成具有中部区域的闭合磁路,每个磁性件包括第一磁性体和第二磁性体,第二磁性体与第一磁性体相连且环设在第一磁性体的外侧,第一磁性体的磁偏角大于第二磁性体的磁偏角,真空管与支架配合,真空管的第一本体位于中部区域内。由于第一磁性体的磁偏角大于第二磁性体的磁偏角,当一个磁性件向另一个磁性件进行导磁时,磁场被有效汇聚在中部区域,使得中部区域的磁场强度得到了增大,从而在不改变微波发生装置体积的前提下,提高了微波发生装置的输出功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及家用电器,尤其涉及一种微波发生装置及微波烹饪器具


技术介绍

1、本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息,其并不必然是现有技术。

2、微波烹饪器具(微波炉或微蒸烤一体机等),通常包括机体和微波发生装置,微波发生装置安装在机体内,微波发生装置产生微波并将微波馈入到机体的烹饪腔内,以利用微波实现对烹饪腔内待烹饪食材的加热烹饪。

3、磁场强度与微波发生装置的输出功率成正比,然而随着磁控管的微波输出功率要求不断提升,现有技术中,通过增大磁路组件来提高磁场强度,但是,磁路组件的增大使得微波发生装置的整体体积被增大,从而导致了微波发生装置在安装时需要更大的空间,不便于对微波发生装置的装配。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是至少解决微波发生装置在满足便捷安装的前提下能够增加磁场强度的问题。该目的是通过以下技术方案实现的:

2、本专利技术提出了一种微波发生装置,所述微波发生装置包括:

3、磁路组件,所述磁路组件包括支架和两个磁性件,两个所述磁性件间隔设置在所述支架的安装空间内,并且两个所述磁性件之间形成具有中部区域的闭合磁路,每个所述磁性件包括第一磁性体和第二磁性体,所述第二磁性体与所述第一磁性体相连且环设在所述第一磁性体的外侧,所述第一磁性体的磁偏角大于所述第二磁性体的磁偏角;

4、真空管,所述真空管与所述支架配合,所述真空管的第一本体位于所述中部区域内。

5、根据本专利技术的微波发生装置,两个磁性件以及真空管的第一本体均设置在安装空间内,并且真空管的第一本体设于两个磁性件所形成的闭合磁路的中部区域内,一个磁性件所产生的磁场经中部区域向另一个磁性件传递。第一磁性体和第二磁性体构成磁性件,并且第一磁性体设置在第二磁性体的内侧,由于第一磁性体的磁偏角大于第二磁性体的磁偏角,当一个磁性件向另一个磁性件进行导磁时,磁场被有效汇聚在中部区域,使得中部区域的磁场强度得到了增大,从而在不改变微波发生装置体积的前提下,提高了微波发生装置的输出功率。

6、另外,根据本专利技术的微波发生装置,还可具有如下附加的技术特征:

7、在本专利技术的一些实施例中,所述第一磁性体设有中心过孔,所述真空管穿设于所述中心过孔并与所述中心过孔间隙配合。

8、在本专利技术的一些实施例中,所述第一磁性体为钐钴合金件、铝镍钴合金件、铂钴合金件或钕铁硼合金件。

9、在本专利技术的一些实施例中,所述第一磁性体的磁偏角为a,其中,a∈[85°,95°]。

10、在本专利技术的一些实施例中,所述第一磁性体的磁偏角为a,其中,a=90°。

11、在本专利技术的一些实施例中,所述第一磁性体的厚度和所述第二磁性体的厚度相等,所述第一磁性体的厚度为h,其中,h∈[3mm,5mm];

12、并且/或者所述第一磁性体的厚度为h,其中,h=4mm。

13、在本专利技术的一些实施例中,所述磁路组件还包括两个磁极件,两个所述磁极件间隔安装在所述第一本体内,并且每个所述磁极件对应靠近一个所述磁性件设置,所述磁极件为聚磁结构,两个所述磁极件和两个所述磁性件形成所述闭合磁路。

14、在本专利技术的一些实施例中,所述磁极件与所述第一本体内的凸台固定连接,所述磁极件包括锥台部和延展部,所述延展部设于所述锥台部的大端的边沿且向所述锥台部的径向外侧延伸,所述锥台部的小端向背离所述磁性件的一侧延伸。

15、在本专利技术的一些实施例中,所述锥台部的锥度为b,其中,b∈[60°,70°];

16、并且/或者所述锥台部沿其轴向设有中心孔,所述中心孔的直径为d,其中,d∈[7mm,9.8mm]。

17、在本专利技术的一些实施例中,所述支架包括:

18、u型架;

19、底座,所述底座以可拆卸的方式与所述u型架的开口端配合,所述u型架上设有一个所述磁性件,所述底座上设有另一个所述磁性件,并且两个磁性件对应设置,所述u型架、所述底座以及两个所述磁性件形成所述闭合磁路。

20、本专利技术的第二方面提出了一种微波烹饪器具,所述微波烹饪器具包括根据如上所述的微波发生装置。

21、根据本专利技术的微波烹饪器具,两个磁性件以及真空管的第一本体均设置在安装空间内,并且真空管的第一本体设于两个磁性件所形成的闭合磁路的中部区域内,一个磁性件所产生的磁场经中部区域向另一个磁性件传递。第一磁性体和第二磁性体构成磁性件,并且第一磁性体设置在第二磁性体的内侧,由于第一磁性体的磁偏角大于第二磁性体的磁偏角,当一个磁性件向另一个磁性件进行导磁时,磁场被有效汇聚在中部区域,使得中部区域的磁场强度得到了增大,从而在不改变微波发生装置体积的前提下,提高了微波发生装置的输出功率。

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【技术保护点】

1.一种微波发生装置,其特征在于,所述微波发生装置包括:

2.根据权利要求1所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一磁性体设有中心过孔,所述真空管穿设于所述中心过孔并与所述中心过孔间隙配合。

3.根据权利要求1所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一磁性体为钐钴合金件、铝镍钴合金件、铂钴合金件或钕铁硼合金件。

4.根据权利要求1所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一磁性体的磁偏角为A,其中,A∈[85°,95°]。

5.根据权利要求4所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一磁性体的磁偏角为A,其中,A=90°。

6.根据权利要求1所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一磁性体的厚度和所述第二磁性体的厚度相等;

7.根据权利要求6所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一磁性体的厚度为h,其中,h=4mm。

8.根据权利要求1所述的微波发生装置,其特征在于,所述磁路组件还包括两个磁极件,两个所述磁极件间隔安装在所述第一本体内,并且每个所述磁极件对应靠近一个所述磁性件设置,所述磁极件为聚磁结构,两个所述磁极件和两个所述磁性件形成所述闭合磁路。

9.根据权利要求8所述的微波发生装置,其特征在于,所述磁极件与所述第一本体内的凸台固定连接,所述磁极件包括锥台部和延展部,所述延展部设于所述锥台部的大端的边沿且向所述锥台部的径向外侧延伸,所述锥台部的小端向背离所述磁性件的一侧延伸。

10.根据权利要求9所述的微波发生装置,其特征在于,所述锥台部的锥度为b,其中,b∈[60°,70°];

11.根据权利要求1至10任一项所述的微波发生装置,其特征在于,所述支架包括:

12.一种微波烹饪器具,其特征在于,所述微波烹饪器具包括根据权利要求1至11任一项所述的微波发生装置。

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【技术特征摘要】

1.一种微波发生装置,其特征在于,所述微波发生装置包括:

2.根据权利要求1所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一磁性体设有中心过孔,所述真空管穿设于所述中心过孔并与所述中心过孔间隙配合。

3.根据权利要求1所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一磁性体为钐钴合金件、铝镍钴合金件、铂钴合金件或钕铁硼合金件。

4.根据权利要求1所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一磁性体的磁偏角为a,其中,a∈[85°,95°]。

5.根据权利要求4所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一磁性体的磁偏角为a,其中,a=90°。

6.根据权利要求1所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一磁性体的厚度和所述第二磁性体的厚度相等;

7.根据权利要求6所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一磁性体的厚度为h,其中,h=4mm。

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【专利技术属性】
技术研发人员:何盼刘志勇徐师斌唐相伟
申请(专利权)人:广东威特真空电子制造有限公司
类型:发明
国别省市:

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