【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及对主体成像的成像装置。
技术介绍
1、在成像装置中，像素的密度增加，并且开发用于抑制电荷泄漏的技术。此外，存在获得图像平面相位差以便实现自动聚焦的装置。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：jp 2018-93992a
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题
2、存在对能够增加像素的密度并且改变成像倍率的成像装置的需求。因此，本公开提供一种能够增加像素的密度并且改变成像倍率的成像装置。
3、问题的解决方案
4、为了解决该问题，根据本公开，提供了一种成像装置，包括：
5、多个像素块，各自具有包括相同颜色的滤色器的多个光接收像素，并且所述多个光接收像素被划分为各自包括两个光接收像素的多个像素对；以及
6、多个透镜，分别设置在对应于所述多个像素对的位置处，其中
7、像素块包括光电转换器与转移晶体管的多个组合，所述转移晶体管的一组端连接至所述光电转换器；
8、像素块还包括：
9、第一浮动扩散，连接至多个所述转移晶体管的另一组端；
10、分离晶体管，具有连接至所述第一浮动扩散的一端；
11、第二浮动扩散，连接至所述分离晶体管的另一端；以及
12、复位晶体管，所述复位晶体管的一端连接至所述分离晶体管的另一端，并且所述复位晶体管的另一端被提供有预定电位。
13、分离晶体管可以被置于断开状态并
14、根据复位晶体管的连接状态，可以使多个转移晶体管中的至少一个进入连接状态。
15、当复位晶体管可以处于连接状态时，由于复位晶体管的栅极和第一浮动扩散之间的第一寄生电容，第一浮动扩散的电位可以变得更高。
16、在使分离晶体管和复位晶体管进入连接状态之后，分离晶体管可进入断开状态，并且根据分离晶体管的断开状态，转移晶体管中的至少一个可进入连接状态。
17、在分离晶体管和复位晶体管被置于连接状态之后，分离晶体管可被置于断开状态，复位晶体管可被置于断开状态，并且根据复位晶体管的重新连接，转移晶体管中的至少一个可被置于连接状态。
18、在分离晶体管和复位晶体管被置于连接状态之后，分离晶体管可被置于断开状态，并且根据分离晶体管的断开，转移晶体管中的至少一个可被置于连接状态。
19、当转移晶体管被置于连接状态时，转移晶体管的栅极和转移晶体管的另一端之间的第二寄生电容可以增加第一浮动扩散的电位。
20、当将存储在连接到转移晶体管的一端的光电转换器中的电荷转移到第一浮动扩散时，电荷已经被转移到的其他转移晶体管可以被置于连接状态。
21、对应于电荷已经被传输至其的另一转移晶体管的第二寄生电容可以被配置为大于对应于电荷接下来将被传输至其的转移晶体管的第二寄生电容。
22、图像数据还可包括：
23、放大晶体管，所述放大晶体管具有连接至所述第一浮动扩散的栅极；
24、选择晶体管，具有连接至所述放大晶体管的一端以及连接至信号线的另一端；以及
25、电压控制电路，当所述转移晶体管被置于连接状态时控制所述信号线的电压。
26、当多个转移晶体管被置于连接状态时，其中多个转移晶体管处于连接状态的时段可以不重叠。
27、当将存储在连接到转移晶体管的一端的光电转换器中的电荷转移到第一浮动扩散时，可以将电荷已经转移到的另一转移晶体管置于连接状态。
28、当将存储在多个光电转换器中的电荷传送至至少第一浮动扩散时，多个转移晶体管的连接状态的时段可以不重叠。
29、成像装置还可包括：
30、放大晶体管，所述放大晶体管具有连接至所述第一浮动扩散的栅极；
31、选择晶体管，具有连接至所述放大晶体管的一端以及连接至信号线的另一端；以及
32、电压控制电路，当所述转移晶体管被置于连接状态时控制所述信号线的电压。
33、两个光接收像素可在第一方向上平行布置，并且
34、在所述多个像素块中的每个像素块中，沿与所述第一方向相交的第二方向布置的所述两个像素对可被布置为沿所述第一方向偏移。
35、所述多个像素块可包括第一像素块和第二像素块，
36、在所述第一像素块中，所述多个光接收像素可以以第一布置图案被布置，
37、在所述第二像素块中，所述多个光接收像素可以以第二布置图案被布置。
38、第一像素块中的多个光接收像素的数目可大于第二像素块中的多个光接收像素的数目，并且
39、包括在第一像素块中的多个光接收像素可包括绿色滤色器。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种成像装置，包括：
2.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
3.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
4.根据权利要求3所述的成像装置，其中，
5.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
6.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
7.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
8.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
9.根据权利要求8所述的成像装置，其中，
10.根据权利要求9所述的成像装置，其中，
11.根据权利要求1所述的成像装置，进一步包括：
12.根据权利要求8所述的成像装置，其中，
13.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
14.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
15.根据权利要求1所述的成像装置，进一步包括：
16.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
17.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
18.根据权利要求17所述的成像装置，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种成像装置，包括：
2.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
3.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
4.根据权利要求3所述的成像装置，其中，
5.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
6.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
7.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
8.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
9.根据权利要求8所述的成像装置，其中，
10.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊东恭佑，牧平俊久，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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