【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，且更确切地涉及一种用在半导体制程保护的抗静电pvc保护膜；
技术介绍
1、聚氯乙烯薄膜是聚氯乙烯树脂与其它改性剂经过压延工艺或吹塑工艺制成，一般厚度为0.08-0.2mm，由于有较好的综合性能，在我国工业农业生产中具有广泛的应用。另外，由于高分子材料是电的不良导体，是形成静电积累，造成静电损害的根源；聚氯乙烯薄膜良好的绝缘性导致其在使用过程中容易累积静电荷，所以对聚氯乙烯薄膜的抗静电性能要求日趋迫切。
2、已知技术中，对物品特别是膜材赋予抗静电性能的方法有：在构成物品的原料中添加碳黑、金属粉末、导电性金属氧化物等导电性填料、界面活性剂、离子液体等方法，以及在物品表面设置含有导电性填料的抗静电层、由界面活性剂所构成的抗静电层等方法。但是上述各种方法存在有各式各样的问题:例如为增加膜材的导电性而在抗静电涂料中添加金属或非金属的导电粒子来降低表面电阻，然而粒子或粉末常会影响膜材的光学性质，导致其透明度变差，进而影响光学产品的效果。另外，在膜材的硬化过程中容易因硬化不完全而使得表面硬度不足，而在构成物品的原料中添加界面活性剂或离子液体等方法，其抗静电性能容易受到环境气氛湿度的影响，亦有因水、醇类等的洗净，使由界面活性剂或离子液体构成的抗静电层消失、因摩擦而容易脱落的耐久性不足或是膜材起白雾而影响透明度等问题。
技术实现思路
1、针对上述存在的问题，本专利技术公开一种用在半导体制程保护的抗静电pvc保护膜，包括被配置为消除静电的静电消除层和布置在静电消除
2、为了实现上述技术效果，本专利技术采用以下技术方案：
3、一种用在半导体制程保护的抗静电pvc保护膜，其特征在于：所述抗静电pvc保护膜包括：
4、静电消除层，通过静电中和理论来消除半导体器件的静电；所述静电消除层的材料采用8万高分子量pvc，pvc抗张强度为60mpa，冲击强度为5～10kj/m2，pvc具有介电性能；
5、粘合剂层，通过辊将静电消除层附着到粘合剂层上，以防止气泡或褶皱的发生；所述粘合剂层包括基板、第一粘合剂和第二粘合剂，并且第一粘合剂和第二粘合剂分别涂覆在基板的上表面和下表面；基材的材料包括棉纸、聚对苯二甲酸乙二醇酯或者pvc；第一粘合剂和所述第二粘合剂各自为丙烯酸粘合剂和丙烯酸胶乳。
6、作为本专利技术的进一步技术方案，所述静电消除层的表面与待进行静电消除的半导体器件表面之间的摩擦系数在0.1至1.8的范围内，静电消除层的表面硬度小于要经受静电消除的半导体器件表面硬度。
7、作为本专利技术的进一步技术方案，所述抗静电pvc保护膜还包括检测装置，所述检测装置用于检测静电消除层的表面的电阻。
8、作为本专利技术的进一步技术方案，所述一种用在半导体制程保护的抗静电pvc保护膜为抗静电pvc复合材料保护膜，包括pvc分子和石墨烯分子。
9、作为本专利技术的进一步技术方案，所述抗静电pvc复合材料保护膜的制备方法为溶液浇铸和溶剂蒸发，步骤包括：
10、(s1)pvc在25℃下的四氢呋喃中溶解48小时，得到浓度为6％的pvc溶液；
11、(s2)超声破碎仪通过频率为20khz、振幅为40％的超声波在20℃下将石墨烯分散在10cm3的四氢呋喃中30分钟，得到均匀的石墨烯分散体；
12、(s3)均化器以8000rpm的转速混合期间，将30cm3的pvc溶液添加到制备的石墨烯分散体中得到pvc/gn混合体，并进一步超声处理60分钟；
13、(s4)将pvc/gn混合体浇铸到直径为10cm的培养皿上，进行24小时60℃的蒸发，最终得到抗静电pvc复合材料保护膜。
14、在制成抗静电pvc复合材料保护膜过程中，通过计算器实时计算数据信息，使用线性方程校准计算器，计算方程为：
15、y＝mx+c (1)
16、在公式(1)中，y表示抗静电pvc复合材料测量值，m表示抗静电pvc保护膜材料校准系数，x表示抗静电pvc保护膜材料高分子量pvc、粘合剂混合成稀释剂和热固性松香改性聚氨酯的测量值，c是抗静电pvc保护膜材料误差系数；
17、初始测量时：
18、
19、在公式(2)中，y1与y2分别表示粘合剂和高分子量pvc的膜性能测量值，x1与x2分别表示粘合剂和高分子量pvc的抗静电pvc保护膜材料测量高分子量pvc、基板、第一粘合剂和第二粘合剂的测量值；
20、将这些初始值插入方程式(1)中，以查找梯度m值，计算出计算器校准方程式值为：
21、y＝-5.505x+28.66 (3)
22、当y与设置阈值之差的绝对值小于1，则表示pvc复合材料保护膜无异常。
23、作为本专利技术的进一步技术方案，所述抗静电pvc复合材料保护膜的平均厚度为0.07mm-0.003mm，厚度测量使用电子测微螺杆进行，精度为0.001mm。
24、作为本专利技术的进一步技术方案，所述抗静电pvc复合材料保护膜上剩有四氢呋喃残留物，将抗静电pvc复合材料保护膜在真空干燥器中在65℃的减压环境下干燥6周，实现四氢呋喃残留物的去除工作。
25、本专利技术有益的积极效果在于：
26、抗静电pvc保护膜上可设置检测装置，用于检测静电消除层的表面的电阻，当静电消除层失效或达到使用寿命时，用户可直接从平台上移除防静电膜，并在其上贴上新的防静电膜，实时解决了半导体器件表面被静电击穿的问题采用溶液浇铸和溶剂蒸发抗制备静电pvc复合材料保护膜，本专利技术抗静电pvc保护膜绿色环保，易操作，生产连续，适合工业化生产。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜，其特征在于：所述抗静电PVC保护膜包括：
2.根据权利要求1所述的一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜，其特征在于：所述静电消除层的表面与待进行静电消除的半导体器件表面之间的摩擦系数在0.1至1.8的范围内，静电消除层的表面硬度小于要经受静电消除的半导体器件表面硬度。
3.根据权利要求1所述的一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜，其特征在于：所述抗静电PVC保护膜还包括检测装置，所述检测装置用于检测静电消除层的表面的电阻。
4.根据权利要求1所述的一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜，其特征在于：所述一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜为抗静电PVC复合材料保护膜，包括PVC分子和石墨烯分子。
5.根据权利要求4所述的一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜，其特征在于：所述抗静电PVC复合材料保护膜的制备方法为溶液浇铸和溶剂蒸发，溶液浇铸和溶剂蒸发步骤包括：
6.根据权利要求4所述的一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜，其特征在于：所述抗静
7.根据权利要求4所述的一种用在半导体制程保护的抗静电PVC保护膜，其特征在于：所述抗静电PVC复合材料保护膜上剩有四氢呋喃残留物，将抗静电PVC复合材料保护膜在真空干燥器中在65℃的减压环境下干燥6周，实现四氢呋喃残留物的去除工作。
...【技术特征摘要】
1.一种用在半导体制程保护的抗静电pvc保护膜，其特征在于：所述抗静电pvc保护膜包括：
2.根据权利要求1所述的一种用在半导体制程保护的抗静电pvc保护膜，其特征在于：所述静电消除层的表面与待进行静电消除的半导体器件表面之间的摩擦系数在0.1至1.8的范围内，静电消除层的表面硬度小于要经受静电消除的半导体器件表面硬度。
3.根据权利要求1所述的一种用在半导体制程保护的抗静电pvc保护膜，其特征在于：所述抗静电pvc保护膜还包括检测装置，所述检测装置用于检测静电消除层的表面的电阻。
4.根据权利要求1所述的一种用在半导体制程保护的抗静电pvc保护膜，其特征在于：所述一种用在半导体制程保护的抗静电pvc保护膜为抗静电pvc复合材料保护膜，...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。