【技术实现步骤摘要】
根据本专利技术的实施例的一个或多个方面涉及供电调制器，例如，涉及与用于功率放大器的供电调制器相关的系统和方法。
技术介绍
1、开关模式电源(smps)提供稳压dc电源，该稳压dc电源可以为给定尺寸、成本和重量的功率单元提供更多功率，并用于各种电子设备，包括计算机和需要稳定高效的电源的其它敏感设备。smps效率高，并且使用以高频接通和断开的开关设备、以及在开关设备处于非导通状态时供电的存储部件来转换电力。
2、在本
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对本专利技术背景的理解，因此可以包含不构成现有技术的信息。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
是为了介绍将在以下详细描述中进一步描述的本公开的实施例的特征和构思的选择。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护主题的关键特征或基本特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。所描述的特征中的一个或多个特征可以与一个或多个其它描述的特征组合以提供可工作的设备。
2、本公开的示例实施例的方面涉及一种与功率放大器的供电调制器相关的系统和方法。
3、根据本公开的一些示例实施例，一种装置包括：升降压转换器；第一降压转换器，连接在升降压转换器的输出端子处；第二降压转换器，连接在升降压转换器的输出端子处；第一线性放大器(la)，包括与升降压转换器的输出端子连接的第一供电电压输入、以及与第一降压转换器的输出端子连接的输出端子，其中第一la被配置为经由第一la的输出端子向第一发送器的第一功率放大器(pa)提供第一调制供电电压
4、根据一些示例实施例，该装置还包括：第一开关模块，包括第一开关和第二开关；以及第二开关模块，包括第三开关和第四开关，其中第一开关的第一端子和第二开关的第一端子连接到第一降压转换器的输出端子，第三开关的第一端子和第四开关的第一端子连接到第二降压转换器的输出端子，第一开关的第二端子和第三开关的第二端子连接到升降压转换器的输出端子，并且第二开关的第二端子和第四开关的第二端子彼此连接。
5、根据一些示例实施例，第一开关、第二开关、第三开关和第四开关是p沟道金属氧化物半导体(pmos)晶体管、或n沟道金属氧化物半导体(nmos)晶体管、或互补mos(cmos)晶体管。
6、根据一些示例实施例，该装置还包括：第一电容器，连接在第一开关的第二端子或第三开关的第二端子与地之间，其中第一开关的第二端子和第三开关的第二端子连接在一起；以及第二电容器，连接在第二开关的第二端子或第四开关的第二端子与地之间。根据一些示例实施例，第一电容器的电容在0.1μf至10μf之间，并且第二电容器的电容在0.1uf至10uf之间。
7、根据一些示例实施例，升降压转换器包括：第一p型或互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管，第一p型或cmos晶体管的源极端子连接到电池电压；第一个n型晶体管，第一n型晶体管的漏极端子连接到第一p型或cmos晶体管的漏极端子，并且第一n型晶体管的源极端子连接到地；第二p型或cmos晶体管，第二p型或cmos晶体管的源极端子连接到升降压转换器的输出端子；第二n型晶体管，第二n型晶体管的漏极端子连接到第二p型或cmos晶体管的漏极端子，并且第二n型晶体管的源极端子连接到地；以及，第一电感器，连接在第一p型或cmos晶体管的漏极端子和第二p型或cmos晶体管的漏极端子之间，其中第一电感器的电感在0.1μh至10μh之间，并且第一电感器的载流能力大于1a。
8、根据一些示例实施例，第一降压转换器包括：第一p型晶体管，第一p型晶体管的源极端子连接到电池电压；第一n型晶体管，第一n型晶体管的漏极端子连接到第一p型晶体管的漏极端子，并且第一n型晶体管的源极端子连接到地；第二p型晶体管，其中第二p型晶体管的漏极端子与第一p型晶体管的漏极端子和第一n型晶体管的漏极端子连接，并且第二p型晶体管的源极端子连接到升降压转换器的输出端子；以及第二电感器，连接在第二p型晶体管的漏极端子和第一降压转换器的输出端子之间，其中第二电感器的电感在0.1μh至10μh之间，并且第二电感器的载流能力大于1a。
9、根据一些示例实施例，第二降压转换器包括：第一p型晶体管，第一p型晶体管的源极端子连接到电池电压；第一n型晶体管，第一n型晶体管的漏极端子连接到第一p型晶体管的漏极端子，并且第一n型晶体管的源极端子连接到地；第二p型晶体管，其中第二p型晶体管的漏极端子与第一p型晶体管的漏极端子和第一n型晶体管的漏极端子连接，并且第二p型晶体管的源极端子连接到升降压转换器的输出端子；以及第三电感器，连接在第二p型晶体管的漏极端子和第二降压转换器的输出端子之间，其中第三电感器的电感在0.1μh至10μh之间，并且第三电感器的载流能力大于1a。
10、根据一些示例实施例，该装置被配置为在平均功率跟踪(apt)模式下或在包络跟踪(et)模式下操作。
11、根据一些示例实施例，一种系统包括升降压转换器、连接在升降压转换器的输出端子处的第一降压转换器、以及连接在升降压转换器的输出端子处的第二降压转换器。根据一些示例实施例，该系统还包括：第一线性放大器(la)，包括与升降压转换器的输出端子连接的第一供电电压输入、以及与第一降压转换器的输出端子连接的输出端子；第二la，包括与升降压转换器的输出端子连接的第二供电电压输入、以及与第二降压转换器的输出端子连接的输出端子。
12、根据一些示例实施例，第一la被配置为经由第一la的输出端子向第一发送器的第一功率放大器(pa)提供第一调制供电电压，并且第二la被配置为经由第二la的输出端子向第二发送器的第二pa提供第二调制供电电压。
13、根据一些示例实施例，该系统还包括：第一开关模块，包括第一开关和第二开关；以及第二开关模块，包括第三开关和第四开关，其中，第一开关的第一端子和第二开关的第一端子连接到第一降压转换器的输出端子，第三开关的第一端子和第四开关的第一端子连接到第二降压转换器的输出端子，第一开关的第二端子和第三开关的第二端子连接到升降压转换器的输出端子，第二开关的第二端子和第四开关的第二端子彼此连接，其中第一开关、第二开关、第三开关和第四开关是p沟道金属氧化物半导体(pmos)晶体管、或n沟道金属氧化物半导体(nmos)晶体管、或互补mos(cmos)晶体管。
14、根据一些示例实施例，该系统还包括：第一电容器，连接在第一开关的第二端子或第三开关的第二端子与地之间，其中第一开关的第二端子和第三开关的第二端子连接在一起；以及第二电容器，连接在第二开关的第二端子或第四开关的第二端子与地之间，其中第一电容器的电容在0.1μf至10μf之间，并且第二电容器的电容在0.1μf至10μf之间。
15、根据一些示例实施例，升降压转换器包括：第一p型或本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于供电调制的系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，还包括：
3.根据权利要求2所述的系统，其中，所述第一线性放大器被配置为经由所述第一线性放大器的所述输出端子向第一发送器的第一功率放大器提供第一调制供电电压，并且所述第二线性放大器被配置为经由所述第二线性放大器的所述输出端子向第二发送器的第二功率放大器提供第二调制供电电压。
4.根据权利要求3所述的系统，还包括：
5.根据权利要求4所述的系统，还包括：
6.根据权利要求2所述的系统，其中所述升降压转换器包括：
7.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一降压转换器包括：
8.根据权利要求2所述的系统，其中所述第二降压转换器包括：
【技术特征摘要】
1.一种用于供电调制的系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，还包括：
3.根据权利要求2所述的系统，其中，所述第一线性放大器被配置为经由所述第一线性放大器的所述输出端子向第一发送器的第一功率放大器提供第一调制供电电压，并且所述第二线性放大器被配置为经由所述第二线性放大器的所述输出端子向第二发送器的第二功率放大器...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹容植，野见山贵弘，朱映奂，金东秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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