System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 固能微型谐振器及其制备方法、滤波器及通信设备技术_技高网

固能微型谐振器及其制备方法、滤波器及通信设备技术

技术编号:40953928 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-18 20:29
固能微型谐振器及其制备方法、滤波器及通信设备。固能微型谐振器包括:第一电极层;第二电极层;堆叠在第一电极层和第二电极层之间的压电层和布拉格反射层。布拉格反射层堆叠在第一电极层远离压电层的一侧;布拉格反射层包括:至少一个堆叠结构。堆叠结构包括:多个堆叠设置的声阻层;多个堆叠设置的声阻层中包括相邻的第一声阻层和第二声阻层;第一声阻层中的晶体材料的组成成分与第二声阻层中的晶体材料的组成成分相同,第一声阻层与第二声阻层可以采用一套材料生长机台,因此,布拉格反射层制备工艺简单,良率较高,制备成本低。相应的包含该布拉格反射层的谐振器制备工艺简单,良率较高,制备成本低。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及声波选频,尤其涉及固能微型谐振器及其制备方法、滤波器及通信设备


技术介绍

1、薄膜体声波谐振器(film bulk acoustic resonator,fbar),为电学信号的选频器件,应用于无线通信设备中。

2、通常,fbar的温度变化会对fbar的选频性能产生不良的影响。固能微型谐振器(solid-mounted resonator,smr),因其具有良好的散热性能。因此,通信设备多采用smr用于电学信号的选频。

3、smr可以包括:第一电极层、第二电极层堆叠在第一电极层和第二电极层之间的压电层和设置在第二电极层一侧的布拉格反射层。其中,布拉格反射层用于实现体声波的隔离,进而将体声波限制在压电层内,以使得压电层可以较好的利用体声波实现电学信号的选频。

4、通常,布拉格反射层包括:交替堆叠设置的高声阻层和低声阻层。高声阻层和低声阻层之间形成一个界面,体声波传播至高声阻层与低声阻层形成的界面时会发生反射,返回压电层,进而布拉格反射层可以实现声学隔离。

5、因此,目前公开的布拉格反射层采用至少两种材料制成,其中,一种材料用于形成高声阻层,另一种材料用于形成低声阻层。这就导致布拉格反射层的制备过程中至少要采用两套材料生长机台,其中,一套材料生长机台采用密度较高的材料制备高声阻层,另一套材料生长机台采用低度较高的材料制备低声阻层,这就导致布拉格反射层的制备工艺繁琐,进而使得smr的制备工艺繁琐。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种固能微型谐振器及其制备方法、滤波器及通信设备。固能微型谐振器的布拉格反射层采用组成成分相同的晶体材料制备,因此制备工艺简单。

2、本申请实施例第一方面提供一种固能微型谐振器,包括:第一电极层;第二电极层;堆叠在第一电极层和第二电极层之间的压电层;布拉格反射层,布拉格反射层堆叠在第一电极层远离压电层的一侧;布拉格反射层包括:至少一个堆叠结构;

3、堆叠结构包括:多个堆叠设置的声阻层;其中,多个堆叠设置的声阻层中包括相邻的第一声阻层和第二声阻层,第一声阻层的声速与第二声阻层的声速不同;

4、第一声阻层与第二声阻层均采用晶体材料,第一声阻层中的晶体材料的组成成分与第二声阻层中的晶体材料的组成成分相同;第一声阻层中的晶体材料的晶体结构与第二声阻层中的晶体材料的晶体结构不同。

5、本实现方式中,固能微型谐振器可以包括:第一电极层、第二电极层堆叠在第一电极层和第二电极层之间的压电层和设置在第二电极层一侧的布拉格反射层。布拉格反射层可以包括:堆叠结构。堆叠结构包括:多个堆叠设置的声阻层;多个堆叠设置的声阻层中包括相邻的第一声阻层和第二声阻层;第一声阻层与第二声阻层均采用晶体材料,第一声阻层中的晶体材料的组成成分与第二声阻层中的晶体材料的组成成分相同;第一声阻层中的晶体材料的晶体结构与第二声阻层中的晶体材料的晶体结构不同。布拉格反射层中第一声阻层中的晶体材料的晶体结构与第二声阻层中的晶体材料晶体结构不同,导致第一声阻层与第二声阻层具有不同的声速。第一声阻层与第二声阻层的声速的差异,致使在第一声阻层与第二声阻层相邻的位置形成界面a。体声波传播至第一声阻层与第二声阻层形成的界面a时会发生反射,使得体声波反射至压电层中,进而将体声波较好的限制在压电层的内部传播,进而可以保证谐振器可以较好的利用体声波实现电学选频的目的。进一步的,由于,第一声阻层中的晶体材料的组成成分与第二声阻层中的晶体材料的组成成分相同,第一声阻层与第二声阻层可以采用一套材料生长机台,因此,布拉格反射层制备工艺简单,良率较高,制备成本低。相应的包含该布拉格反射层的谐振器制备工艺简单,良率较高,制备成本低。

6、结合第一方面的第一种实现方式,晶体结构由多个晶胞按照预定的晶面取向堆积而成,晶体结构的不同包括:晶胞的结构不同,和/或,晶胞的晶面取向不同。

7、结合第一方面的第二种实现方式,还包括:填充于堆叠结构周围的填充层,填充层采用晶体材料,填充层中的晶体材料的组成成分与第一声阻层中的晶体材料的组成成分相同。

8、本实现方式中,填充层填充于堆叠结构周围,因此,填充层可以与堆叠结构的第一声阻层和/或第一声阻层形成竖直方向上的界面,竖直方向的界面可以反射剪切波,进而可以减少剪切波的横向泄漏。进一步的,剪切波经过多次反射后,剪切波的横向分量逐渐被衰减,剪切波的纵向分量逐渐得到加强。因此,布拉格反射层具有的较佳的声学隔离性能,布拉格反射层可以将体声波较好的限制在压电层的内部传播,进而可以保证谐振器可以较好的利用体声波实现电学选频的目的。

9、结合第一方面的第三种实现方式,填充层中的晶体材料的晶体结构与第一声阻层中的晶体材料的晶体结构不同,且填充层中的晶体材料的晶体结构与第二声阻层中的晶体材料的晶体结构不同,填充层的声速与第一声阻层的声速不同,填充层的声速与第二声阻层的声速不同。

10、本实现方式中,填充层中的晶体材料的晶体结构与第一声阻层中的晶体材料的晶体结构不同,并且,填充层填充于堆叠结构周围,填充层可以与堆叠结构的第一声阻层形成竖直方向上的界面,竖直方向上的界面可以反射剪切波,进而可以减少剪切波的横向泄漏。进一步的,剪切波经过多次反射后,剪切波的横向分量逐渐被衰减,剪切波的纵向分量逐渐得到加强。因此,本实现方式提供的布拉格反射层具有的较佳的声学隔离性能。

11、填充层中的晶体材料的晶体结构与第二声阻层中的晶体材料的晶体结构不同,并且,填充层填充于堆叠结构周围。填充层可以与堆叠结构的第二声阻层形成竖直方向上的界面,竖直方向上的界面可以反射剪切波,进而可以减少剪切波的横向泄漏。进一步的,剪切波经过多次反射后,剪切波的横向分量逐渐被衰减,剪切波的纵向分量逐渐得到加强。因此,本实现方式提供的布拉格反射层具有的较佳的声学隔离性能。

12、布拉格反射层可以将体声波较好的限制在压电层的内部传播,进而可以保证谐振器可以较好的利用体声波实现电学选频的目的。

13、结合第一方面的第四种实现方式,填充层与多个堆叠结构的第二声阻层一体成型,填充层中的晶体材料的晶体结构与多个堆叠结构的第二声阻层中的晶体材料的晶体结构相同,填充层的声速与多个堆叠结构的第二声阻层的声速相同。

14、本实现方式中,布拉格反射层还包括填充层。由于,填充层中的晶体材料的晶体结构与第二声阻层中的晶体材料的晶体结构相同,可以确定填充层中的晶体材料的晶体结构与第一声阻层中的晶体材料的晶体结构不同。填充层填充于堆叠结构周围,填充层可以与堆叠结构的第一声阻层形成竖直方向上的界面,竖直方向上的界面可以反射剪切波,进而可以减少剪切波的横向泄漏。进一步的,剪切波经过多次反射后,剪切波的横向分量逐渐被衰减,剪切波的纵向分量逐渐得到加强。因此,本实现方式提供的布拉格反射层具有的较佳的声学隔离性能。布拉格反射层可以将体声波较好的限制在压电层的内部传播,进而可以保证谐振器可以较好的利用体声波实现电学选频本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种固能微型谐振器,其特征在于,包括:第一电极层;第二电极层;堆叠在所述第一电极层和所述第二电极层之间的压电层;布拉格反射层,所述布拉格反射层堆叠在所述第一电极层远离所述压电层的一侧;

2.根据权利要求1所述的固能微型谐振器,其特征在于,所述晶体结构由多个晶胞按照预定的晶面取向堆积而成,所述晶体结构的不同包括:所述晶胞的结构不同,和/或,所述晶胞的晶面取向不同。

3.根据权利要求1或2所述的固能微型谐振器,其特征在于,还包括:填充于所述堆叠结构周围的填充层,所述填充层采用晶体材料,所述填充层中的晶体材料的组成成分与所述第一声阻层中的晶体材料的组成成分相同。

4.根据权利要求3所述的固能微型谐振器,其特征在于,所述填充层中的晶体材料的晶体结构与所述第一声阻层中的晶体材料的晶体结构不同,且所述填充层中的晶体材料的晶体结构与所述第二声阻层中的晶体材料的晶体结构不同,所述填充层的声速与所述第一声阻层的声速不同,所述填充层的声速与所述第二声阻层的声速不同。

5.根据权利要求3所述的固能微型谐振器,其特征在于,所述填充层与多个所述堆叠结构的第二声阻层一体成型,所述填充层中的晶体材料的晶体结构与多个所述堆叠结构的第二声阻层中的晶体材料的晶体结构相同,所述填充层的声速与多个所述堆叠结构的第二声阻层的声速相同。

6.根据权利要求1~5任一项所述的固能微型谐振器,其特征在于,所述第一声阻层的声速大于所述第二声阻层的声速;

7.根据权利要求1~6任一项所述的固能微型谐振器,其特征在于,所述第一声阻层采用的晶体材料包括含有硼元素的化合物。

8.根据权利要求1~6任一项所述的固能微型谐振器,其特征在于,所述第一声阻层采用的晶体材料包括氮化硼、氮化铝。

9.一种固能微型谐振器的制备方法,其特征在于,包括:

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:

11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述填充层中的晶体材料的晶体结构与所述第一声阻层中的晶体材料的晶体结构不同,且所述填充层中的晶体材料的晶体结构与所述第二声阻层中的晶体材料的晶体结构不同,所述填充层的声速与所述第一声阻层的声速不同,所述填充层的声速与所述第二声阻层的声速不同。

12.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述填充层与多个所述堆叠结构的第二声阻层一体成型,所述填充层中的晶体材料的晶体结构与多个所述堆叠结构的第二声阻层中的晶体材料的晶体结构相同,所述填充层的声速与多个所述堆叠结构的第二声阻层的声速相同。

13.一种固能微型谐振器的制备方法,其特征在于,包括:

14.一种滤波器,其特征在于,包括:至少一个如权利要求1~8任一项所述的固能微型谐振器。

15.一种通信设备,其特征在于,包括,主板和与所述主板连接的射频收发器;

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【技术特征摘要】

1.一种固能微型谐振器,其特征在于,包括:第一电极层;第二电极层;堆叠在所述第一电极层和所述第二电极层之间的压电层;布拉格反射层,所述布拉格反射层堆叠在所述第一电极层远离所述压电层的一侧;

2.根据权利要求1所述的固能微型谐振器,其特征在于,所述晶体结构由多个晶胞按照预定的晶面取向堆积而成,所述晶体结构的不同包括:所述晶胞的结构不同,和/或,所述晶胞的晶面取向不同。

3.根据权利要求1或2所述的固能微型谐振器,其特征在于,还包括:填充于所述堆叠结构周围的填充层,所述填充层采用晶体材料,所述填充层中的晶体材料的组成成分与所述第一声阻层中的晶体材料的组成成分相同。

4.根据权利要求3所述的固能微型谐振器,其特征在于,所述填充层中的晶体材料的晶体结构与所述第一声阻层中的晶体材料的晶体结构不同,且所述填充层中的晶体材料的晶体结构与所述第二声阻层中的晶体材料的晶体结构不同,所述填充层的声速与所述第一声阻层的声速不同,所述填充层的声速与所述第二声阻层的声速不同。

5.根据权利要求3所述的固能微型谐振器,其特征在于,所述填充层与多个所述堆叠结构的第二声阻层一体成型,所述填充层中的晶体材料的晶体结构与多个所述堆叠结构的第二声阻层中的晶体材料的晶体结构相同,所述填充层的声速与多个所述堆叠结构的第二声阻层的声速相同。

6.根据权利要求1~5任一项所述的固能微型谐振器,其特征在于,所述第一声阻层的...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄宣棋侯航天高宗智
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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