【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种电源保护电路和具有电源保护功能的电源转换系统，尤其涉及一种具有电源保护功能的电源转换系统。
技术介绍
1、在现有技术中，电源转换器中的桥式整流器可将一交流输入电压整流以产生一直流电压和一接地电压，其中交流输入电压可以是110vac、220vac或230vac的市电，以及接地电压可做为电源转换器中0v的参考电位。
2、一般线性降压电路大多是使用高压晶体管做为主要承受高电压元件，使得后端控制电路与一些低压元件不会受损，但是晶体管如果在高电压下并且是晶体管在开的状态，这时晶体管会因为超过承受功率而损毁，因此如何使线性电源转换器在较高交流输入电压(250v～265v)的条件下仍可正常运作已成为一项重要课题。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种电源保护电路。上述的电源保护电路包含一控制电压产生电路、一电容及一第一开关。上述的控制电压产生电路电性连接在一输入端与一参考端之间，且根据上述的输入端的一输入电压产生一控制电压；上述的电容电性连接上述的电源保护电路的一输出端和上述的参考端之间；及上述的第一开关，具有一第一端、一第二端和一控制端，其中上述的第一开关的第一端电性连接上述的输入端，上述的第一开关的第二端电性连接上述的电源保护电路的输出端，上述的第一开关的控制端电性连接上述的控制电压产生电路以接收上述的控制电压，以及当上述的输入电压大于一预定值时，上述的控制电压产生电路产生上述的控制电压，且上述的第一开关根据上述的控制电压开启以使上述的电源保护电路的输出端输出
2、在本公开的一实施例中，上述的控制电压产生电路包含一第一电阻、一第二电阻及一齐纳二极管。上述的第一电阻电性连接在上述的输入端和一分压节点之间；上述的第二电阻电性连接上述的第一开关的控制端和上述的分压节点之间；及上述的齐纳二极管电性连接上述的分压节点和上述的参考端之间，其中当上述的输入电压大于上述的预定值时，上述的第二电阻电性连接上述的第一开关的控制端的一端产生上述的控制电压，以及上述的预定值为上述的齐纳二极管的崩溃电压。
3、在本公开的一实施例中，上述的控制电压产生电路包含一第二开关、一第三电阻、一第四电阻、一第五电阻及一第六电阻。上述的第二开关具有一第一端、一第二端和一控制端，其中上述的第二开关的第二端电性连接上述的参考端，以及上述的第二开关的控制端电性连接一分压节点；上述的第三电阻电性连接上述的输入端和上述的分压节点之间；上述的第四电阻电性连接上述的分压节点和上述的参考端之间，其中上述的第三电阻和上述的第四电阻根据上述的输入端的输入电压产生一分压；上述的第五电阻电性连接上述的输入端和上述的第二开关的第二端之间；及上述的第六电阻具有一第一端和一第二端，其中上述的第六电阻的第一端电性连接上述的第二开关的第二端，上述的第六电阻的第二端电性连接上述的第一开关的控制端，以及当上述的第二开关根据上述的分压开启时，上述的第六电阻的第二端产生上述的控制电压。
4、在本公开的一实施例中，上述的第二开关为一n型高电子迁移率晶体管(highelectron mobility transistor，hemt)或为一n型场效应晶体管(field-effecttransistor，mosfet)。
5、在本公开的一实施例中，上述的第一开关为一pnp型双极晶体管(bipolartransistor)。
6、本公开的另一实施例提供一种电源转换系统。上述的电源转换系统包含一电源转换器和一电源保护电路。上述的电源转换器至少包含电性连接在上述的电源转换器的输出端的一晶体管和一第一电容，其中上述的晶体管受控于上述的第一电容上的电压；及上述的电源保护电路包含一控制电压产生电路、一第二电容及一第一开关。上述的控制电压产生电路包含一输入端，电性连接在上述的电源转换器的输出端，其中上述的控制电压产生电路经由上述的输入端电性连接在上述的电源转换器的输出端与一参考端之间，且根据上述的电源转换器的输出端的一输出电压产生一控制电压；上述的第二电容电性连接上述的电源保护电路的输出端和上述的参考端之间；及上述的第一开关具有一第一端、一第二端和一控制端，其中上述的第一开关的第一端电性连接上述的电源转换器的输出端，上述的第一开关的第二端电性连接上述的电源保护电路的输出端，上述的第一开关的控制端电性连接上述的控制电压产生电路以接收上述的控制电压，以及当上述的电源转换器的输出端的输出电压高于一预定值时，上述的控制电压产生电路产生上述的控制电压，且上述的第一开关根据上述的控制电压开启以使上述的电源保护电路的输出端输出一输出电压。
7、在本公开的一实施例中，上述的控制电压产生电路包含一第一电阻、一第二电阻及一齐纳二极管。上述的第一电阻电性连接在上述的电源转换器的输出端和一分压节点之间；上述的第二电阻电性连接上述的第一开关的控制端和上述的分压节点之间；及上述的齐纳二极管，电性连接上述的分压节点和上述的参考端之间，其中当上述的电源转换器的输出端的输出电压大于上述的预定值时，上述的第二电阻电性连接上述的第一开关的控制端的一端产生上述的控制电压，以及上述的预定值为上述的齐纳二极管的崩溃电压。
8、在本公开的一实施例中，上述的控制电压产生电路包含一第二开关、一第三电阻、一第四电阻、一第五电阻及一第六电阻。上述的第二开关具有一第一端、一第二端和一控制端，其中上述的第二开关的第二端电性连接上述的参考端，以及上述的第二开关的控制端电性连接一分压节点；上述的第三电阻电性连接上述的电源转换器的输出端和上述的分压节点之间；上述的第四电阻电性连接上述的分压节点和上述的参考端之间，其中上述的第三电阻和上述的第四电阻根据上述的电源转换器的输出端的上述的输出电压产生一分压；上述的第五电阻电性连接上述的电源转换器的输出端和上述的第二开关的第二端之间；及上述的第六电阻，具有一第一端和一第二端，其中上述的第六电阻的第一端电性连接上述的第二开关的第二端，上述的第六电阻的第二端电性连接上述的第一开关的控制端，以及当上述的第二开关根据上述的分压开启时，上述的第六电阻的第二端产生上述的控制电压。
9、在本公开的一实施例中，上述的第二开关和上述的晶体管为n型高电子迁移率晶体管或为n型场效应晶体管(上述的第二开关和上述的晶体管为双数)。
10、在本公开的一实施例中，上述的第一开关为一pnp型双极晶体管。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电源保护电路，包含：
2.如权利要求1所述的电源保护电路，其中该控制电压产生电路包含：
3.如权利要求1所述的电源保护电路，其中该控制电压产生电路包含：
4.如权利要求3所述的电源保护电路，其中该第二开关为N型高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)或为N型场效应晶体管(field-effecttransistor，MOSFET)。
5.如权利要求1所述的电源保护电路，其中该第一开关为PNP型双极晶体管(bipolartransistor)。
6.一种电源转换系统，包含：
7.如权利要求6所述的电源转换系统，其中该控制电压产生电路包含：
8.如权利要求6所述的电源转换系统，其中该控制电压产生电路包含：
9.如权利要求6所述的电源转换系统，其中该第二开关和该晶体管为N型高电子迁移率晶体管或为N型场效应晶体管。
10.如权利要求6所述的电源转换系统，其中该第一开关为PNP型双极晶体管。
【技术特征摘要】
1.一种电源保护电路，包含：
2.如权利要求1所述的电源保护电路，其中该控制电压产生电路包含：
3.如权利要求1所述的电源保护电路，其中该控制电压产生电路包含：
4.如权利要求3所述的电源保护电路，其中该第二开关为n型高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)或为n型场效应晶体管(field-effecttransistor，mosfet)。
5.如权利要求1所述的电源保护电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：王圣博，
申请(专利权)人：嘉和半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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