【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体管测试领域，特别是涉及一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法。
技术介绍
1、氮化镓功率器件凭借其高频、高压、耐高温的优势已经广泛应用于功率变换电路。目前有两种商用的常关型氮化镓高电子迁移率晶体管，分别是共源共栅结构和p型氮化镓栅极高电子迁移率晶体管结构，其中p型氮化镓栅极高电子迁移率晶体管结构寄生电感较小，已广泛应用。通过控制变量法研究发现，p型氮化镓栅极高电子迁移率晶体管受到不同漏极电压应力值、漏极应力时间时导通电阻不同。
2、为充分了解p型氮化镓栅极高电子迁移率晶体管在某电压应力时长、电压应力、电流应力时的导通电阻，一般使用双脉冲电路进行表征。双脉冲电路包括直流电源、稳压电容、功率电感、二极管、待测晶体管。双脉冲电路测试方法为在待测晶体管栅极施加两个连续的脉冲，使待测晶体管连续开关两次，晶体管导通时高压电源给功率电感充电，晶体管关断时，功率电感中电流经过二极管续流并逐渐放电。控制待测晶体管第一次的开启时长可以精准控制第一次功率电感充电结束时的电流，待测晶体管第一次的导通时长一般为2到10 μs。随后...
【技术保护点】
1.一种纳秒量级延时的功率器件测试电路，其特征在于，包括：双脉冲测试电路，应力时长控制电路和接口控制电路；
2.如权利要求1所述的纳秒量级延时的功率器件测试电路，其特征在于，所述双脉冲测试电路包括高压电源、电容、功率电感、续流二极管和辅助晶体管；
3.如权利要求2所述的纳秒量级延时的功率器件测试电路，其特征在于，所述续流二极管的负极连接所述应力时长控制电路的桥臂中点，正极连接所述辅助晶体管。
4.如权利要求2所述的纳秒量级延时的功率器件测试电路，其特征在于，所述应力时长控制电路包括第一晶体管和第二晶体管；
5.如权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种纳秒量级延时的功率器件测试电路，其特征在于，包括：双脉冲测试电路，应力时长控制电路和接口控制电路；
2.如权利要求1所述的纳秒量级延时的功率器件测试电路，其特征在于，所述双脉冲测试电路包括高压电源、电容、功率电感、续流二极管和辅助晶体管；
3.如权利要求2所述的纳秒量级延时的功率器件测试电路，其特征在于，所述续流二极管的负极连接所述应力时长控制电路的桥臂中点，正极连接所述辅助晶体管。
4.如权利要求2所述的纳秒量级延时的功率器件测试电路，其特征在于，所述应力时长控制电路包括第一晶体管和第二晶体管；
5.如权利要求4所述的纳秒量级延时的功率器件测试电路，其特征在于，所述接口控制电路包括第三晶体管和肖特基二极管；
6.一种纳秒量级延时的功率器件测试方法，使用如权利要求1-5中任一所述的纳秒量级延时的功率器件测试电路，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的纳秒量级延时的功率器件测试方法，其特征在于，所述通过应力时长控制电路控制待测晶体管的漏极电压应力时长，具体包括：测试不同时间段内的待测晶体管的特性，在初始时间段0~t1，关断所述应力时长控制电路中的第一晶体管、所述双脉冲测试电路中的辅助晶体管和所述待测晶体管，并将所述应力时长控制电路中的第二晶体管和接口控制电路中的第三晶体管导通，使得所述待测晶体管漏极电压为0v；在时间段t1~t2，依次关断第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐曦，胡志昊，谭琨，朱文杰，胡存刚，曹文平，赵长辉，李浩然，郭素霞，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：
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