【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及闪存存储领域，尤其涉及闪存存储方法、设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
1、固态硬盘(ssd)由一些闪存芯片组成，每个闪存芯片分为多个块，每个块又由许多存储单元组成。在一些情况下，当ssd需要向某个存储单元写入数据时，闪存控制器会首先将该存储单元所在块的数据全部擦除，然后再将新数据写入到该存储单元中。
2、每个存储单元都有一个阈值电压，用来区分数据的擦除和写入。传统操作中，由于每一次擦除编程对每个存储单元中氧化层产生磨损，使得数据在给定时间内无法保持，最终影响ssd的寿命。
3、上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种闪存存储方法、设备及计算机可读存储介质，旨在解决传统操作中，由于每一次擦除编程对每个存储单元中氧化层产生磨损，使得数据在给定时间内无法保持，最终影响ssd的寿命的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种闪存存储方法，所述闪存存储...
【技术保护点】
1.一种闪存存储方法，其特征在于，所述闪存存储方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的闪存存储方法，其特征在于，所述根据所述保留时长和所述闪存块的擦除次数，确定所述待存储数据的目标擦除电压参数和目标编程电压参数的步骤包括：
3.如权利要求2所述的闪存存储方法，其特征在于，所述基于预先设定的所述时长区间与所述闪存块的擦除次数的对应关系，确定所述待存储数据的目标擦除电压参数和目标编程电压参数的步骤之前，还包括：
4.如权利要求1所述的闪存存储方法，其特征在于，所述根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，并基于所述目标编程电压参数将所...
【技术特征摘要】
1.一种闪存存储方法，其特征在于，所述闪存存储方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的闪存存储方法，其特征在于，所述根据所述保留时长和所述闪存块的擦除次数，确定所述待存储数据的目标擦除电压参数和目标编程电压参数的步骤包括：
3.如权利要求2所述的闪存存储方法，其特征在于，所述基于预先设定的所述时长区间与所述闪存块的擦除次数的对应关系，确定所述待存储数据的目标擦除电压参数和目标编程电压参数的步骤之前，还包括：
4.如权利要求1所述的闪存存储方法，其特征在于，所述根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，并基于所述目标编程电压参数将所述待存储数据写入所述闪存块的步骤包括：
5.如权利要求1所述的闪存存储方法，其特征在于，所述在接收到待存储数据时，确定所述待存储数据所需的保留时长和闪存块的擦除次数的步骤包括：
6.如权利要求1所述的闪存存储方法，其特征在于，所述根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪...
【专利技术属性】
技术研发人员：温典，叶敏，吴大畏，李晓强，
申请(专利权)人：得一微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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