【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，特别是涉及一种太阳能电池硅片的常压氧化退火方法、硅片及电池。
技术介绍
1、在太阳能电池制备过程中，一般会在碱抛工序后增加氧化及退火工序，以提高电池片的抗电势诱导衰减特性、提升电池片效率。
2、但是，现有氧化退火工艺对硅片晶格缺陷修复效果不佳，容易出现杂质复合中心聚集发暗的问题，导致硅片效率、良率较低，制约了行业发展。
3、因此，现有技术还有待改进。
技术实现思路
1、本专利技术实施例所要解决的技术问题是提供一种太阳能电池硅片的常压氧化退火方法、硅片及电池，以解决现有氧化退火工艺对硅片晶格缺陷修复效果不佳的技术问题。
2、为了解决上述问题，本专利技术是通过如下技术方案实现的：
3、本专利技术提出了一种太阳能电池硅片的常压氧化退火方法，其中，包括：
4、在常压条件下，依次对炉管中待处理的硅片进行升温、氧化处理；
5、在常压条件下，对氧化处理后的硅片进行阶梯降温退火处理；
6、其中，所...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池硅片的常压氧化退火方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的常压氧化退火方法，其特征在于，所述升温处理具体包括：
3.根据权利要求1所述的常压氧化退火方法，其特征在于，所述氧化处理具体包括：
4.根据权利要求1所述的常压氧化退火方法，其特征在于，所述降温梯度为10℃。
5.根据权利要求4所述的常压氧化退火方法，其特征在于，所述阶梯降温退火处理具体包括：
6.根据权利要求1所述的常压氧化退火方法，其特征在于，在升温之前，所述方法还包括：
7.根据权利要求1～6任一所述的常压...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池硅片的常压氧化退火方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的常压氧化退火方法，其特征在于，所述升温处理具体包括：
3.根据权利要求1所述的常压氧化退火方法，其特征在于，所述氧化处理具体包括：
4.根据权利要求1所述的常压氧化退火方法，其特征在于，所述降温梯度为10℃。
5.根据权利要求4所述的常压氧化退火方法，其特征在于，所述阶梯降温退火处理具体包括：
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪振鲁，
申请(专利权)人：一道新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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