【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料,尤其涉及一种金属硫族合金化合物魔力尺寸簇及其制备方法。
技术介绍
1、胶体半导体量子点由于具有良好的发光性能,是现代光电子学器件的基础。半导体材料的合金化是调节材料光学性能的有效办法。合金化可以调整晶格常数以及能带结构,进而调节光学带隙,因此通过合金化在宽能量范围内调谐光学带隙为合金半导体在各种光电子器件中的应用开辟了广阔的前景。
2、目前,对于金属硫族合金半导体的合成还是以热注入方法为主,但是由于反应前驱物活性的不同会导致在合金形成过程中分布不均匀,同时反应条件微小的变化都会导致合金中元素比例和分布的不同,大大降低了实验的重复性,从而影响电子和空穴的行为,使得所得到的产物与理论预测有很大差别。例如,锌硫族化合物作为一类重要的宽带隙半导体材料,它们是重要的紫外区和蓝光区发光材料。根据理论预测,通过调节锌硫族合金化合物中合金元素的比例,znsete合金的最小光学带隙可以达到2.03ev(znse0.37te0.63),znste的最小光学带隙可以达到1.90ev(zns0.32te0.68),有望使锌
...【技术保护点】
1.一种金属硫族合金化合物魔力尺寸簇的制备方法,包括以下步骤:将硫族单质溶解到氨基膦中,得到硫族前体溶液;所述硫族单质包括硫粉、硒粉和碲粉中的一种或多种;所述氨基膦为三(二甲胺基)膦或三(二乙氨基)膦;
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述金属前驱体中的金属元素包括Zn、Cd、Hg、Pb、Sn、In、Ga、Cu、Ag、Au、Mn、Fe、Co、Ni、Pd和Pt中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硫族前体溶液中硫族单质与金属前驱物中金属元素的摩尔比为1:1。
4.根据权利要求1所述的制备方法
...【技术特征摘要】
1.一种金属硫族合金化合物魔力尺寸簇的制备方法,包括以下步骤:将硫族单质溶解到氨基膦中,得到硫族前体溶液;所述硫族单质包括硫粉、硒粉和碲粉中的一种或多种;所述氨基膦为三(二甲胺基)膦或三(二乙氨基)膦;
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述金属前驱体中的金属元素包括zn、cd、hg、pb、sn、in、ga、cu、ag、au、mn、fe、co、ni、pd和pt中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硫族前体溶液中硫族单质与金属前驱物中金属元素的摩尔比为1:1。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述有机胺和1-十八烯的体积比优选为1:1。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法,其特...
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