一种军用3KW脉冲电源模块制造技术

本技术涉及脉冲电源技术领域，具体是一种军用3KW脉冲电源模块，所述电源模块通过滤波电路电性连接过欠压保护电路，所述过欠压保护电路电性连接并联DC/DC模块组，所述并联DC/DC模块组通过电流电压采样电路电性连接MCU控制电路，所述并联DC/DC模块组包括有多个DC/DC模块，多个所述DC/DC模块彼此相互并联，同时每个所述DC/DC模块均通过隔离光耦与MCU控制电路电性连接，且每个所述DC/DC模块均输出直流电压。本技术的电源板输入电压、电流和温度通过12C总线，将数字信号传输至422通信芯片进行实时监测，再经过422通信芯片将输入电压、电流和温度循环上报至客户端控制系统，实现控制系统对电源板的输入电压、电流及温度数据进行实时监测。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及脉冲电源，具体是一种军用3kw脉冲电源模块。

技术介绍

1、用户负载需要断续进行加电，即按照一定的时间规律，向负载加电一定时间，然后又断电一定时间，通断一次形成一个周期。如此反复执行，构成脉冲电源。脉冲电源在进行工作的过程中，其经过慢储能，使初级能源具有足够的能量后，向中间储能和脉冲成形系统充电或流入能量，同时能量经过储存、压缩、形成脉冲或转化后，快速放电至负载。在此过程中，需要时刻关注电源板的各项工作状态，以防电源板发生故障。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种军用3kw脉冲电源模块，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、本技术的技术方案是：一种军用3kw脉冲电源模块，包括有电源模块，所述电源模块通过滤波电路电性连接过欠压保护电路，所述过欠压保护电路电性连接并联dc/dc模块组，所述并联dc/dc模块组通过电流电压采样电路电性连接mcu控制电路，所述并联dc/dc模块组包括有多个dc/dc模块，多个所述dc/dc模块彼此相互并联，同时每个所述dc/dc模块均通过隔离光耦与mcu控制电路电性连接，且每个所述dc/dc模块均输出直流电压。

3、更进一步地讲，所述并联dc/dc模块包括有正压dc/dc模块和负压dc/dc模块，所述正压dc/dc模块电性连接固态电容及滤波电路，所述固态电容及滤波电路均输出直流正压，所述负压dc/dc模块输出直流负压。

4、更进一步地讲，所述隔离光耦通过on/off控制信号电路与mcu控制电路电性连接。

5、更进一步地讲，所述并联dc/dc模块电性连接电压采样电路，所述电压采样电路电性连接mcu控制电路。

6、更进一步地讲，所述正压dc/dc模块包括有+28v电压dc/dc模块和+5v电压dc/dc模块，所述+28v电压dc/dc模块和+5v电压dc/dc模块均电性连接固态电容及滤波电路；

7、所述负压dc/dc模块包括有-28v电压dc/dc模块和-5v电压dc/dc模块，所述-28v电压dc/dc模块输出直流-28v电压，所述-5v电压dc/dc模块输出直流-5v电压。

8、更进一步地讲，所述+28v电压dc/dc模块包括有芯片m1、芯片m1a、芯片m5和芯片m5a，所述芯片m1的vin+端口电性连接电容c95、电感l14和芯片m1a的vin+端口，所述电感l14电性连接电容c94，所述芯片m1的on/off端口电性连接芯片m1a的on/off端口、芯片m5a的芯片m1a的on/off端口、芯片m5的on/off端口、电阻r75、电阻r80、电容c107和晶体管q17的集电极，所述晶体管q17的发射级电性连接电容c107，所述晶体管q17的基极电性连接电阻r78和电阻r79，所述电阻r78电性连接电感l3、电容c31、芯片m5的vin+端口和芯片m5a的vin+端口，所述电感l3电性连接电容c35，所述电阻r80电性连接光耦u7的输出端，所述光耦u7的输入端电性连接电阻r37和电阻r38，所述芯片m1的share+端口电性连接芯片m5的share+端口，所述芯片m1的share-端口电性连接芯片m5的share-端口，所述芯片m1的vin-端口通过电容c106电性连接芯片m1a的s-端口、芯片m1a的vout-端口、芯片m1的s-端口、芯片m1的vout-端口、电阻r7、电容c97和电容c105，所述电阻r7电性连接电阻r5、芯片m1的trim端口和芯片m1a的trim端口，所述电阻r5电性连接芯片m1a的s+端口、芯片m1a的vout+端口、芯片m1的s+端口、芯片m1的vout+端口、电容c97和电感l13；

9、所述芯片m5的vout+端口和芯片m5的s+端口均电性连接电阻r24、电容c38、电感l2、芯片m5a的vout+端口和芯片m5a的s+端口，所述电阻r24电性连接电阻r74、芯片m5的trim端口和芯片m5a的trim端口，所述电容c38电性连接电容c40、芯片m5的vout-端口、芯片m5的s-端口、芯片m5a的vout-端口、芯片m5a的s-端口、电容c42和电阻r35，所述电阻r35电性连接电阻r33和二极管d11。

10、更进一步地讲，所述+5v电压dc/dc模块包括有芯片m2，所述芯片m2的vin+端口电性连接电阻r85、电容c46和电感l5，所述电感l5电性连接电容c45，所述电阻r85电性连接电阻r86和晶体管q18的基极，所述晶体管q18的发射级通过电容c30电性连接晶体管q18的集电极，所述晶体管q18的集电极电性连接电阻r84和电阻r87，所述电阻r87电性连接芯片m2的on/off端口和光耦u8的输出端，所述光耦u8的输入端电性连接电阻r41和电阻r43，所述芯片m2的vin-端口通过电容c50电性连接芯片m2的vo-端口、sense-端口、电阻r81、电容c47、电容c48、电容c49和电阻r40，所述电容c47通过电感l4电性连接电容c48，所述电阻r40电性连接电阻r39和二极管d12，所述电阻r81电性连接电阻r29和芯片m2的trim端口，所述电阻r29电性连接芯片m2的sense+端口、芯片m2的vo+端口和电容c47。

11、更进一步地讲，所述-5v电压dc/dc模块包括有芯片m4，所述芯片m4的vin+端口电性连接电感l10、电阻r92和电容c70，所述电感l10电性连接电容c66，所述电阻r92电性连接电阻r95和晶体管q20的基极，所述晶体管q20的发射级通过电容c77电性连接晶体管q20的集电极、电阻r93、电阻r94和芯片m4的on/off端口，所述电阻r95电性连接电阻r94和光耦u13的输出端，所述光耦u13的输入端电性连接电阻r68和电阻r71，所述芯片m4的vin-端口通过电容c76接地，所述芯片m4的vo+端口电性连接电阻r83、电容c72和电容c73，所述电阻r83电性连接芯片m4的trim端口和电阻r32，所述电阻r32电性连接芯片m4的vo-端口、电容c72和电感l11，所述电感l11电性连接电容c73、电容c74和电阻r58，所述电阻r58电性连接电阻r55和二极管d10，所述二极管d10接地。

12、更进一步地讲，所述-28v电压dc/dc模块包括有芯片u17，所述芯片u17的vdd2端口电性连接电容c100和电容c101，所述电容c100、电容c101和芯片u17的gnd2端口均接地，所述芯片u17的a端口电性连接电阻r200和电阻r202，所述电阻r200通过电阻r203电性连接芯片u17的y端口，所述电阻r202电性连接芯片u17的b端口，所述芯片u17的b端口通过电阻r201接地，所述芯片u17的z端口电性连接电阻r204和电阻r205，所述电阻r204接地，所述电阻r205电性连接芯片u17的y端口，所述芯片u17的gnd2端口电性连接芯片u17的gnd1端口，所述芯片u17的gnd1端口接地，所述芯片u17的d端口电性连接芯片u17本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种军用3KW脉冲电源模块，其特征在于，包括有电源模块，所述电源模块通过滤波电路电性连接过欠压保护电路，所述过欠压保护电路电性连接并联DC/DC模块组，所述并联DC/DC模块组通过电流电压采样电路电性连接MCU控制电路，所述并联DC/DC模块组包括有多个DC/DC模块，多个所述DC/DC模块彼此相互并联，同时每个所述DC/DC模块均通过隔离光耦与MCU控制电路电性连接，且每个所述DC/DC模块均输出直流电压。

2.根据权利要求1所述的一种军用3KW脉冲电源模块，其特征在于，所述并联DC/DC模块包括有正压DC/DC模块和负压DC/DC模块，所述正压DC/DC模块电性连接固态电容及滤波电路，所述固态电容及滤波电路均输出直流正压，所述负压DC/DC模块输出直流负压。

3.根据权利要求1所述的一种军用3KW脉冲电源模块，其特征在于，所述隔离光耦通过on/off控制信号电路与MCU控制电路电性连接。

4.根据权利要求1或2所述的一种军用3KW脉冲电源模块，其特征在于，所述并联DC/DC模块电性连接电压采样电路，所述电压采样电路电性连接MCU控制电路。

5.根据权利要求2所述的一种军用3KW脉冲电源模块，其特征在于，所述正压DC/DC模块包括有+28V电压DC/DC模块和+5V电压DC/DC模块，所述+28V电压DC/DC模块和+5V电压DC/DC模块均电性连接固态电容及滤波电路；

6.根据权利要求5所述的一种军用3KW脉冲电源模块，其特征在于，所述+28V电压DC/DC模块包括有芯片M1、芯片M1A、芯片M5和芯片M5A，所述芯片M1的Vin+端口电性连接电容C95、电感L14和芯片M1A的Vin+端口，所述电感L14电性连接电容C94，所述芯片M1的On/off端口电性连接芯片M1A的On/off端口、芯片M5A的芯片M1A的On/off端口、芯片M5的On/off端口、电阻R75、电阻R80、电容C107和晶体管Q17的集电极，所述晶体管Q17的发射级电性连接电容C107，所述晶体管Q17的基极电性连接电阻R78和电阻R79，所述电阻R78电性连接电感L3、电容C31、芯片M5的Vin+端口和芯片M5A的Vin+端口，所述电感L3电性连接电容C35，所述电阻R80电性连接光耦U7的输出端，所述光耦U7的输入端电性连接电阻R37和电阻R38，所述芯片M1的share+端口电性连接芯片M5的share+端口，所述芯片M1的share-端口电性连接芯片M5的share-端口，所述芯片M1的Vin-端口通过电容C106电性连接芯片M1A的s-端口、芯片M1A的Vout-端口、芯片M1的s-端口、芯片M1的Vout-端口、电阻R7、电容C97和电容C105，所述电阻R7电性连接电阻R5、芯片M1的Trim端口和芯片M1A的Trim端口，所述电阻R5电性连接芯片M1A的s+端口、芯片M1A的Vout+端口、芯片M1的s+端口、芯片M1的Vout+端口、电容C97和电感L13；

7.根据权利要求5所述的一种军用3KW脉冲电源模块，其特征在于，所述+5V电压DC/DC模块包括有芯片M2，所述芯片M2的Vin+端口电性连接电阻R85、电容C46和电感L5，所述电感L5电性连接电容C45，所述电阻R85电性连接电阻R86和晶体管Q18的基极，所述晶体管Q18的发射级通过电容C30电性连接晶体管Q18的集电极，所述晶体管Q18的集电极电性连接电阻R84和电阻R87，所述电阻R87电性连接芯片M2的ON/OFF端口和光耦U8的输出端，所述光耦U8的输入端电性连接电阻R41和电阻R43，所述芯片M2的VIN-端口通过电容C50电性连接芯片M2的VO-端口、SENSE-端口、电阻R81、电容C47、电容C48、电容C49和电阻R40，所述电容C47通过电感L4电性连接电容C48，所述电阻R40电性连接电阻R39和二极管D12，所述电阻R81电性连接电阻R29和芯片M2的TRIM端口，所述电阻R29电性连接芯片M2的SENSE+端口、芯片M2的Vo+端口和电容C47。

8.根据权利要求5所述的一种军用3KW脉冲电源模块，其特征在于，所述-5V电压DC/DC模块包括有芯片M4，所述芯片M4的Vin+端口电性连接电感L10、电阻R92和电容C70，所述电感L10电性连接电容C66，所述电阻R92电性连接电阻R95和晶体管Q20的基极，所述晶体管Q20的发射级通过电容C77电性连接晶体管Q20的集电极、电阻R93、电阻R94和芯片M4的ON/OFF端口，所述电阻R95电性连接电阻R94和光耦U13的输出端，所述光耦U13的输入端电性连接电阻R68和电阻R71，所述芯片M4的...

【技术特征摘要】

1.一种军用3kw脉冲电源模块，其特征在于，包括有电源模块，所述电源模块通过滤波电路电性连接过欠压保护电路，所述过欠压保护电路电性连接并联dc/dc模块组，所述并联dc/dc模块组通过电流电压采样电路电性连接mcu控制电路，所述并联dc/dc模块组包括有多个dc/dc模块，多个所述dc/dc模块彼此相互并联，同时每个所述dc/dc模块均通过隔离光耦与mcu控制电路电性连接，且每个所述dc/dc模块均输出直流电压。

2.根据权利要求1所述的一种军用3kw脉冲电源模块，其特征在于，所述并联dc/dc模块包括有正压dc/dc模块和负压dc/dc模块，所述正压dc/dc模块电性连接固态电容及滤波电路，所述固态电容及滤波电路均输出直流正压，所述负压dc/dc模块输出直流负压。

3.根据权利要求1所述的一种军用3kw脉冲电源模块，其特征在于，所述隔离光耦通过on/off控制信号电路与mcu控制电路电性连接。

4.根据权利要求1或2所述的一种军用3kw脉冲电源模块，其特征在于，所述并联dc/dc模块电性连接电压采样电路，所述电压采样电路电性连接mcu控制电路。

5.根据权利要求2所述的一种军用3kw脉冲电源模块，其特征在于，所述正压dc/dc模块包括有+28v电压dc/dc模块和+5v电压dc/dc模块，所述+28v电压dc/dc模块和+5v电压dc/dc模块均电性连接固态电容及滤波电路；

6.根据权利要求5所述的一种军用3kw脉冲电源模块，其特征在于，所述+28v电压dc/dc模块包括有芯片m1、芯片m1a、芯片m5和芯片m5a，所述芯片m1的vin+端口电性连接电容c95、电感l14和芯片m1a的vin+端口，所述电感l14电性连接电容c94，所述芯片m1的on/off端口电性连接芯片m1a的on/off端口、芯片m5a的芯片m1a的on/off端口、芯片m5的on/off端口、电阻r75、电阻r80、电容c107和晶体管q17的集电极，所述晶体管q17的发射级电性连接电容c107，所述晶体管q17的基极电性连接电阻r78和电阻r79，所述电阻r78电性连接电感l3、电容c31、芯片m5的vin+端口和芯片m5a的vin+端口，所述电感l3电性连接电容c35，所述电阻r80电性连接光耦u7的输出端，所述光耦u7的输入端电性连接电阻r37和电阻r38，所述芯片m1的share+端口电性连接芯片m5的share+端口，所述芯片m1的share-端口电性连接芯片m5的share-端口，所述芯片m1的vin-端口通过电容c106电性连接芯片m1a的s-端口、芯片m1a的vout-端口、芯片m1的s-端口、芯片m1的vout-端口、电阻r7、电容c97和电容c105，所述电阻r7电性连接电阻r5、芯片m1的trim端口和芯片m1a的trim端口，所述电阻r5电性连接芯片m1a的s+端口、芯片m1a的vout+端口、芯片m1的s+端口、芯片m1的vout+端口、电容c97和电感l13；

7.根据权利要求5所述的一种军用3kw脉冲电源模块，其特征在于，所述+5v电压dc/dc模块包括有芯片m2，所述芯片m...

【专利技术属性】
技术研发人员：李安然，朱俊杰，李宾辉，
申请(专利权)人：深圳市冠新科技有限公司，
类型：新型
国别省市：