PTAT偏置电流生成电路及芯片制造技术

本公开的实施例提供一种PTAT偏置电流生成电路及芯片。PTAT偏置电流生成电路包括：电流镜电路被配置为生成第一电流信号、第一电流信号的第一镜像信号以及第一电流信号的第二镜像信号，并经由第一节点将第一电流信号提供至电流产生电路、经由第二节点将第一镜像信号提供至电流产生电路、以及经由第三节点将第二镜像信号提供至钳位电路，其中，第一镜像信号等于第一电流信号；电流产生电路被配置为根据相等的第一电流信号与第一镜像信号，生成偏置电流，并经由第一节点将偏置电流提供至电流镜电路；电流镜电路还被配置为镜像输出所述偏置电流；钳位电路被配置为利用第二镜像信号，钳位第二节点的电压。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及集成电路，具体地涉及一种ptat偏置电流生成电路及芯片。

技术介绍

1、ptat(proportional to absolute temperature，与绝对温度成正比)电流是一种与温度成正比的偏置电流，其在集成电路设计中起着重要的作用，可以提供稳定的工作条件，并有效地抵消温度对电路性能的影响。

2、图1是一种常见的生成ptat偏置电流电路100的电路示意图。其中，pmos晶体管mp1、mp2、双极型晶体管q1、q2和电阻r1构成正反馈环路，但环路增益小于1，因此电路可以保持稳定。pmos晶体管mp1和mp2构成电流镜电路且宽长比一致，在不考虑沟道长度调制效应和厄利效应时，流过双极型晶体管q1和q2中的电流相等。双极型晶体管q1的基极发射极电压vbe记为vbe1，双极型晶体管q2的基极发射极电压vbe记为vbe2。a点电位即为vbe1，因此n点电位vn＝vbe1-vbe2。由于双极型晶体管q2的发射极面积是双极型晶体管q1的发射极面积的2倍，根据晶体管的电流公式ic＝is*e^(vbe/vt)，可以得到双极型晶体管q1和q本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种PTAT偏置电流生成电路，其特征在于，包括：电流镜电路、钳位电路与电流产生电路，

2.根据权利要求1所述的PTAT偏置电流生成电路，其特征在于，所述电流镜电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管与第四晶体管，

3.根据权利要求2所述的PTAT偏置电流生成电路，其特征在于，所述钳位电路包括：第五晶体管，

4.根据权利要求3所述的PTAT偏置电流生成电路，其特征在于，所述电流产生电路包括：第六晶体管、第七晶体管与第一电阻器，

5.根据权利要求2所述的PTAT偏置电流生成电路，其特征在于，所述第二晶体管的宽长比分别是所述第一晶体管、所...

【技术特征摘要】

1.一种ptat偏置电流生成电路，其特征在于，包括：电流镜电路、钳位电路与电流产生电路，

2.根据权利要求1所述的ptat偏置电流生成电路，其特征在于，所述电流镜电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管与第四晶体管，

3.根据权利要求2所述的ptat偏置电流生成电路，其特征在于，所述钳位电路包括：第五晶体管，

4.根据权利要求3所述的ptat偏置电流生成电路，其特征在于，所述电流产生电路包括：第六晶体管、第七晶体管与第一电阻器，

5.根据权利要求2所述的ptat偏置电流生成电路，其特征在于，所述第二晶体管的宽长比分别是所述第一晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管的宽长比的2倍。

6.根据权利要求5所述的ptat偏置电流生成电路，其特征在于，所述第二镜像信号是所述第一电流信号的2倍。

7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：