System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种纳米硅的制备方法技术_技高网

一种纳米硅的制备方法技术

技术编号:40922183 阅读:5 留言:0更新日期:2024-04-18 14:46
本发明专利技术公开了一种纳米硅的制备方法。本发明专利技术方法首先将二氧化硅颗粒、镁粉、氯化钠均匀混合后充分研磨,在管式炉中煅烧,得到硅固体混合物;用稀盐酸或稀硫酸浸泡后抽滤,去离子水洗涤过滤,研磨后得到微米硅粉末;将微米硅粉末与石墨烯粉末按照质量混合,球磨后分散于去离子水中,喷雾干燥后,得到混合粉末,在高温炭化炉中煅烧,得到高纯硅粉;用稀盐酸或稀硫酸浸泡后抽滤,去离子水洗涤过滤,将物料转移至鼓风干燥箱中干燥,得到纳米硅产品。本发明专利技术方法工艺简单,安全性高,能够降低生产成本,制得的产品纯度更高,粒子粒径更小,性能更优异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电池材料,涉及一种纳米硅的制备方法


技术介绍

1、锂离子电池具有高能量密度、高功率密度、长寿命以及环境友好等特点,目前锂离子主要采用石墨作为负极材料,但石墨的理论比容量较低,其理论比容量只有372mah/g,不能满足人们对高能量密度的需求。而硅材料具有高的理论比容量,高达4200mah/g,又比石墨材料更加的安全,成为下一代锂电负极材料的首选。但硅材料存在导电率低和充放电过程的体积膨胀大等问题,硅材料充放电过程中体积膨胀大于300%。对于硅基负极锂离子电池,硅的粒径越小,体积效应对电极的破坏性越小。当硅的粒径小于100nm时,电极的体积效应问题可得到有效解决。然而,昂贵的原料使得硅基负极难以实现商业化应用。

2、目前市场上制备微米硅的方法主要为激光法和硅烷裂解法。激光法制备的硅粒径可低至30nm,但价格高达2400万元/吨,设备昂贵且无法大批量生产,极大限制了硅材料在电池领域中的实际应用。硅烷裂解法制备的硅最大粒径仅为80nm,价格也高达1200万元/吨,且存在安全隐患,生产过程中产生的sih4和h2易燃易爆,整个系统必须要与氧气隔绝,不能与外界接触。因此,需要寻找一种更加经济、安全、高效的制备微米硅的方法,以促进硅基负极锂离子电池的发展和商业化应用。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种工艺简单,安全性高的纳米硅的制备方法,制得的产品纯度更高,粒子粒径更小,性能更优异。

2、本专利技术具体方法如下:

3、步骤(1)二氧化硅颗粒、镁粉、氯化钠按照质量比1:(4~20):(0.5~5)均匀混合后充分研磨,在管式炉中惰性气体保护下进行煅烧,得到硅固体混合物;煅烧温度600~800℃,升温速率5~20℃/min,煅烧时间4~8小时;

4、步骤(2)用浓度为1~4mol/l的稀盐酸或浓度为2~6mol/l的稀硫酸浸泡硅固体混合物10~60min,除去金属镁及氧化镁;浸泡后抽滤,将滤渣用去离子水洗涤过滤3~8次,除去氯化钠;50~80℃真空干燥12~48小时,研磨后得到微米硅粉末;

5、步骤(3)将微米硅粉末与石墨烯粉末按照质量比1:(0.1~1)混合,球磨机上球磨6~24小时,使石墨烯粉末与硅粉末充分混合,分散于去离子水中,喷雾干燥后,得到混合粉末;

6、步骤(4)将混合粉末置于高温炭化炉中,惰性气体保护下进行煅烧,得到高纯硅粉;煅烧温度1000~1300℃,升温速率10~50℃/min,煅烧时间8~12小时;

7、步骤(5)用浓度为1~4mol/l的稀盐酸或浓度为2~6mol/l的稀硫酸浸泡高纯硅粉0.5~5小时,浸泡后抽滤,将滤渣用去离子水洗涤过滤1~3次,将物料转移至鼓风干燥箱中干燥,得到纳米硅产品。

8、本专利技术方法原材料的来源丰富,能够有效降低生产成本,制备过程操作工艺简单,过程控制精确,适合大规模的生产,对于提高锂电池的性能和稳定性具有重要意义。本专利技术方法制备的纳米硅,粒径相比较于市面上的类似产品更小,d50粒径可达到30nm左右,纯度可达到99.9%,比表面积更大,微观结构上边缘更加的圆润,能够有效的解决在锂电池充放电过程中硅材料的体积膨胀那个问题,更好的与其他负极材料相结合,能够有效提高锂电池的放电比容量以及充放电效率,有效提升锂电池的循环性能。

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【技术保护点】

1.一种纳米硅的制备方法,其特征在于:

2.如权利要求1所述的一种纳米硅的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,煅烧温度600~800℃,升温速率5~20℃/min,煅烧时间4~8小时。

3.如权利要求1所述的一种纳米硅的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,煅烧温度1000~1300℃,升温速率10~50℃/min,煅烧时间8~12小时。

4.如权利要求1所述的一种纳米硅的制备方法,其特征在于:所述的惰性气体为氮气、氩气或氖气。

【技术特征摘要】

1.一种纳米硅的制备方法,其特征在于:

2.如权利要求1所述的一种纳米硅的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,煅烧温度600~800℃,升温速率5~20℃/min,煅烧时间4~8小时。

3.如权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:戎春勇田润冯登华
申请(专利权)人:湖州市吴兴区核源金属新材研究院
类型:发明
国别省市:

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