【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磨削工艺，具体而言，涉及一种用于半导体晶圆表面的磨削方法。
技术介绍
1、随着科技的飞速进步，半导体材料也在不断演化和完善。第三代半导体晶圆由于其禁带宽度大、高热导率、化学稳定性好、饱和电子迁移率高、导电性好等优点，成为高频、高温、高效大功率电子元器件的理想材料。
2、在半导体晶圆的制备过程中，磨削是一个至关重要的工艺步骤。由于半导体晶圆具有高硬度、大脆性和较好的化学稳定性，导致其磨削速率较慢。目前，半导体晶圆磨削的方法有多种，包括机械磨削、化学机械磨削、以及离子束、磁流变磨削等。但这些方法仍然存在一些挑战，特别是需要保证磨削后的表面几乎无损伤。
3、而现有技术中也提供了一些更为创新的思路。例如，电催化辅助化学机械的自放电磨料、电弧放电光纤研磨截面高精度操作方法、大型复杂金属表面等离子体与脉冲放电复合加工等，都是对去除半导体晶圆的氧化表面作出的独特贡献。因此，为了追求不断创新，为半导体制造业提供了更加先进和可靠的工艺，促进了半导体行业的快速发展，特提出本申请。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种用于半导体晶圆表面的磨削方法，以解决上述问题。
2、本专利技术采用了如下方案：
3、本申请提供了一种用于半导体晶圆表面的磨削方法，包括如下步骤：
4、s1：提供硬质磨粒，在硬质磨粒表面包覆导电层从而获得导电磨粒；
5、s2：将导电磨粒、金属颗粒和结合剂进行均匀混合以形成分散料；
...【技术保护点】
1.一种用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，所述导电磨粒分散在研磨盘的上表层和内部中，所述金属颗粒分散在研磨盘的内部中，且研磨盘内的基材形成有规则斜置且相互平行交叉的多孔间隙。
3.根据权利要求2所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，所述硬质磨粒为金刚石、CBN中的至少一种，其粒径为W3-W10。
4.根据权利要求3所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，通过磁控溅射的方式在硬质磨粒的表面包覆导电磨粒，使得导电磨粒在外表面形成导电层。
5.根据权利要求4所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，所述磁控溅射方式中的靶材为铜、铁、铝和银中的至少一种，且将固定于工作腔内的硬质磨粒加热至300-600℃，溅射时间为4-6min。
6.根据权利要求2所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，所述导电磨粒为铜、铁、铝和导电聚合物颗粒中的至少一种，其粒径为W3-W10；以及，所述结合剂包括环氧树脂、酚醛树脂和海藻酸钠
7.根据权利要求1所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，在步骤S1中，
8.根据权利要求1所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，在步骤S4中，
9.根据权利要求8所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，所述基材为发泡聚氨酯、纤维垫中的至少一种；以及，所述工作液为氯化钠溶液、氯化钾溶液中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，在步骤S4中，
...【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，所述导电磨粒分散在研磨盘的上表层和内部中，所述金属颗粒分散在研磨盘的内部中，且研磨盘内的基材形成有规则斜置且相互平行交叉的多孔间隙。
3.根据权利要求2所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，所述硬质磨粒为金刚石、cbn中的至少一种，其粒径为w3-w10。
4.根据权利要求3所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，通过磁控溅射的方式在硬质磨粒的表面包覆导电磨粒，使得导电磨粒在外表面形成导电层。
5.根据权利要求4所述的用于半导体晶圆表面的磨削方法，其特征在于，所述磁控溅射方式中的靶材为铜、铁、铝和银中的至少一种，且将固定于工作腔内的硬...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗求发，林典龙，王思容，陆静，柯聪明，黄辉，徐西鹏，
申请(专利权)人：华侨大学，
类型：发明
国别省市：
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