【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于薄膜制备，更具体地说，本专利技术涉及一种柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜及其制备方法。
技术介绍
1、当前，由于人类对于各种不可再生资源的过度开采和使用，能源短缺问题越来越突出，迫切需要解决。因此，开发新能源和使用清洁的可再生能源已经成为解决能源危机、减少环境污染的最佳策略。太阳能无疑是最受关注的可再生能源，其能量转化和利用一直受到广泛的关注。而在太阳能光的能量谱中，可见光部分占了43％。如何有效利用可见光进行光能转化、储存、传输，也是材料领域研究的前沿。近年来，国内外学者研究表明，具有abo3型钙钛矿或类钙钛矿结构的无机复合氧化物，如钙钛矿型结构的lanio3、lamno3等中均存在有较为明显的可见光电导效应，在发光通讯、光电探测器等应用领域受到广泛关注。
2、同时，随着科学技术的不断进步，越来越多的电子器件开始朝向超薄化、柔性化的方向发展，诸如卷起式显示器、可植入生物医学传感器、智能手机等。与传统的刚性电子器件相比，柔性电子器件具有便携、重量轻、可折叠、可拉伸甚至可穿戴等独特优势，已成为21世纪最受欢迎的电子...
【技术保护点】
1.一种柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜的制备方法，其特征在于，包括：使用钴源和镧源制备旋涂液，将旋涂液旋涂在柔性衬底上，烘干、烧结得到柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜。
2.如权利要求1所述的柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，钴源为硝酸钴、碳酸钴、草酸钴中的任意一种；
4.如权利要求2所述的柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，乙二胺四乙酸和钴源中钴离子的摩尔比为3：1；聚乙烯亚胺...
【技术特征摘要】
1.一种柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜的制备方法，其特征在于，包括：使用钴源和镧源制备旋涂液，将旋涂液旋涂在柔性衬底上，烘干、烧结得到柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜。
2.如权利要求1所述的柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，钴源为硝酸钴、碳酸钴、草酸钴中的任意一种；
4.如权利要求2所述的柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，乙二胺四乙酸和钴源中钴离子的摩尔比为3：1；聚乙烯亚胺与钴源中钴离子的摩尔比为9：1。
5.如权利要求2所述的柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，乙二胺四乙酸加入溶液后，搅拌20～60min，等待搅拌时将聚乙烯亚胺溶于去离子水中，再缓慢加入混合溶液中，其中聚乙烯亚胺与去离子水的摩尔体积比为1～12mmol：5～15ml。
6.如权利要求2所述的柔性钙钛矿型钴氧化物光电导薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤三中，将溶解后的混合溶液在室温下搅...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘海峰，邓婷，刘来宝，李婕，赵广源，付尹娇，郭宝刚，
申请(专利权)人：西南科技大学，
类型：发明
国别省市：
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