【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及电光聚合物领域，并且更特别地涉及一种电光聚合物器件，以及相关联的光器件或光集成电路。
技术介绍
1、光集成电路(pic)是下一代大规模高速光电集成器件和系统的总称，依靠成熟互补式金属氧化物半导体(cmos)工艺兼容的硅光子(sip)平台则可进一步实现pic的极低成本优势。pic中的核心功能是如何将高速电信号“转化为”光信号，进而通过pic中低损耗的光波导路由至链路端口，再转化为电信号输出。故pic中的核心器件包括将电信号转化为光信号的调制器、控制光信号传输方向的光路由器(光开关，滤波器等)、和将光信号转化回电信号的光探测器。其中，光调制器和光路由器都需要通过响应外加电信号来控制光的各种属性。然而，由于硅是中心对称晶体结构材料，天然缺乏二阶电光响应，即，泡克尔效应(pockels effect)。因此，硅器件无法直接通过外界电场信息改变自身材料属性，将电信号翻译成光信息。传统上，硅的电光转换方式主要基于热光(to)和载流子色散(fcd)效应。但在高速互联通信需求不断演进的当下，这些调控方式的响应速度和额外损耗已经明显制约...
【技术保护点】
1.一种电光聚合物器件(2)，包括：
2.根据权利要求1所述的电光聚合物器件(2)，其中所述波导(21)和所述极化电极(23)位于同一水平面上。
3.根据权利要求1所述的电光聚合物器件(2)，所述极化电极(23)包括定位在所述电光聚合物(22)两侧的第一极化电极(231)和第二极化电极(232)，所述至少一个加热电极(24)包括定位在所述电光聚合物(22)两侧的第一加热电极(241)和第二加热电极(242)，所述第一加热电极(241)位于所述第一极化电极(231)的上方，所述第二加热电极(242)位于所述第二极化电极(232)的上方。
<...【技术特征摘要】
1.一种电光聚合物器件(2)，包括：
2.根据权利要求1所述的电光聚合物器件(2)，其中所述波导(21)和所述极化电极(23)位于同一水平面上。
3.根据权利要求1所述的电光聚合物器件(2)，所述极化电极(23)包括定位在所述电光聚合物(22)两侧的第一极化电极(231)和第二极化电极(232)，所述至少一个加热电极(24)包括定位在所述电光聚合物(22)两侧的第一加热电极(241)和第二加热电极(242)，所述第一加热电极(241)位于所述第一极化电极(231)的上方，所述第二加热电极(242)位于所述第二极化电极(232)的上方。
4.根据权利要求3所述的电光聚合物器件(2)，所述第一加热电极(231)和第二加热电极(232)两者的最邻近边之间的水平距离为s，并且所述第一加热电极(241)和第二加热电极(242)两者相对于所述波导(21)所在水平面的高度为h，其中s<5.6um，1um<h<1.9um。
5.根据权利要求1所述的电光聚合物器件(2)，所述极化电极(23)包括定位在所述电光聚合物(22)两侧的第一极化电极(231)和第二极化电极(232)，所述至少一个加热电极(24)仅包括单个加热电极，所述单个加热电极定位在所述第一极化电极(231)或所述第二极化电极(232)的上方。
6.根据权利要求1所述的电光聚合物器件(2)，还包括温控监测装置(50)，所述温控监测装置(50)包括：
7.根据权利要求6所述的电光聚合物器件(2)，其中所述pin结(51)通过在脊波导的两侧进行掺杂而形成，所述脊波导由所述波导(21)的一部分形成。
8.根据权利要求6所...
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