【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种发光器件和包括该发光器件的电子装置。
技术介绍
1、近年来，包括多个半导体发光元件的发光器件广为人知。作为这种发光器件，提出了一种具有层叠多种颜色的半导体发光元件的配置的发光器件(例如，参见专利文献1)。
2、引文列表
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开号2018/156876
技术实现思路
1、本专利技术要解决的问题
2、但是，在层叠了多种颜色的半导体发光元件的发光器件中，下层的半导体发光元件的光被上层的半导体发光元件阻碍，存在亮度降低的情况。
3、本公开的一个目的是提供一种能够抑制亮度降低的发光器件和包括该发光器件的电子装置。
4、针对问题的解决方案
5、为了解决上述问题，第一公开是
6、发光器件，依次包括
7、基板、第一层和第二层，其中
8、第一层包括多个第一半导体发光元件，
9、第二层包括多个第二半导体发光元件，
10、所述多个第一半导体发光元件被配置在基板的面内方向上，并且能够发射具有第一峰值波长的第一光，
11、第一半导体发光元件具有第一区域和第二区域，第一区域设置在第一半导体发光元件的周缘部分中，并且不能发射第一光或者仅能发射具有比第二区域低的发光强度的第一光，并且第二区域设置在第一区域的内侧，并且能发射第一光，以及
12、第二半导体发光元件被配置在基板的面内方向上并且能够发射具有与第
13、第一半导体发光元件和第二半导体发光元件被配置为在基板的面内方向上彼此偏移。
14、第二公开是
15、一种发光器件，依次包括
16、基板、第一层和第二层，其中
17、第一层包括多个第一半导体发光元件，
18、第二层包括多个第二半导体发光元件，
19、所述多个第一半导体发光元件包括第一发光层，被配置在所述基板的面内方向上，并且能够发射具有第一峰值波长的第一光，
20、第二半导体发光元件包括第二发光层，被配置在基板的所述面内方向上，并且能够发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光，
21、第一发光层具有比第二发光层的载流子扩散长度长的载流子扩散长度，以及
22、第一半导体发光元件和第二半导体发光元件被配置为在基板的所述面内方向上彼此偏移。
23、第三公开是包括第一或第二公开的发光器件的电子装置。
24、在第一半导体发光元件的发射光具有多个峰值的情况下，第一光的第一峰值波长意味着在多个峰值中最大强度的峰值的波长。
25、在第二半导体发光元件的发射光具有多个峰值的情况下，第二光的第二峰值波长意味着在多个峰值中最大强度的峰值的波长。
26、在第三半导体发光元件的发射光具有多个峰值的情况下，第三光的第三峰值波长意味着在多个峰值中最大强度的峰值的波长。
27、在第四半导体发光元件的发射光具有多个峰值的情况下，第四光的第四峰值波长意味着在多个峰值中最大强度的峰值的波长。
28、第一光和第二光可以是具有彼此不同的颜色的光。
29、第一光、第二光和第三光可以都是具有彼此不同的颜色的光。
30、第一光和第四光可以是具有相同颜色的光。
31、第一光和第四光可以各自独立地是红光或红外光。红外光可以是近红外光。
32、第二光和第三光可以各自独立地是蓝光、绿光、黄光或紫外光。紫外光可以是短波长紫外光(uv-c)、中波长紫外光(uv-b)或长波长紫外光(uv-a)。
33、紫外光是具有峰值的半值宽度(半最大值全宽)或峰值波长在100nm或更大且380nm或更小的范围内的光谱特性的光。
34、短波长紫外光(uv-c)是具有峰值的半值宽度(半最大值全宽)或峰值波长在100nm或更大且280nm或更小的范围内的光谱特性的光。
35、中波长紫外光(uv-b)是具有峰值的半值宽度(半最大值全宽)或峰值波长在大于280nm且315nm或更小的范围内的光谱特性的光。
36、长波长紫外光(uv-a)是具有峰值的半值宽度(半最大值全宽)或峰值波长在315nm或更大且380nm或更小的范围内的光谱特性的光。
37、蓝光是具有峰值的半值宽度(半最大值全宽)或峰值波长在大于380nm且490nm或更小的范围内的光谱特性的光。
38、绿光是具有峰值的半值宽度(半最大值全宽)或峰值波长在大于490nm且550nm或更小的范围内的光谱特性的光。
39、黄光是具有在大于550nm和590nm或更小的范围内的光谱特性的光。
40、红光是具有峰值的半值宽度(半最大值全宽)或峰值波长在大于590nm且780nm或更小的范围内的光谱特性的光。
41、红外光是具有峰值的半值宽度(半最大值全宽)或峰值波长在大于780nm且1mm或更小的范围内的光谱特性的光。
42、近红外光是具有峰值的半值宽度(半最大值全宽)或峰值波长在大于780nm且2.5μm或更小的范围内的光谱特性的光。
43、多个第一半导体发光元件可以包括能够发射红光的多个半导体发光元件和能够发射红外光的多个半导体发光元件。
44、多个第四半导体发光元件可以包括能够发射红光的多个半导体发光元件和能够发射红外光的多个半导体发光元件。
45、多个第二半导体发光元件可以包括能够发射绿光的多个半导体发光元件和能够发射紫外光的多个半导体发光元件。
46、多个第三半导体发光元件可以包括能够发射蓝光的多个半导体发光元件和能够发射紫外光的多个半导体发光元件。
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1.一种发光器件，依次包括
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中
3.根据权利要求1所述的发光器件，还包括
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中
5.根据权利要求2所述的发光器件，其中
6.根据权利要求2所述的发光器件，其中
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中
13.根据权利要求1所述的发光器件，还包括
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中
15.根据权利要求2所述的发光器件，其中
16.根据权利要求2所述的发光器件，其中
17.根据权利要求2所述的发光器件，其中
18.根据权利要求1所述的发光器件，其中
19.一种发光器件，依次包括
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...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种发光器件，依次包括
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中
3.根据权利要求1所述的发光器件，还包括
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中
5.根据权利要求2所述的发光器件，其中
6.根据权利要求2所述的发光器件，其中
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中
11.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：金光俊明，平尾直树，琵琶刚志，土居正人，大前晓，
申请(专利权)人：索尼集团公司，
类型：发明
国别省市：
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