【技术实现步骤摘要】
本揭示涉及一种半导体集成电路。
技术介绍
1、以往，已知有具备各种内部电路的半导体集成电路(半导体ic(integratedcircuit：集成电路))。尤其，在半导体集成电路中，存在具备放大电路作为内部电路的半导体集成电路(关于放大电路，例如参考专利文献1)。
2、[
技术介绍
文献]
3、[专利文献]
4、[专利文献1]日本专利特开2020-195075号公报
技术实现思路
1、[专利技术所要解决的问题]
2、以往，在半导体集成电路中，有外部干扰噪声侵入内部电路的情况。但是，在大多数内部电路中，电路本身产生的噪声是主体，外部干扰噪声的影响较小。
3、然而，在内部电路为放大电路的情况下，如图10所示，电路本身的噪声nc被设计为足够小，通过放大主信号s及外部干扰噪声nd，而主信号s被外部干扰噪声nd埋没，外部干扰噪声nd的影响变大。
4、鉴于所述状况，本揭示的目的在于提供一种能抑制外部干扰噪声的影响的半导体集成电路。
5、[解决问题的技术方式]
6、本揭示的一方面的半导体集成电路构成为具备：
7、输入端子，构成为能输入电压急剧变化的信号；
8、放大电路，构成为放大2个输入信号的差量；
9、第1元件，连接于所述放大电路的第1输入端；及
10、第2元件，连接于所述放大电路的第2输入端；且
11、在俯视下，所述第1元件的配置区域中包含的第
12、另外，本揭示的另一方面的半导体集成电路构成为具备：
13、半导体衬底；及
14、电容器，具有配置在所述半导体衬底的上侧的下侧电极、及配置在所述下侧电极的上侧的上侧电极；且
15、所述上侧电极的阻抗比所述下侧电极低。
16、[专利技术的效果]
17、根据本揭示的一方面的半导体集成电路，能抑制外部干扰噪声的影响。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体集成电路，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中所述第1位置是所述第1元件的所述配置区域的中心位置；
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其中在俯视下，所述第1位置与所述第2位置相对于通过所述输入端子的所述第3位置的中心轴线对称地配置。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的半导体集成电路，其中所述第1元件是第1电容器；
5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其中所述第1上侧电极连接于第1高阻抗节点也就是所述第1输入端；
6.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其中所述第1下侧电极连接于第1高阻抗节点也就是所述第1输入端；
7.根据权利要求5或6所述的半导体集成电路，其中具备差动放大电路，且所述差动放大电路具有：
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的半导体集成电路，其中所述输入端子是以能输入数字信号的方式构成的数字信号端子。
9.一种半导体集成电路，具备：
10.根据权利要求9所述的半导体集成电路，其中所述上侧电极连接于低阻抗节点
11.根据权利要求10所述的半导体集成电路，其中所述低阻抗节点是接地电位的施加端。
12.根据权利要求9到11中任一权利要求所述的半导体集成电路，具备：
13.根据权利要求9到12中任一权利要求所述的半导体集成电路，具备：
14.根据权利要求9到13中任一权利要求所述的半导体集成电路，具备：
15.根据权利要求14所述的半导体集成电路，其中所述输入端子是以能输入数字信号的方式构成的数字信号端子。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中所述第1位置是所述第1元件的所述配置区域的中心位置；
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其中在俯视下，所述第1位置与所述第2位置相对于通过所述输入端子的所述第3位置的中心轴线对称地配置。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的半导体集成电路，其中所述第1元件是第1电容器；
5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其中所述第1上侧电极连接于第1高阻抗节点也就是所述第1输入端；
6.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其中所述第1下侧电极连接于第1高阻抗节点也就是所述第1输入端；
7.根据权利要求5或6所述的半导体集成电路，其中具备差动放大电路，且所述差动放大电路具有...
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