【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体,尤其涉及一种功率模块以及包括该功率模块的封装结构。
技术介绍
1、依托于现有的半导体制造工艺和封装技术,功率芯片经焊接、清洗、键合等封装流程之后,可通过不同的电路拓扑结构,实现高功率密度、高能量转换效率、高可靠性的功率模块。
2、目前,功率模块被广泛应用于新能源发电、电气化交通等多个领域。功率模块主要通过基板表面的金属化层的电路图设计、引线键合互连及连接端子实现所需电路拓扑。然而,为了大功率应用的需求,会将多个功率芯片并联构成具有较大功率的功率模块。然而在大功率模块中,并联的功率芯片会存在电流不均衡的问题,影响功率模块的可靠性和工作性能。
技术实现思路
1、有鉴于此,本申请提供了一种功率模块,方案如下:
2、一种功率模块,该功率模块包括:
3、基板;
4、位于所述基板一侧的第一金属层、第二金属层和第三金属层,所述第一金属层具有第一信号端口,所述第三金属层具有第二信号端口,所述第一信号端口为信号输入端口,所述第二信号端口为信号
...【技术保护点】
1.一种功率模块,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第一键合线相对于所述第一功率芯片表面具有第一弧高度,所述第二键合线相对于所述第二功率芯片表面具有第二弧高度;
3.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第一功率芯片背离所述第一金属层或所述第二金属层的一侧具有第一键合位置,所述第一键合线键合于所述第一键合位置;所述第二功率芯片背离所述第一金属层或所述第二金属层的一侧具有第二键合位置,所述第二键合线键合于所述第二键合位置;
4.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第一键合线沿背离所
...【技术特征摘要】
1.一种功率模块,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第一键合线相对于所述第一功率芯片表面具有第一弧高度,所述第二键合线相对于所述第二功率芯片表面具有第二弧高度;
3.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第一功率芯片背离所述第一金属层或所述第二金属层的一侧具有第一键合位置,所述第一键合线键合于所述第一键合位置;所述第二功率芯片背离所述第一金属层或所述第二金属层的一侧具有第二键合位置,所述第二键合线键合于所述第二键合位置;
4.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第一键合线沿背离所述第二信号端口的方向斜向延伸;所述第二键合线沿朝向所述第二信号端口的方向斜向延伸,或,所述第二键合线水平延伸至所述相邻金属层。
5.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第一键合线包括多个第一子键合线,所述第二键合线包括多个第二子键合线;其中,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:房亮,王依婷,
申请(专利权)人:经纬恒润天津研究开发有限公司,
类型:新型
国别省市:
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