【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制膜，具体而言，涉及一种半导体塑封用耐高温复合薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
1、半导体制程塑封工艺主要包括如下工序：在半导体芯片上覆盖一层保护膜，防止芯片受到外界环境破坏；通过晶圆切割芯片，而后将金属引线与芯片的金属引脚焊接，再将封料注入各个芯片的封装模具中，以将芯片完全封装在塑封料内；通过固化实现塑封料硬化，最后进行切割、检测、包装等后处理操作即可获得半导体芯片成品。
2、在上述工序中芯片及其基板需要薄膜材料将其和其膜具隔开，以便于塑封过程中不发生偏移，亦可防止塑封料的溢出。而在焊接、塑封及后续固化工艺中都存在较高的操作温度，因此对薄膜材料的耐高温性能要求非常高。
3、现有技术最常见的薄膜材料包括乙烯-四氟乙烯共聚物(etfe)，其耐温性能比较好，可以保证高温下胶带尺寸稳定性且不会收缩；但是，etfe表面较为光滑，上膜后需要真空吸附将膜固定住，而真空吸附过程中易产生气泡。也存在如聚酰亚胺(pi)、聚四氟乙烯(ptfe)和聚醚醚酮(peek)等薄膜材料，具有良好的高温稳定性和机械性能，但是也存...
【技术保护点】
1.一种半导体塑封用耐高温复合薄膜，其特征在于，所述耐高温复合薄膜包括依次相连接的第一树脂层、基材层、弹性层和第二树脂层；且所述基材层在靠近所述第一树脂层的表面为磨砂材质。
2.根据权利要求1所述的半导体塑封用耐高温复合薄膜，其特征在于，所述第一树脂层包括树脂料；所述树脂料包括丙烯酸树脂、聚氨酯树脂或环氧树脂中的至少一种；
3.根据权利要求2所述的半导体塑封用耐高温复合薄膜，其特征在于，所述第一树脂层还包括改性料；所述改性料包括二氧化硅微粒或二氧化钛微粒中的至少一种；
4.根据权利要求1所述的半导体塑封用耐高温复合薄膜，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体塑封用耐高温复合薄膜，其特征在于，所述耐高温复合薄膜包括依次相连接的第一树脂层、基材层、弹性层和第二树脂层；且所述基材层在靠近所述第一树脂层的表面为磨砂材质。
2.根据权利要求1所述的半导体塑封用耐高温复合薄膜，其特征在于，所述第一树脂层包括树脂料；所述树脂料包括丙烯酸树脂、聚氨酯树脂或环氧树脂中的至少一种；
3.根据权利要求2所述的半导体塑封用耐高温复合薄膜，其特征在于，所述第一树脂层还包括改性料；所述改性料包括二氧化硅微粒或二氧化钛微粒中的至少一种；
4.根据权利要求1所述的半导体塑封用耐高温复合薄膜，其特征在于，所述第一树脂层的厚度为1μm～4μm；
5.根据权利要求1所述的半导体塑封用耐高温复合薄膜，其特征在于，所述基...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔庆珑，
申请(专利权)人：威士达半导体科技张家港有限公司，
类型：发明
国别省市：
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