一种自举式半桥驱动电路制造技术

本技术属于功率NMOS晶体管驱动技术，具体涉及一种自举式半桥驱动电路，包括半桥驱动芯片U1、电阻R1、R2、R3、R4、R5、NMOS晶体管Q1、NMOS晶体管Q2、自举二极管D1、自举电容C1；该半桥驱动电路只使用一路驱动电源15V，实现两只不共地NMOS晶体管Q1和Q2的驱动控制，并具有自举电容C1充电时间、上桥NMOS晶体管Q1导通时间、上桥NMOS晶体管Q1截止时间、下桥NMOS晶体管Q2导通时间、下桥NMOS晶体管Q2截止时间均分别可调且通过不同的独立电流路径来实现，具有使用简单灵活的特点，可满足特殊需要分别调整上述时间的场景下的需要。

【技术实现步骤摘要】

本技术具体涉及一种自举式半桥驱动电路。

技术介绍

1、半桥高低边驱动经常使用半桥自举驱动芯片，现有技术方案中，一般上桥nmos晶体管的导通时间和截止时间不可分别调整，下桥的nmos晶体管导通时间和截止时间也不可分别调整，或者仅仅采用栅极电阻并联反向二极管的方式；在一些特殊需要分别调整上述时间的场合受到限制，给一些应用带来不变。

技术实现思路

1、基于以上技术问题，本技术提出一种自举电容充电时间、上桥nmos晶体管导通时间、上桥nmos晶体管截止时间、下桥nmos晶体管导通时间、下桥nmos晶体管截止时间均分别可调且通过不同的独立电流路径来实现的的自举式半桥驱动电路。

2、本技术提出自举式半桥驱动电路，包括：半桥驱动芯片u1、电阻r1、r2、r3、r4、r5、nmos晶体管q1、nmos晶体管q2、自举二极管d1、自举电容c1。

3、所述自举式半桥驱动电路中，第一电阻r1的一端接电源15v正极，r1的另一端接第一二极管d1的正极，第一二极管d1的负极接第一电容c1的正极，同时接第二电阻r本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种自举式半桥驱动电路，其特征在于：包括半桥驱动芯片U1、电阻R1、R2、R3、R4、R5、NMOS晶体管Q1、NMOS晶体管Q2、自举二极管D1、自举电容C1及驱动电源；所述半桥驱动芯片U1连接电阻R2、R3、R4、R5、NMOS晶体管Q1、NMOS晶体管Q2及输入控制信号HIN、LIN，电阻R2、R3之间连接自举电容C1，电阻R2、R4之间连接电阻R1和自举二极管D1。

2.根据权利要求1所述的一种自举式半桥驱动电路，其特征在于：该半桥驱动电路中，驱动电源正极15V连接电阻R1、R4，驱动电源负极B-连接半桥驱动芯片U1及NMOS晶体管Q2的源极。

3.根...

【技术特征摘要】

1.一种自举式半桥驱动电路，其特征在于：包括半桥驱动芯片u1、电阻r1、r2、r3、r4、r5、nmos晶体管q1、nmos晶体管q2、自举二极管d1、自举电容c1及驱动电源；所述半桥驱动芯片u1连接电阻r2、r3、r4、r5、nmos晶体管q1、nmos晶体管q2及输入控制信号hin、lin，电阻r2、r3之间连接自举电容c1，电阻r2、r4之间连接电阻r1和自举二极管d1。

2.根据权利要求1所述的一种自举式半桥驱动电路，其特征在于：该半桥驱动电路中，驱动电源正极15v连接电阻r1、r4，驱动电源负极b-连接半桥驱动芯片u1及nmos晶体管q2的源极。

3.根据权利要求1所述的一种自举式半桥驱动电路，其特征在于：第一电阻r1的一端接电源15v正极，r1的另一端接第一二极管d1的正极，第一二极管d1的负极接第一电容c1的正极，同时接第二电阻r2并接入半桥驱动芯片u1的vb输出脚；c1的负极接第一nmos晶体管q1的s1端，同时接第三电阻r3并接入u1的vs输出脚；u1的ho和lo输出端分别接第一n...

【专利技术属性】
技术研发人员：白阳，李兴全，
申请(专利权)人：北京宏瑞汽车科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：