一种交联型聚酰亚胺绝缘介质薄膜及其制备方法和应用技术

技术编号:40876890 阅读:34 留言:0更新日期:2024-04-08 16:46
本发明专利技术公开了一种交联型聚酰亚胺绝缘介质薄膜及其制备方法和应用,属于聚酰亚胺基改性复合材料及其制备技术领域。本发明专利技术解决了现有聚酰亚胺电介质材料本征绝缘特性较差的技术问题。本发明专利技术首先采用含氟二酐和含氟二胺反应生成氟化聚酰胺酸,然后通过添加笼型八氨基苯基硅倍半氧烷作为交联剂,利用交联剂中的氨基与氟化聚酰胺酸中的羧基反应实现相互交联,随后经微波辅助亚胺化后得到微交联氟化聚酰亚胺介质薄膜。得到薄膜,在高温和高场条件下,具有更高的储能密度同时保持较高的充放电效率。具体的在150℃下,复合电介质在580MV/m下的储能密度为4.18J/cm<supgt;3</supgt;,且储能效率仍保持在90%以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种交联型聚酰亚胺绝缘介质薄膜及其制备方法和应用,属于聚酰亚胺基改性复合材料及其制备。


技术介绍

1、随着信息、电力电子以及化工行业的快速发展,尤其是智能电网、航天航空、混合动力汽车以及军事高端武器的发展,极大地刺激了对绝缘材料的需求,迫切地需要开发具有高绝缘特性的电气材料。聚酰亚胺(pi)作为一类高性能聚合物,由于其具有优良的介电性、热稳定性和耐溶剂等性能,是综合性能较为优异的有机高分子材料,在聚合物界有着“工程塑料的黄金”的美称,被广泛用于电机、电子、航空航天等领域,尤其是用于电机的槽绝缘、绕线绝缘和介电缓冲层,这些都要求聚酰亚胺具有优异的电气绝缘性能,因此,开发具有高绝缘特性的聚酰亚胺薄柔性绝缘介质及其工艺方法成为电力装备制备工业重要的研究方向之一。

2、较目前针对聚酰亚胺击穿场强较低的问题,现有技术中采取无机相掺杂改性或对填料进行表面改性的方法来制备具有高绝缘特性的复合电介质材料,但是高体积分数无机填料的引入以及相容性差的问题使得材料内部产生载流子陷阱,导致能量损耗的增加,使材料的击穿场强和使用寿命降低。所以,目前技术当中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种交联型聚酰亚胺绝缘介质的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,(1)中含氟二胺为芳香族三氟甲基二胺单体,含氟二酐为芳香族六氟二酐单体。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,含氟二胺为2,2'-双(三氟甲基)二氨基联苯,含氟二酐为4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,(1)中含氟二胺和含氟二酐的摩尔比为(1~1.08):(1.02~1.2);缩聚体系中含氟二胺和含氟二酐的质量分数均为12%~35%。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征...

【技术特征摘要】

1.一种交联型聚酰亚胺绝缘介质的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,(1)中含氟二胺为芳香族三氟甲基二胺单体,含氟二酐为芳香族六氟二酐单体。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,含氟二胺为2,2'-双(三氟甲基)二氨基联苯,含氟二酐为4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,(1)中含氟二胺和含氟二酐的摩尔比为(1~1.08):(1.02~1.2);缩聚体系中含氟二胺和含氟二酐的质量分数均为12%~35%。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,(1)中缩聚反应温度为-10~40℃,时间为2~24h。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,(1)和(2)中真空条件采用阶梯真空方式实现,所述阶梯真空的每段真空度梯...

【专利技术属性】
技术研发人员:张佳琦张昌海迟庆国张天栋唐超
申请(专利权)人:哈尔滨理工大学
类型:发明
国别省市:

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