降低寄生电容并耦合到电感耦合器模式制造技术

一种量子比特耦合器件，包括：包括沟槽的电介质衬底；电介质衬底的表面上的第一超导体层，其中第一超导体层的边缘沿着第一方向延伸，并且超导体层的至少一部分与电介质衬底的表面接触，并且其中超导体层由在相应的临界温度或低于相应的临界温度下表现出超导体特性的超导体材料形成；电介质衬底内的沟槽的长度与第一超导体层的边缘邻近并在第一方向上沿着第一超导体层的边缘延伸，并且其中沟槽的电容率小于电介质衬底的电容率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及降低寄生电容和耦合到电感耦合器模式。

技术介绍

1、量子计算是一种相对较新的计算方法，它利用量子效应，诸如基态和纠缠的叠加，比经典数字计算机更有效地执行某些计算。与以比特形式(例如，“1”或“0”)存储和操纵信息的数字计算机相反，量子计算系统可以使用量子比特操纵信息。量子比特可以指能够叠加多种状态(例如，处于“0”和“1”状态两者的数据)的量子器件和/或叠加本身处于多种状态的数据。根据传统术语，量子系统中“0”和“1”状态的叠加可以表示为例如α│0>+β│1>。数字计算机的“0”和“1”状态分别类似于量子比特的│0>和│1>基态。值│α│2代表量子比特处于│0>状态的概率，而值│β│2代表量子比特处于│1>基态的概率。

技术实现思路

1、本公开的主题涉及用于降低寄生电容和耦合到耦合器模式的技术。

2、一般而言，本文所述主题的创新方面可以体现在量子比特耦合器件中，其中量子比特耦合器件包括具有沟槽的电介质衬底和电介质衬底的表面上的第一超导体层，其中第一超导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种量子比特耦合器件，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述沟槽的宽度延伸到第一超导体层的边缘，而不延伸到第一超导体层的下方。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述沟槽的宽度至少部分地延伸到第一超导体层的下方。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述沟槽的宽度完全地延伸到第一超导体层的下方。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述衬底包括沟槽内的并且支撑第一超导体层的一个或多个柱。

6.根据前述任一项权利要求所述的器件，其中所述量子比特耦合器件至少包括：(a)可调节耦合器网络，和(b)至少一条耦合器控制线。

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【技术特征摘要】

1.一种量子比特耦合器件，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述沟槽的宽度延伸到第一超导体层的边缘，而不延伸到第一超导体层的下方。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述沟槽的宽度至少部分地延伸到第一超导体层的下方。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述沟槽的宽度完全地延伸到第一超导体层的下方。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述衬底包括沟槽内的并且支撑第一超导体层的一个或多个柱。

6.根据前述任一项权利要求所述的器件，其中所述量子比特耦合器件至少包括：(a)可调节耦合器网络，和(b)至少一条耦合器控制线。

7.根据前述任一项权利要求所述的器件，进一步包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：A·E·梅格兰特，
申请(专利权)人：谷歌有限责任公司，
类型：发明
国别省市：