存储阵列、内容寻址存储器、电子设备制造技术

本申请提供了一种存储阵列、内容寻址存储器、电子设备，涉及存储器技术领域，旨在减小存储阵列的面积，提高器件的PPA。存储阵列包括第一有源层、第二有源层、第一数据线和第二数据线，第一有源层和第二有源层沿第一方向排列。第一数据线与第二有源层交叠，第二数据线与第一有源层交叠。存储子单元还包括第一连接线和第二连接线，第一连接线通过第一接触柱与第一有源层连接，且通过第二接触柱与第一数据线连接。第二连接线通过第三接触柱与第二数据线连接，且通过第四接触柱与第二有源层连接。第二接触柱与第三接触柱的连线与第一方向相垂直。该存储阵列可应用于内容寻址存储器中，可实现数据的读取、写入以及搜索。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及存储器，尤其涉及一种存储阵列、内容寻址存储器、电子设备。

技术介绍

1、三态内容寻址存储器(ternary content addressable memory，tcam)是一种具有读取、写入以及搜索等功能的存储器，其存储内容包括“0”、“1”、“x”三种状态，可根据其存储内容进行寻址。

2、在相关技术中，三态内容寻址存储器的架构基于静态随机存取存储器(staticrandom addressable memory，sram)，三态内容寻址存储器包括多个存储单元，每个存储单元由16个晶体管构成，存在器件面积过大、存储密度较低等问题。

3、并且，随着存储数据量的增加，三态内容寻址存储器的功耗增加、工作频率降低、延迟增加。因此，领域内致力于设计出功耗较低、延迟较小、面积较小的三态内容寻址存储器，以达到更好的ppa(power performance area，功耗、性能、面积)。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种存储阵列、内容寻址存储器、电子设备，旨在减小存储阵列的面积，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储阵列，其特征在于，包括阵列式排布的多个存储单元，所述存储单元包括沿第一方向排列的寻址子单元和存储子单元；

2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述存储子单元还包括：

3.根据权利要求2所述的存储阵列，其特征在于，所述第五接触柱与所述第一接触柱的连线，与所述第一方向相垂直。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述第一连接线和所述第二连接线均弯折两次；

5.根据权利要求4所述的存储阵列，其特征在于，所述N阱区包括第一子N阱区和第二子N阱区，所述第一子N阱区位于所述P阱区的靠近所述寻址子单元的一侧，所...

【技术特征摘要】

1.一种存储阵列，其特征在于，包括阵列式排布的多个存储单元，所述存储单元包括沿第一方向排列的寻址子单元和存储子单元；

2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述存储子单元还包括：

3.根据权利要求2所述的存储阵列，其特征在于，所述第五接触柱与所述第一接触柱的连线，与所述第一方向相垂直。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述第一连接线和所述第二连接线均弯折两次；

5.根据权利要求4所述的存储阵列，其特征在于，所述n阱区包括第一子n阱区和第二子n阱区，所述第一子n阱区位于所述p阱区的靠近所述寻址子单元的一侧，所述第二子n阱区位于所述p阱区的远离所述寻址子单元的一侧；

6.根据权利要求5所述的存储阵列，其特征在于，所述存储子单元还包括：

7.根据权利要求5或6所述的存储阵列，其特征在于，所述存储子单元还包括：

8.根据权利要求5～7中任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述存储子单元还包括第十一接触柱、第十二接触柱和两条第二电压线；

9.根据权利要求1～8中任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述存储单元包括一个所述寻址子单元和两个所述存储子单元；

10.根据权利要求9所述的存储阵列，其特征在于，所述寻址子单元包括：

11.根据权利要求10所述的存储阵列，其特征在于，所述第四连接线跨越所述第三电压线，且所述第十五接触柱与所述第五有源层不交叠。

12.根据权利要求10或11所述的存储阵列，其特征在于，所述第三连接线和所述第四连接线均弯折一次；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺子芸，布明恩，程宽，蔡江铮，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：