【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路，特别涉及一种光伏逆变器pv输入防反接电路。
技术介绍
1、第三代功率半导体sic mos具有宽禁带、高热导率等优良特点，在功率半导体领域逐渐替代si mos，由于宽禁带的原因sic mos管具有更高的导通压降；在光伏逆变器场景，如果使用sic mos作为前级功率器件，需要考虑pv输入端子反接时功率管持续发热失效问题；sic mos管导通压降更高，pv输入反接时功率管损耗更多、发热严重，导致逆变器过热损坏
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种光伏逆变器pv输入防反接电路，以解决的问题。
2、本专利技术提供了一种光伏逆变器pv输入防反接电路，包括第一二极管、第一电容、第一电感、第一开关、第二二级管以及第二电容；
3、所述第一二极管的负极接光伏正输入端，所述第一电容的正极接光伏负输入端，sic mos管位于光伏正输入端和光伏负输入端之间，所述第一二极管的正极分别与所述第一电容的负极、所述第一开关的电流流出端、所述第二电容的负极以及接地极连接；
4、所述第一电容的正极与所述第一电感的第一端和所述sic mos管的源极、光伏负输入端连接；
5、所述第一电感的第二端与所述第一开关的电流流入端和所述第二二极管的正极连接；
6、所述第一开关的驱动端与升压脉冲宽度调制器连接；
7、所述第二二级管的负极与所述第二电容的正极和所述sic mos管的栅极连接。
8、上述光伏逆变器pv输入防反
9、进一步地，所述第一开关为mos管、igbt、三极管中的任一种。
10、进一步地，所述第一电容和所述第二电容均为电解电容。
11、进一步地，所述sic mos管与第二电感串联后位于光伏正输入端、光伏负输入端之间。。
12、进一步地，还包括第三二极管；
13、所述第三二极管的负极与所述sic mos管的栅极连接，所述第三二极管的正极与所述第二二级管的负极连接。
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1.一种光伏逆变器PV输入防反接电路，其特征在于，包括第一二极管、第一电容、第一电感、第一开关、第二二级管以及第二电容；
2.根据权利要求1所述的光伏逆变器PV输入防反接电路，其特征在于，所述第一开关为MOS管、IGBT、三极管中的任一种。
3.根据权利要求1所述的光伏逆变器PV输入防反接电路，其特征在于，所述第一电容和所述第二电容均为电解电容。
4.根据权利要求1所述的光伏逆变器PV输入防反接电路，其特征在于，所述SiC MOS管与第二电感串联后位于光伏正输入端、光伏负输入端之间。
5.根据权利要求1所述的光伏逆变器PV输入防反接电路，其特征在于，还包括第三二极管；
【技术特征摘要】
1.一种光伏逆变器pv输入防反接电路，其特征在于，包括第一二极管、第一电容、第一电感、第一开关、第二二级管以及第二电容；
2.根据权利要求1所述的光伏逆变器pv输入防反接电路，其特征在于，所述第一开关为mos管、igbt、三极管中的任一种。
3.根据权利要求1所述的光伏逆变器pv输入防反...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭志盛，邓蜀云，王飞飞，王文，王兴东，
申请(专利权)人：深圳古瑞瓦特新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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