本申请涉及一种工艺参数确定方法及其系统、生产系统。该工艺参数确定方法包括：获取历史产品数据及历史工艺数据；根据历史产品数据和历史工艺数据之间的对应关系建立匹配模型；确定目标产品参数及对应的m个初始工艺参数；其中，m≥2且为整数；根据匹配模型，确定各初始工艺参数独立调节时目标产品参数的第一变化量；根据匹配模型，确定各初始工艺参数同时调节时目标产品参数的第二变化量；根据第一变化量和第二变化量共同确定目标产品参数的补偿值；根据初始工艺参数的数量、第一变化量、补偿值以及历史产品数据分别确定各初始工艺参数对应的目标工艺参数。该工艺参数确定方法可以提高工艺参数确定的准确度，从而可以确保并改善产品良率。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造领域，特别是涉及一种工艺参数确定方法及其系统、生产系统。
技术介绍
1、电感耦合刻蚀（inductively coupled plasma，简称 icp）是一种半导体刻蚀工艺，因其具有高速率、高选择比以及低损伤的技术优势，在本领域内得到了广泛运用。典型的 icp刻蚀过程通常包括：向反应腔室中通入反应气体；向设置于反应腔周侧的线圈通电产生电场；反应气体在电场的作用下电离成等离子体；向基座电极施加偏压，驱动等离子体对待处理对象进行刻蚀。
2、然而，icp刻蚀工艺在实际运用中，受限于工艺参数与刻蚀效果间的复杂联系，当前对于工艺参数的准确确定还存在待改进之处。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种工艺参数确定方法及其系统、生产系统，可以提高工艺参数确定的准确度，从而可以确保并改善产品良率。
2、一方面，本申请一些实施例提供了一种工艺参数确定方法，包括如下步骤。
3、获取历史产品数据及历史工艺数据。
4、根据历史产品数据和历史工艺数据之间的对应关系建立匹配模型。
5、确定目标产品参数及对应的m个初始工艺参数；其中，m≥2且为整数。
6、根据匹配模型确定各初始工艺参数独立调节时，目标产品参数对应的第一变化量。
7、根据匹配模型确定各初始工艺参数同时调节时，目标产品参数对应的第二变化量。
8、根据第一变化量和第二变化量共同确定目标产品参数的补偿值。
>9、根据初始工艺参数的数量、第一变化量、补偿值以及历史产品数据分别确定各初始工艺参数对应的目标工艺参数。10、上述实施例中的工艺参数确定方法，通过建立表征历史生产数据和历史工艺数据之间匹配关系的匹配模型，并确定目标产品参数及对应的初始工艺参数；继而基于匹配模型分别确定出：各初始工艺参数独立调节时，目标产品参数对应的第一变化量；以及各初始工艺参数同时调节时，目标产品参数对应的第二变化量。如此，根据第一变化量和第二变化量可以共同确定出目标产品参数的补偿值，并使得该补偿值能够充分且准确地表征出各初始工艺参数在不同调节方式下（例如前述独立调节和同时调节）对目标产品参数变化量的影响。基于此，将该补偿值纳入到目标工艺参数的确定过程中，以利于充分考量各初始工艺参数调节方式不同所带来的影响，从而有效提高了目标工艺参数确定的准确性，进而可以确保并改善产品良率。
11、在一些实施例中，根据初始工艺参数的数量、第一变化量、补偿值以及历史产品数据分别确定各初始工艺参数对应的目标工艺参数，包括如下步骤。
12、根据初始工艺参数的数量、第一变化量、补偿值以及历史产品数据分别确定各初始工艺参数的修正值。
13、根据各初始工艺参数的修正值分别确定对应的目标工艺参数。
14、在一些实施例中，所述方法还包括：提供测试晶圆，测试晶圆具备n个待处理区域，n≥2且为整数。
15、对应的，在一些实施例中，所述获取历史产品数据，包括：于测试晶圆上设置若干个采样点，并获取各采样点对应的历史产品数据。
16、在一些实施例中，于获取所述历史产品数据之后，所述确定方法还包括：根据各采样点对应的历史产品数据确定测试晶圆对应的目标产品参数的第一平均值以及各待处理区域对应的目标产品参数的第二平均值。
17、在一些实施例中，所述根据所述匹配模型确定各所述初始工艺参数独立调节时，所述目标产品参数对应的第一变化量，包括：根据匹配模型确定各初始工艺参数分别独立调节一个单位量时，各待处理区域对应的目标产品参数的第一变化量。
18、在一些实施例中，所述根据所述匹配模型确定各所述初始工艺参数同时调节时，所述目标产品参数对应的第二变化量，包括：根据匹配模型确定各初始工艺参数均同时调节一个单位量时，各待处理区域对应的目标产品参数的第二变化量。
19、在一些实施例中，所述根据所述第一变化量和所述第二变化量共同确定所述目标产品参数的补偿值，包括：根据第一变化量和第二变化量共同确定各待处理区域对应的目标产品参数的补偿值；其中，各待处理区域对应的目标产品参数的补偿值基于如下公式得到：
20、；
21、其中，ci为第i个待处理区域对应的目标产品参数的补偿值；dij为第j个初始工艺参数独立调节一个单位量时，第i个待处理区域对应的目标产品参数的第一变化量；ti为各初始工艺参数均同时调节一个单位量时，第i个待处理区域对应的目标产品参数的第二变化量；1≤i≤n且为整数，1≤j≤m且为整数。
22、在一些实施例中，所述根据所述目标工艺参数的数量、所述第一变化量、所述补偿值以及所述历史产品数据分别确定各所述初始工艺参数对应的修正值，包括：
23、根据目标工艺参数的数量、第一变化量、补偿值以及历史产品数据分别确定各初始工艺参数对应的初始修正值。
24、根据初始修正值以及初始工艺参数的数量分别确定各初始工艺参数对应的修正值。
25、在一些实施例中，所述根据所述目标工艺参数的数量、所述第一变化量、所述补偿值以及所述历史产品数据分别确定各所述初始工艺参数对应的初始修正值，包括：基于如下公式得到各初始工艺参数对应的初始修正值：
26、；
27、其中，aj为第j个初始工艺参数对应的初始修正值；为第一平均值；为第i个待处理区域对应的第二平均值；1≤i≤n且为整数，1≤j≤m且为整数。
28、相应的，在一些实施例中，所述根据所述初始修正值以及所述初始工艺参数的数量分别确定各所述初始工艺参数对应的修正值，包括：基于如下公式得到各初始工艺参数对应的修正值：
29、；
30、其中，bj为第j个初始工艺参数对应的修正值。
31、在一些实施例中，所述历史产品数据包括：宽度值、长度值、深度值、侧壁角度值以及膜层厚度值中的至少一种。
32、在一些实施例中，所述历史工艺数据包括：分割电容值、气体流量比例、电极温度、电信号功率以及电信号频率中的至少两种。
33、在一些实施例中，所述根据所述修正值确定目标工艺参数，包括如下步骤。
34、根据应用目标工艺参数的目标工艺步骤确定工艺窗口限值范围。
35、将修正值与工艺窗口限值范围进行比较。
36、于修正值处于工艺窗口限值范围中时，将修正值作为目标工艺参数。
37、于修正值超出工艺窗口限值范围时，将最接近修正值的工艺窗口限值作为目标工艺参数。
38、另一方面，本申请一些实施例提供了一种工艺参数确定系统，用于前述一些实施例中所述的工艺参数确定方法的实际运用。前述一些实施例中所述的工艺参数确定方法所具备的技术优势，该工艺参数确定系统也均具备，此处不再详述。
39、示例地，所述工艺参数确定系统包括：数据获取装置、模型建立装置以及数据处理装置。其中，数据获取装置用于获取历史本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种工艺参数的确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的工艺参数的确定方法，其特征在于，所述根据所述初始工艺参数的数量、所述第一变化量、所述补偿值以及所述历史产品数据分别确定各所述初始工艺参数对应的目标工艺参数，包括：
3.根据权利要求1所述的工艺参数的确定方法，其特征在于，所述方法还包括：提供测试晶圆，所述测试晶圆具备n个待处理区域，n≥2且为整数；
4.根据权利要求3所述的工艺参数的确定方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的工艺参数的确定方法，其特征在于，所述根据所述第一变化量和所述第二变化量共同确定所述目标产品参数的补偿值，包括：
6.根据权利要求5所述的工艺参数的确定方法，其特征在于，所述根据所述目标工艺参数的数量、所述第一变化量、所述补偿值以及所述历史产品数据分别确定各所述初始工艺参数的修正值，包括：
7.根据权利要求1所述的工艺参数的确定方法，其特征在于，
8.根据权利要求1-7中任一项所述的工艺参数的确定方法，其特征在于，所述根据各所述初始工艺参数的修正值分别确定对应的目标工艺参数，包括：
9.一种工艺参数确定系统，其特征在于，包括：
10.一种生产系统，其特征在于，包括：
...
【技术特征摘要】
1.一种工艺参数的确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的工艺参数的确定方法，其特征在于，所述根据所述初始工艺参数的数量、所述第一变化量、所述补偿值以及所述历史产品数据分别确定各所述初始工艺参数对应的目标工艺参数，包括：
3.根据权利要求1所述的工艺参数的确定方法，其特征在于，所述方法还包括：提供测试晶圆，所述测试晶圆具备n个待处理区域，n≥2且为整数；
4.根据权利要求3所述的工艺参数的确定方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的工艺参数的确定方法，其特征在于，所述根据所述第一变化量和所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔立加，卢俊玮，王旭东，王梦晴，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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