【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光器件微波封装领域，尤其涉及一种高频高速信号互连装置、方法和封装载体。
技术介绍
1、随着5g时代的来临，物联网、大数据、云计算的飞速发展，信息交互所需要的数据通信量呈现出爆炸式增长，带动了光通信技术向高速率化方向发展，光模块主流应用速率逐渐从10g-40g跨步到100g-400g。行业内企业还纷纷开展800g技术研发，以尽早实现800g模块商业化应用。
2、如今高速、高密、高集成成了高速光模块的代言词，为提高信号传输高带宽，芯片的设计、封装及物理连接，在高频高速互连中起着举足轻重的作用。在400g模块或者800g模块中，单通道速率达到100gbps或者200gbps时，高速信号的物理连接将是影响产品性能关键因素之一。
3、如图1所示，表示800g光模块内部典型结构示意图，101是收发光器件封装壳体；102是fpc软板（flexible printed circuit，柔性电路板），起到box与pcb（printedcircuit board，印制电路板）电气信号连接；103是光模块的pcba，101与102、102与103都是通过锡膏激光焊连接。
4、对于8x100g光模块，单通道速率达到100bps，而对于4x200g光模块，单通道速率达到200gbps，此连接方案存在如下局限性：
5、1dc（direct current，直流）网络和rf（radio frequency，调制）信号较多，且因模块宽度限制，至少需要3片fpc（flexible printed ci
6、2对tosa侧，drv（device driver，设备驱动程序）输出到eml（electroabsorptionmodulatedlasers，电吸收调制激光器芯片）调制器的单通道速率为100gps或者200gbps，对于单通道速率为100gbps时，fpc可以实现互连，但是当速率达到对于200gbps，fpc连接将制约信号互连，带宽和速率都不满足要求。
7、如图2所示，表示利用hfss（high frequency structure simulator，高频结构仿真）搭建模块4x100g链路3d模型简图；其中，封装壳体通过fpc与pcb进行连接。仿真结果如图3所示，通道il（insertion loss，插入损耗，简称插损）为-3db带宽在-37ghz左右（不带有源部分），rl（return loss，回波损耗）在15ghz前大于-10db，近端串扰和远端串扰大于-35db，若使用fpc连接实现4x200gbps的方案，由于传输线过长损耗较大，同时信号经过不同介质结构时，存在模场失配和阻抗不一致问题，这些因素都将导致高频微波信号质量恶化，使得满足不了-3db带宽和串扰的要求。
8、鉴于此，如何克服现有技术所存在的缺陷，解决上述技术问题，是本
待解决的难题。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是现有光模块内，因使用fpc导致传输线过长损耗大，并且射频信号经过不同介质结构时，模场失配和阻抗不一致，导致高频微波信号质量恶化，导致现有光模块无法满足-3db带宽和串扰的要求。
2、本专利技术是这样实现的：
3、第一方面，本专利技术提供了一种高频高速信号互连装置，包括调制芯片1、驱动芯片2和封装载体3；
4、所述封装载体3的一侧设置有金属打线31，所述封装载体3的底部设置有调制信号引脚32，所述封装载体3内设置有第一金属印制线33，所述第一金属印制线33的一端与所述金属打线31连接，所述第一金属印制线33的另一端与所述调制信号引脚32连接；
5、所述调制芯片1与所述金属打线31连接，所述调制信号引脚32与所述驱动芯片2连接，以便于通过所述封装载体3将所述调制芯片1与所述驱动芯片2连接。
6、优选的，所述高频高速信号互连装置还包括pcb板4；
7、所述pcb板4内设置有第二金属印制线41，所述第二金属印制线41的一端与所述调制信号引脚32连接，所述第二金属印制线41的另一端与所述驱动芯片2连接，以便于通过所述第二金属印制线41将所述驱动芯片2连接到所述调制信号引脚32上。
8、优选的，所述高频高速信号互连装置还包括封装壳体5；
9、所述封装壳体5设置在所述pcb板4上，所述调制芯片1设置在所述封装壳体5内；
10、所述封装壳体5的下表面设置有开口槽51，所述封装载体3设置在所述开口槽51内，以便于对封装载体3和调制芯片1进行封装。
11、优选的，所述封装壳体5内设置有基板6，所述基板6内设置有第三金属印制线61，所述第三金属印制线61的一端与所述金属打线31连接，所述第三金属印制线61的另一端与所述调制芯片1连接，以便于通过所述第三金属印制线61将所述调制芯片1连接到所述金属打线31上。
12、优选的，所述封装壳体5上设置有输出端口52，所输出端口52靠近所述调制芯片1侧，以便于输出所述调制芯片1产生的光信号。
13、优选的，所述第一金属印制线33、第二金属印制线41和第三金属印制线61的外侧分别设置有gnd金属皮，所述gnd金属皮分别将所述第一金属印制线33、第二金属印制线41和第三金属印制线61包裹，以形成带地共面波导结构。
14、优选的，所述调制信号引脚32的数量为多个，并且，相邻所述调制信号引脚32之间设置有接地引脚34，所述接地引脚34接地设置，以避免相邻调制信号之间产生串扰。
15、第二方面，本专利技术还提供了一种封装载体，所述封装载体3应用在第一方面的高频高速信号互连装置上， 所述封装载体3的一侧设置有至少一个焊盘，所述焊盘用于与金属打线31连接，所述封装载体3的底部设置有调制信号引脚32，所述封装载体3内设置有第一金属印制线33，所述第一金属印制线33的一端与所述金属打线31连接，所述第一金属印制线33的另一端与所述调制信号引脚32连接。
16、优选的，所述调制信号引脚32的数量为多个，并且，相邻所述调制信号引脚32之间设置有接地引脚34，所述接地引脚34接地设置，以避免相邻调制信号之间产生串扰。
17、第三方面，本专利技术还提供了一种高频高速信号互连装置的制作方法，所述制作方法用于制作第一方面的高频高速信号互连装置，所述制作方法包括：
18、在封装载体3的一侧设置金属打线31，并将封装载体3内设置的第一金属印制线33一端与金属打线31连接，将第一金属印制线33的另一端与设置在封装载体3底部的调制信号引脚32连接；
19、将调制芯片1与金属打线31连接，将调制信号引脚32与所述驱动芯片2连接，以完成高频高速信号互连装置的制作。
20、本专利技术所采取的以上技术方案与现有技术相比，具有如下有益效果：
21、本专利技术利用封装载体3替本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高频高速信号互连装置，其特征在于，包括调制芯片（1）、驱动芯片（2）和封装载体（3）；
2.根据权利要求1所述的高频高速信号互连装置，其特征在于，所述高频高速信号互连装置还包括PCB板（4）；
3.根据权利要求2所述的高频高速信号互连装置，其特征在于，所述高频高速信号互连装置还包括封装壳体（5）；
4.根据权利要求3所述的高频高速信号互连装置，其特征在于，所述封装壳体（5）上设置有输出端口（52），所输出端口（52）靠近所述调制芯片（1）侧，以便于输出所述调制芯片（1）产生的光信号。
5.根据权利要求3所述的高频高速信号互连装置，其特征在于，所述封装壳体（5）内设置有基板（6），所述基板（6）内设置有第三金属印制线（61），所述第三金属印制线（61）的一端与所述金属打线（31）连接，所述第三金属印制线（61）的另一端与所述调制芯片（1）连接，以便于通过所述第三金属印制线（61）将所述调制芯片（1）连接到所述金属打线（31）上。
6.根据权利要求5所述的高频高速信号互连装置，其特征在于，所述第一金属印制线（33）、
7.根据权利要求1-5任一所述的高频高速信号互连装置，其特征在于，所述调制信号引脚（32）的数量为多个，并且，相邻所述调制信号引脚（32）之间设置有接地引脚（34），所述接地引脚（34）接地设置，以避免相邻调制信号之间产生串扰。
8.一种封装载体，其特征在于，所述封装载体（3）应用在权利要求1-7任一所述的高频高速信号互连装置上，所述封装载体（3）的一侧设置有至少一个焊盘，所述焊盘用于与金属打线（31）连接，所述封装载体（3）的底部设置有调制信号引脚（32），所述封装载体（3）内设置有第一金属印制线（33），所述第一金属印制线（33）的一端与所述金属打线（31）连接，所述第一金属印制线（33）的另一端与所述调制信号引脚（32）连接。
9.根据权利要求8所述的封装载体，其特征在于，所述调制信号引脚（32）的数量为多个，并且，相邻所述调制信号引脚（32）之间设置有接地引脚（34），所述接地引脚（34）接地设置，以避免相邻调制信号之间产生串扰。
10.一种高频高速信号互连装置的制作方法，其特征在于，所述制作方法用于制作权利要求1-7任一所述的高频高速信号互连装置，所述制作方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种高频高速信号互连装置，其特征在于，包括调制芯片（1）、驱动芯片（2）和封装载体（3）；
2.根据权利要求1所述的高频高速信号互连装置，其特征在于，所述高频高速信号互连装置还包括pcb板（4）；
3.根据权利要求2所述的高频高速信号互连装置，其特征在于，所述高频高速信号互连装置还包括封装壳体（5）；
4.根据权利要求3所述的高频高速信号互连装置，其特征在于，所述封装壳体（5）上设置有输出端口（52），所输出端口（52）靠近所述调制芯片（1）侧，以便于输出所述调制芯片（1）产生的光信号。
5.根据权利要求3所述的高频高速信号互连装置，其特征在于，所述封装壳体（5）内设置有基板（6），所述基板（6）内设置有第三金属印制线（61），所述第三金属印制线（61）的一端与所述金属打线（31）连接，所述第三金属印制线（61）的另一端与所述调制芯片（1）连接，以便于通过所述第三金属印制线（61）将所述调制芯片（1）连接到所述金属打线（31）上。
6.根据权利要求5所述的高频高速信号互连装置，其特征在于，所述第一金属印制线（33）、第二金属印制线（41）和第三金属印制线（61）的外侧分别设置有gnd金属皮，所述gnd金属皮分别将所述第一金属印制线（33）...
【专利技术属性】
技术研发人员：湛红波，陈学平，刘成刚，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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