【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷制造，尤其涉及一种高致密陶瓷的制备方法。
技术介绍
1、sic陶瓷的应用市场极其广阔，在一些特定的场合，对陶瓷制品的密度有一定的要求，而原料中细粉含量则极大程度上影响陶瓷烧成后的密度。
2、目前的sic制备方法有以下几种：
3、热压烧结：不添加任何烧结助剂，纯sic在极高的温度下才能烧结致密，烧结过程需要极高的温度，耗费大量的热能。
4、无压烧结：通过在超细β-sic粉末中同时添加适量的b和c在高温下烧成高sic含量的烧结体，但其烧结温度高，对原料纯度有一定的要求。
5、反应烧结：指将α-sic粉末与石墨按一定比例混合，加热到1650℃左右，此时气象si渗透至坯体中于石墨反应生成β-sic，其收缩性小，适合制备尺寸精确的产品，但其产品致密性差。
6、从现有技术上可以看出，存在以下几种问题需要解决：
7、1，现有的烧结条件制出的产品致密性略差，但热压烧结、重结晶、无压烧结等烧结条件能耗高、对材料纯度有较高的要求，应用范围有限。
8、2，目前制备出的陶瓷泥料软硬难以控制，容易出现粘壁，从而不利于得到便于挤出、干燥的陶瓷泥料。
9、由此可以看出，继续一种高致密陶瓷的制备方法来解决上述问题。
技术实现思路
1、为了解决上述问题本专利技术提供了一种高致密陶瓷的制备方法。
2、本专利技术的方案是：
3、一种高致密陶瓷的制备方法，包括下列步骤：
4
5、2)二次混料，将500～600重量份的纯水、80～120重量份的聚乙烯粘结剂与胺磺化减水剂混合；然后加入所述一次处理混合料，得到二次处理混合料；
6、3)三次混料，将12-20重量份的水泥增强剂加入到二次处理混合料中得到三次处理混合料，对三次混合料进行加热搅拌混合，混合均匀后将泥料密封后陈腐，即可得到陶瓷泥料；
7、4)挤出、干燥与烧结，将所述陶瓷泥料挤出获得挤出样板，将挤出样板向下倾斜20～30°放置在室温下阴干12～24h，之后对阴干后的挤出样板进行烘干，得到碳化硅板；将喷好涂层的承烧板装载于烧结炉中，将碳化硅板置于其上进行烧结，并埋适量的硅；抽真空并充入惰性气体，以1～20℃/min的速度升温至500～1200℃，保温1～6小时，再以1-10℃/min的升温速率升温至1400～1750℃(设置的温度与碳源加入量成正比)，保温1～6小时后冷却到室温，保温冷却到室温得到陶瓷烧结体，打磨抛光后得到高致密陶瓷。
8、作为优选的技术方案，所述2)中纯水与胺磺化减水剂的质量比为11:0.1～1。
9、作为优选的技术方案，所述2)中纯水与胺磺化减水剂的质量比为11:0.5。
10、作为优选的技术方案，所述4)中所述陶瓷泥料通过挤出机挤出获得挤出样板。
11、作为优选的技术方案，所述4)中以1～20℃/min的速度升温至600～1000℃，保温1～3小时。
12、作为优选的技术方案，所述3)中陈腐为阴凉环境下静置24～36h。
13、本专利技术还公开了一种高致密陶瓷的制备方法制备的陶瓷，包括下列重量份的原料：
14、
15、胺磺化减水剂与水泥增强剂。
16、作为优选的技术方案，所述胺磺化减水剂与所述纯水的质量比为0.1～1:11。
17、由于采用了上述技术方案一种高致密陶瓷的制备方法，包括下列步骤：1)一次混料，将3000～3500重量份的粗碳化硅粉料、250～300重量份的sic细粉、50～100重量份的石墨、250～300重量份的碳黑、50～100重量份的羧甲基纤维素钠混合，得到一次处理混合料；2)二次混料，将500～600重量份的纯水、80～120重量份的聚乙烯粘结剂与胺磺化减水剂混合；然后加入所述一次处理混合料，得到二次处理混合料；3)三次混料，将12-20重量份的水泥增强剂加入到二次处理混合料中得到三次处理混合料，对三次混合料进行加热搅拌混合，混合均匀后将泥料密封后陈腐，即可得到陶瓷泥料；4)挤出、干燥与烧结，将所述陶瓷泥料挤出获得挤出样板，将挤出样板向下倾斜20～30°放置在室温下阴干12～24h，之后对阴干后的挤出样板进行烘干，得到碳化硅板；将喷好涂层的承烧板装载于烧结炉中，将碳化硅板置于其上进行烧结，并埋适量的硅；抽真空并充入惰性气体，以1～20℃/min的速度升温至500～1200℃，保温1～6小时，再以1-10℃/min的升温速率升温至1400～1750℃(设置的温度与碳源加入量成正比)，保温1～6小时后冷却到室温，保温冷却到室温得到陶瓷烧结体，打磨抛光后得到高致密陶瓷。
18、本专利技术的优点：
19、1.高纯度材料，本专利技术的制备方法能够提供高纯度的碳化硅材料，其中杂质含量极低，有助于提高材料的稳定性和可靠性。这对于半导体、光电子和其他高科技领域的应用尤为重要。
20、2.本专利技术原料配比制备得到了高致密度sic陶瓷，而且烧结方式为反应烧结，简单方便，具有低耗能的特点。本专利技术采用反应烧结降低能耗，从配方出发，通过调节粗细粉比例来提高其致密性，其抗弯强度也得到显著的提升，有效提高产品的利用率。克服了反应烧结致密度有限的问题，有效降低了制备成本。通过调整减水剂与纯水的比例，控制泥料软硬适中，不易粘壁，制备出有利于挤出、干燥的陶瓷泥料。
21、3.本专利技术原料喷笔不含有毒有害物质，而且产品应用于新能源行业，产品具有高抗弯强度，延长了产品的使用寿命，有效减少了资源的浪费。
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1.一种高致密陶瓷的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.如权利要求1所述的一种高致密陶瓷的制备方法，其特征在于：所述2)中纯水与胺磺化减水剂的质量比为11:0.1～1。
3.如权利要求2所述的一种高致密陶瓷的制备方法，其特征在于：所述2)中纯水与胺磺化减水剂的质量比为11:0.5。
4.如权利要求1所述的一种高致密陶瓷的制备方法，其特征在于：所述4)中所述陶瓷泥料通过挤出机挤出获得挤出样板。
5.如权利要求1所述的一种高致密陶瓷的制备方法，其特征在于：所述4)中以1～20℃/min的速度升温至600～1000℃，保温1～3小时。
6.如权利要求1所述的一种高致密陶瓷的制备方法，其特征在于：所述3)中陈腐为阴凉环境下静置24～36h。
7.一种如权利要求1至6任意一项所述的高致密陶瓷的制备方法制备的陶瓷，其特征在于，包括下列重量份的原料：
8.如权利要求7所述的一种高致密陶瓷的制备方法制备的陶瓷，其特征在于：所述胺磺化减水剂与所述纯水的质量比为0.1～1:11。
【技术特征摘要】
1.一种高致密陶瓷的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.如权利要求1所述的一种高致密陶瓷的制备方法，其特征在于：所述2)中纯水与胺磺化减水剂的质量比为11:0.1～1。
3.如权利要求2所述的一种高致密陶瓷的制备方法，其特征在于：所述2)中纯水与胺磺化减水剂的质量比为11:0.5。
4.如权利要求1所述的一种高致密陶瓷的制备方法，其特征在于：所述4)中所述陶瓷泥料通过挤出机挤出获得挤出样板。
5.如权利要求1所述的一种高致密...
【专利技术属性】
技术研发人员：邬胤，
申请(专利权)人：穆智上海新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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