【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于氧化物靶材，具体涉及透明氧化镁陶瓷靶材及其制备方法。
技术介绍
1、巨磁电阻gmr和隧道磁电阻tmr效应是mram(磁性随机存取存储器)和stt(旋转扭矩传递)ram的基础，已被应用于角度传感器，例如在汽车领域，角度测量在整个汽车制造业中应用广泛。在gmr和tmr器件中，磁性隧道结(mtj)是核心基元，它基于多层薄膜集成了磁性材料和非磁性间隔层，而间隔层或隧道势垒层都是超薄绝缘体(mgo)。mgo是下一代hdd介质的模板层和tmr磁头以及mram等磁性器件不可或缺的功能材料。目前，mgo薄膜通常是通过磁控溅射mgo靶材沉积的，靶材性能会直接影响薄膜性能，因此制备高纯度、高致密度、晶粒细小的氧化镁靶材至关重要。
2、目前，mgo靶材的制备方法主要有真空或者常压烧结法、热压法等，例如专利cn102086504a公开了向纳米氧化镁粉体加入氧化钇作为烧结助剂，并将有机物聚合单体、交联剂、分散剂融入甲苯溶液与氧化镁混合制成浆料，注浆成型后在1650～1850℃烧结3～5h，制备出相对密度99.99％的氧化镁靶材；专利cn106587940a公开了一种冷等静压和真空烧结制备出致密度达到98.32％的氧化镁靶材；专利cn107417260a公开了添加了氧化铝粉提高氧化镁的烧结性，专利cn103917687a公开了采用热压后在1250～1400℃退火10h得到相对密度在98～99％的氧化镁靶材；专利cn102225862a公开了一种添加含硅的氧化物、氢氧化物或有机物作为烧结助剂进行常压烧结的氧化镁靶材制备方法。
...【技术保护点】
1.透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤S1具体包括：
3.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤S2具体包括：
4.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤S3为热压烧结，具体包括：
5.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤S3为热等静压烧结，具体包括：
6.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤S3为等离子烧结，具体包括：
7.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤S4具体包括：
8.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤S4中，梯度退火在氧气或空气气氛下进行。
9.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，所述氧化镁浆料包含酸性稀释剂，所述酸性稀释剂与氧化镁粉体的质量比为0.008:1。
10.透
...【技术特征摘要】
1.透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤s1具体包括：
3.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤s2具体包括：
4.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤s3为热压烧结，具体包括：
5.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤s3为热等静压烧结，具体包括：
6.根据权利要求1所述的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘苗，孙本双，钱志杰，何季麟，王成铎，刘洋，陈杰，曾学云，王之君，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。