【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及粘接材料领域，特别是涉及一种半导体基板封装用耐高温压敏胶带及其制备方法。
技术介绍
1、随着微电子技术的发展，集成电路的原件密度越来越大，因此在实际工作时发热量也变得更高，因此对封装材料的耐热性能要求也更高，现有的封装胶带大多都是使用丙烯酸酯胶黏材料制作，作为半导体基板前、后贴封装胶带使用时容易因为高温烘烤导致胶层整面脱胶，并且残胶较多，而且在胶层老化脱胶的过程中有时还会积热出现焦味，为了改善这个问题，有些厂家开始提供一些耐温胶带，但是这类产品一般都是通过在现有丙烯酸树脂胶黏体系中添加一定比例的耐热单体来增强整体的耐热性，这种方式制作的封装胶带一般耐温达不到250℃，其耐温能力只有200℃左右，而且高温使用后剥离力会显著增大，容易出现残胶。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决的技术问题是提供一种半导体基板封装用耐高温压敏胶带，能够提高封装用压敏胶带的使用温度，可以满足250℃高温检测不残胶的要求。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种半导体基板封装用耐高温压敏胶带，所述半导体基板封装用耐高温压敏胶带包括：基膜层和压敏胶层，所述压敏胶层粘附在基膜层上，所述压敏胶层的成分由下述a和b两种组分构成，其中a组分包括下述质量份的原料：丙烯酸-2-乙基己酯50～70份，丙烯酸正丁酯0～20份，马来酸酐0 .5～1份，丙烯酸异冰片酯0.3～2.0份，甲基丙烯酸0 .3～1.5份，甲基丙烯酸缩水甘油酯0 .3～1份，丙烯酸甲酯10～40份，引
3、在本专利技术一个较佳实施例中，所述固化剂中异氰酸酯固化剂与环氧固化剂的比例为1～9：3。
4、在本专利技术一个较佳实施例中，所述催化剂中乙酰丙酮铝和有机锡的比例为1：1。
5、为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法，所述半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法包括下述步骤：
6、步骤1 按照工艺要求量取a组分中的原料，先将溶剂分成三部分，第一部分与引发剂和马来酸酐共混制成激发液，第二部分与阻聚剂混合均匀制成阻聚液，第三部分与其余原料一起投入反应釜中搅拌反应，反应釜的反应温度控制在75～90℃之间，在反应釜中反应过程中将激发液分成3～6批次投入反应釜中，每批次投料量相同且相邻两批次激发液投料间隔不小于1h，所有引发液投料料完成后继续保温反应2～6h后降温至40℃以下将阻聚液加入反应液中继续搅拌不少于1h，最后过滤得到a组分成品；
7、步骤2 按照工艺要求比例称取组分b中的原料，并将称量好的溶剂分成四份，每份溶剂分别与一种助剂预混，然后将预混好的助剂依次独立加入称量好的a组分成品中混合均匀，每次添加间隔不少于15min，全部添加完成后继续搅拌混合15～30min得到压敏胶胶液；
8、步骤3将步骤2中得到的压敏胶胶液快速涂布到基膜上，经过高温交联处理和熟化处理得到成品胶带。
9、在本专利技术一个较佳实施例中，所述步骤1中，第一部分溶剂的量不少于a组分中溶剂总量的四分之一，第二部分溶剂的量不超过a组分中溶剂总量的四分之一，第三部分溶剂的量不少于a组分中溶剂总量的二分之一。
10、在本专利技术一个较佳实施例中，所述步骤1中激发液第一次投入反应釜中反应时，控制反应温度在78～82℃之间，剩余激发液投入时控制反应温度在82～85℃之间，保温阶段控制温度在82～85℃之间。
11、在本专利技术一个较佳实施例中，所述步骤3中使用的基膜为pi膜，所述pi膜使用之前先经过电晕处理。
12、在本专利技术一个较佳实施例中，所述步骤1中反应过程中需要向反应釜内持续通入惰性氮气，当反应完成后，温度降低到40～50℃时关闭氮气开关。
13、在本专利技术一个较佳实施例中，所述步骤3中高温交联处理的处理温度为120～130℃，交联时间为2～4min。
14、在本专利技术一个较佳实施例中，所述步骤3中熟化处理的内容处理温度为70～80℃，保温时间8～12h，或者处理温度40～55℃，保温时间18～24h。
15、本专利技术的有益效果是：本专利技术针对现有技术的缺陷对现有配方和工艺进行优化，采用在加大丙烯酸分子量的基础上引入功能单体搭配双组分固化剂的配方体系，并辅以相应生产工艺，使胶层具有更好的耐热性，从而能够满足半导体基板封装前、后贴耐250℃高温不残胶的要求，具体而言，就是通过反应做大胶水主体分子量的同时利用马来酸酐将甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸异冰片酯等功能单体引入大分子的主链上，由于甲基丙烯酸缩水甘油酯的环氧结构，聚合到丙烯酸大分子上后在200℃以上的高温可以发生羧基开环交联反应，提高体系的交联密度和整体耐热性，于此同时在高温触发下，环氧固化剂也会与羧基发生开环反应，这样双开环反应会使整体的交联密度进一步提高，耐温效果明显增强，而丙烯酸异冰片酯又具有优良的胶粘剂的粘度调节功能，引入大分子的主链上可以通过粘度调节，有效抑制高温时剥离力的上升从而减少残胶的产生，通过本专利技术中方式制作的封装胶带，实测在250℃高温下1h剥离时不残胶，且剥离力与常温相比增高不超过1倍，甚至延长测试时间到4h时，剥离力仍然变化不大，且没有残胶产生，由此可见与常规产品相比，本专利技术的环境耐受力显著上升，可以承受更高的工作温度， 因而在半导体材料封装领域具有更加广阔的应用前景。
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1.一种半导体基板封装用耐高温压敏胶带，所述半导体基板封装用耐高温压敏胶带包括：基膜层和压敏胶层，所述压敏胶层粘附在基膜层上，其特征在于，所述压敏胶层的成分由下述A和B两种组分构成，其中A组分包括下述质量份的原料：
2.根据权利要求1所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带，其特征在于，所述固化剂中异氰酸酯固化剂与环氧固化剂的比例为1～9：3。
3.根据权利要求1所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带，其特征在于，所述催化剂中乙酰丙酮铝和有机锡的比例为1：1。
4.根据权利要求1～3任意之一所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法，其特征在于，所述半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法包括下述步骤：
5.根据权利要求4所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，第一部分溶剂的量不少于A组分中溶剂总量的四分之一，第二部分溶剂的量不超过A组分中溶剂总量的四分之一，第三部分溶剂的量不少于A组分中溶剂总量的二分之一。
6.根据权利要求4所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法，其特征在于，所
7.根据权利要求4所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法，其特征在于，所述步骤3中使用的基膜为PI膜，所述PI膜使用之前先经过电晕处理。
8.根据权利要求4所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法，其特征在于，所述步骤1中反应过程中需要向反应釜内持续通入惰性氮气，当反应完成后，温度降低到40～50℃时关闭氮气开关。
9.根据权利要求4所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法，其特征在于，所述步骤3中高温交联处理的处理温度为120～130℃，交联时间为2～4min。
10.根据权利要求4所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法，其特征在于，所述步骤3中熟化处理的内容处理温度为70～80℃，保温时间8～12h，或者处理温度40～55℃，保温时间18～24h。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体基板封装用耐高温压敏胶带，所述半导体基板封装用耐高温压敏胶带包括：基膜层和压敏胶层，所述压敏胶层粘附在基膜层上，其特征在于，所述压敏胶层的成分由下述a和b两种组分构成，其中a组分包括下述质量份的原料：
2.根据权利要求1所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带，其特征在于，所述固化剂中异氰酸酯固化剂与环氧固化剂的比例为1～9：3。
3.根据权利要求1所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带，其特征在于，所述催化剂中乙酰丙酮铝和有机锡的比例为1：1。
4.根据权利要求1～3任意之一所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法，其特征在于，所述半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法包括下述步骤：
5.根据权利要求4所述的半导体基板封装用耐高温压敏胶带的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，第一部分溶剂的量不少于a组分中溶剂总量的四分之一，第二部分溶剂的量不超过a组分中溶剂总量的四分之一，第三部分溶剂的量不少于a组分中溶剂总量的二分之一。
6.根据权利要求4所述的半导体基...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱泽燕，陈萍，
申请(专利权)人：苏州佰骐电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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