一种高分辨率的光学镀膜图形化加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种高分辨率的光学镀膜图形化加工工艺。本发明专利技术曝光前增加碱性预处理工艺，使光刻胶顶部与显影液反应，曝光时使得光刻胶底部比光刻胶顶部吸收更多的曝光能量，底部变得更容易显影，而光刻胶表面会形成一层硬膜，形成自上向下显影速率逐渐增加的梯度差；本发明专利技术曝光显影后光刻图案剖面呈现倒叩“碗状”形貌，避免光学薄膜沉积时镀膜层包覆光刻胶底部，有利于膜层去胶；本发明专利技术比传统的负胶liftoff工艺具有更高的图案分辨率，可实现小线宽的图形liftoff工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种高分辨率的光学镀膜图形化加工工艺。

技术介绍

1、在半导体器件制造的工艺中，通常利用光刻工艺将掩膜版上的图形转移到基板上，通常分为刻蚀工艺和liftoff两种工艺，刻蚀工艺过程包括：提供基板；在基本上进行镀膜；在镀膜基板上形成光刻胶；对所述光刻胶进行曝光和显影，形成图案化的光刻胶，使得掩膜版上的图案转移到光刻胶中；以图案化的光刻胶为掩膜对基板进行刻蚀，使得光刻胶上的图案转印到基板中；去除光刻胶。 liftoff工艺过程包括：提供基板；在基板上形成光刻胶；对所述光刻胶进行曝光和显影，形成图案化的光刻胶，使得掩膜版上的图案转移到光刻胶中；以图案化的光刻胶为掩膜对基板进行镀膜加工；利用liftoff制程去除光刻胶。

2、由于刻蚀工艺对膜层材料具有选择性，只有特定的金属膜层可以采用刻蚀工艺，大部分非金属膜层或金属膜层无法进行刻蚀，市场上图形化膜层通常采用liftoff工艺，liftoff工艺市场上采用负性光刻胶，那是因为正性光刻胶经过曝光显影后，图案呈现倒“八”字形，镀膜后膜层会把光刻胶图案边缘包覆，liftoff本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高分辨率的光学镀膜图形化加工工艺，其特征是，其工艺步骤为：

2.根据权利要求1所述的一种高分辨率的光学镀膜图形化加工工艺，其特征是，步骤S3中，所述碱性预处理的具体步骤为：将基板放置于吸附平台中心，通过胶管在基板中心滴取碱性溶剂，采用旋敷浸没式方式进行碱性处理，50rpm低转速下使碱性溶剂均匀的铺满整个基板，碱性处理时间120s。

3.根据权利要求1所述的一种高分辨率的光学镀膜图形化加工工艺，其特征是，步骤S2中，所述烘烤温度为100-140℃，烘烤时间为2-5分钟。

4.根据权利要求1所述的一种高分辨率的光学镀膜图形化加工工艺，其特征是，步骤...

【技术特征摘要】

1.一种高分辨率的光学镀膜图形化加工工艺，其特征是，其工艺步骤为：

2.根据权利要求1所述的一种高分辨率的光学镀膜图形化加工工艺，其特征是，步骤s3中，所述碱性预处理的具体步骤为：将基板放置于吸附平台中心，通过胶管在基板中心滴取碱性溶剂，采用旋敷浸没式方式进行碱性处理，50rpm低转速下使碱性溶剂均匀的铺满整个基板，碱性处理时间120s。

3.根据权利要求1所述的一种高分辨率的光学镀膜图形化加工工艺，其特征是，步骤s2中，所述烘烤温度为100-140℃，烘烤时间为2-5分钟。

4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：余启川，李涛，余飞，
申请(专利权)人：美迪凯浙江智能光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：