【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储，且尤其涉及一种存储器读取方法、存储器存储装置及存储器控制器。
技术介绍
1、随着半导体制程工艺的进步，基于存储器存储装置的存储容量越来越大，多个存储单元(例如是，晶粒(die))会被封装于一存储器模块中。由于多个存储单元彼此各自独立，存储器存储装置可通过芯片始能(chip enable)信号而使多个晶粒同时运作，以实现芯片级别的并行操作。如何实现更进一步的并行操作(例如是，平面级别的并行操作)，成为了当前备受瞩目的议题之一。
技术实现思路
1、本专利技术的实施例提供一种存储器读取方法、存储器存储装置及存储器控制器，可基于单个晶粒中的实体平面(plane)相互独立的特性，实现平面级别的并行读取操作，可有效提升存储器存储装置的读取效能，且尤其是提升随机读取效能。
2、本专利技术的实施例提供一种存储器读取方法，其中，用于存储器存储装置。存储器存储装置包括存储器控制器以及存储器模块。存储器模块包括多个实体平面。存储器控制器包括缓冲存储器。存储器读取方法包括：建立分别属于多个实体平面的多个读取命令队列；自主机系统接收读取命令，其中读取命令包括读取地址；根据读取地址将读取命令分配至对应的读取命令队列；在读取命令独占模式下，响应于多个读取命令队列中的第一读取命令队列处于读取忙碌(read busy)阶段，判断其余读取命令队列是否处于等待阶段；以及响应于其余读取命令队列中的第二读取命令队列处于等待阶段，执行第二读取命令队列中的读取命令。
3、本专利技
4、本专利技术的实施例另提供一种存储器控制器，其中，用以控制存储器模块。存储器模块包括多个实体平面。存储器控制器包括缓冲存储器、主机接口、存储器接口以及存储器控制电路。主机接口用以连接至主机系统。存储器接口用以连接至存储器模块。存储器控制电路连接至主机接口、存储器接口与缓冲存储器。存储器控制电路用以建立分别属于多个实体平面的多个读取命令队列。存储器控制电路还用以自主机系统接收读取命令，其中读取命令包括读取地址。存储器控制电路还用以根据读取地址将读取命令分配至对应的读取命令队列。在读取命令独占模式下，响应于多个读取命令队列中的第一读取命令队列处于读取忙碌(read busy)阶段，存储器控制电路还用以判断其余读取命令队列是否处于等待阶段。响应于其余读取命令队列中的第二读取命令队列处于等待阶段，存储器控制电路还用以执行第二读取命令队列中的读取命令。
5、基于上述，本专利技术提供了一种存储器读取方法、存储器存储装置及存储器控制器，可建立分别属于多个实体平面的多个读取命令队列，并在读取命令独占模式下，响应于多个读取命令队列中的第一读取命令队列处于读取忙碌阶段且多个读取命令队列中的第二读取命令队列处于等待阶段，执行第二读取命令队列中的读取命令。据此，本专利技术的存储器读取方法、存储器存储装置及存储器控制器可实现平面级别的并行读取操作，大幅提升读取效能。
6、为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
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1.一种存储器读取方法，其特征在于，用于存储器存储装置，所述存储器存储装置包括存储器控制器以及存储器模块，所述存储器模块包括多个实体平面，所述存储器控制器包括缓冲存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其中响应于所述多个读取命令队列中的多个读取命令的数量大于预设阈值，进入所述读取命令独占模式。
3.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其中各所述读取命令队列包括所述等待阶段、命令序列阶段、所述读取忙碌阶段及数据传输阶段。
4.根据权利要求3所述的存储器读取方法，其中在所述命令序列阶段下，将所述读取命令队列中的读取命令及其对应的读取地址传送至所述存储器模块，以取得位于所述读取地址的读取数据。
5.根据权利要求4所述的存储器读取方法，其中在所述读取忙碌阶段下，将所述读取数据存储至所述缓冲存储器。
6.根据权利要求5所述的存储器读取方法，其中在所述数据传输阶段下，将存储于所述缓冲存储器中的所述读取数据传送至所述主机系统。
7.根据权利要求3所述的存储器读取方法，其中响应于读取命令队列处于所述等待阶段，
8.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其中根据所述读取地址将所述读取命令分配至对应的所述读取命令队列的步骤，还包括：
9.根据权利要求8所述的存储器读取方法，还包括：
10.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其中在所述读取命令独占模式下，不执行写入命令。
11.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器存储装置，其中响应于所述多个读取命令队列中的多个读取命令的数量大于预设阈值，所述存储器控制器进入所述读取命令独占模式。
13.根据权利要求11所述的存储器存储装置，其中各所述读取命令队列包括所述等待阶段、命令序列阶段、所述读取忙碌阶段及数据传输阶段。
14.根据权利要求13所述的存储器存储装置，其中在所述命令序列阶段下，所述存储器控制器将所述读取命令队列中的读取命令及其对应的读取地址传送至所述存储器模块，以取得位于所述读取地址的读取数据。
15.根据权利要求14所述的存储器存储装置，其中在所述读取忙碌阶段下，所述存储器控制器将所述读取数据存储至所述缓冲存储器。
16.根据权利要求15所述的存储器存储装置，其中在所述数据传输阶段下，所述存储器控制器将存储于所述缓冲存储器中的所述读取数据传送至所述主机系统。
17.根据权利要求13所述的存储器存储装置，其中响应于读取命令队列处于所述等待阶段，所述读取命令队列中具有至少一读取命令，且所述至少一读取命令皆未被执行。
18.根据权利要求11所述的存储器存储装置，其中
19.根据权利要求18所述的存储器存储装置，其中响应于所述写入地址与所述读取地址位于同一个实体程序化单元，在所述写入命令被执行后，所述存储器控制器将所述读取命令分配至对应的所述读取命令队列。
20.根据权利要求11所述的存储器存储装置，其中在所述读取命令独占模式下，所述存储器控制器不执行写入命令。
21.一种存储器控制器，其特征在于，用以控制存储器模块，所述存储器模块包括多个实体平面，所述存储器控制器包括：
22.根据权利要求21所述的存储器控制器，其中响应于所述多个读取命令队列中的多个读取命令的数量大于预设阈值，所述存储器控制电路进入所述读取命令独占模式。
23.根据权利要求21所述的存储器控制器，其中各所述读取命令队列包括所述等待阶段、命令序列阶段、所述读取忙碌阶段及数据传输阶段。
24.根据权利要求23所述的存储器控制器，其中在所述命令序列阶段下，所述存储器控制电路将所述读取命令队列中的读取命令及其对应的读取地址传送至所述存储器模块，以取得位于所述读取地址的读取数据。
25.根据权利要求24所述的存储器控制器，其中在所述读取忙碌阶段下，所述存储器控制电路将所述读取数据存储至所述缓冲存储器。
26.根据权利要求25所述的存储器控制器，其中在所述数据传输阶段下，所述存储器控制电路将存储于所述缓冲存储器中的所述读取数据传送至所述主机系统。
27.根据权利要求23所述的存储器控制器，其中其中响应于读取命令队列处于所述等待阶段，所述读取命令队列中具有至少一读取命令，且所述至少一读取命令皆未被执行。
28.根据权利要求21所述的存储器控制器，其中
29.根据权利要求28所述的存储器控制器...
【技术特征摘要】
1.一种存储器读取方法，其特征在于，用于存储器存储装置，所述存储器存储装置包括存储器控制器以及存储器模块，所述存储器模块包括多个实体平面，所述存储器控制器包括缓冲存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其中响应于所述多个读取命令队列中的多个读取命令的数量大于预设阈值，进入所述读取命令独占模式。
3.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其中各所述读取命令队列包括所述等待阶段、命令序列阶段、所述读取忙碌阶段及数据传输阶段。
4.根据权利要求3所述的存储器读取方法，其中在所述命令序列阶段下，将所述读取命令队列中的读取命令及其对应的读取地址传送至所述存储器模块，以取得位于所述读取地址的读取数据。
5.根据权利要求4所述的存储器读取方法，其中在所述读取忙碌阶段下，将所述读取数据存储至所述缓冲存储器。
6.根据权利要求5所述的存储器读取方法，其中在所述数据传输阶段下，将存储于所述缓冲存储器中的所述读取数据传送至所述主机系统。
7.根据权利要求3所述的存储器读取方法，其中响应于读取命令队列处于所述等待阶段，所述读取命令队列中具有至少一读取命令，且所述至少一读取命令皆未被执行。
8.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其中根据所述读取地址将所述读取命令分配至对应的所述读取命令队列的步骤，还包括：
9.根据权利要求8所述的存储器读取方法，还包括：
10.根据权利要求1所述的存储器读取方法，其中在所述读取命令独占模式下，不执行写入命令。
11.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器存储装置，其中响应于所述多个读取命令队列中的多个读取命令的数量大于预设阈值，所述存储器控制器进入所述读取命令独占模式。
13.根据权利要求11所述的存储器存储装置，其中各所述读取命令队列包括所述等待阶段、命令序列阶段、所述读取忙碌阶段及数据传输阶段。
14.根据权利要求13所述的存储器存储装置，其中在所述命令序列阶段下，所述存储器控制器将所述读取命令队列中的读取命令及其对应的读取地址传送至所述存储器模块，以取得位于所述读取地址的读取数据。
15.根据权利要求14所述的存储器存储装置，其中在所述读取忙碌阶段下，所述存储器控制器将所述读取数据存储至所述缓冲...
【专利技术属性】
技术研发人员：锺威，朱凯迪，王志，吴宗霖，朱启傲，
申请(专利权)人：合肥开梦科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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