一种过滤材料及其制备方法和应用技术

技术编号:40806429 阅读:15 留言:0更新日期:2024-03-28 19:30
本发明专利技术属于滤棉材料制备技术领域,具体涉及一种过滤材料及其制备方法和应用。该过滤材料包括基材和附着在基材上的靶材;所述靶材在所述基材上呈不连续孤岛状分布,所述靶材为半导体材料。本发明专利技术过滤材料呈现孤岛状分布,可以消除静电,避免静电积聚。此外,本发明专利技术以半导体作为靶材,其与基材之间的结合力较好,不易发生脱落等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于滤棉材料制备,具体涉及一种过滤材料及其制备方法和应用


技术介绍

1、现有静电过滤技术中,绝缘的过滤材料表面会因为摩擦等原因积聚一定数量的静电荷。绝缘材料相比于导体或静电耗散材料来说,自身接地释放静电的速度非常缓慢,如果不断有静电起电过程的发生,绝缘材料表面上累积的静电荷就会显著增多。

2、静电积聚出现后易导致电势差异常、打火等情况,影响设备寿命和过滤效率。此外,静电积聚的出现具有不确定性,在工作状态难以消除。如何有效解决静电积聚对于过滤材料的应用具有重要意义。


技术实现思路

1、因此,本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术过滤材料易出现静电积聚等问题,从而提供一种过滤材料及其制备方法和应用。

2、为此,本专利技术提供了以下技术方案。

3、本专利技术第一方面提供了一种过滤材料,包括基材和附着在基材上的靶材;所述靶材在所述基材上呈不连续孤岛状分布,所述靶材为半导体材料。

4、进一步地,相邻两个孤岛之间的最短间距不低于1μm。本专利技术所述孤岛是指本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种过滤材料,其特征在于,包括基材和附着在基材上的靶材;所述靶材在所述基材上呈不连续孤岛状分布,所述靶材为半导体材料。

2.根据权利要求1所述的过滤材料,其特征在于,相邻两个孤岛之间的最短间距不低于1μm。

3.根据权利要求1或2所述的过滤材料,其特征在于,所述靶材为氮化铝、氮化镓、磷化铝、磷化镓、硫化锌和硫化镉中的至少一种。

4.根据权利要求1-3任一项所述的过滤材料,其特征在于,所述基材为玻璃纤维、聚合物基材或陶瓷基材;

5.根据权利要求1-4任一项所述的过滤材料,其特征在于,所述基材的尺寸为0.01m×0.01m~3m×3m。...

【技术特征摘要】

1.一种过滤材料,其特征在于,包括基材和附着在基材上的靶材;所述靶材在所述基材上呈不连续孤岛状分布,所述靶材为半导体材料。

2.根据权利要求1所述的过滤材料,其特征在于,相邻两个孤岛之间的最短间距不低于1μm。

3.根据权利要求1或2所述的过滤材料,其特征在于,所述靶材为氮化铝、氮化镓、磷化铝、磷化镓、硫化锌和硫化镉中的至少一种。

4.根据权利要求1-3任一项所述的过滤材料,其特征在于,所述基材为玻璃纤维、聚合物基材或陶瓷基材;

5.根据权利要求1-4任一项所述的过滤材料,其特征在于,所述基材的尺寸为0.01m×0.01m~3m×3m...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘科海刘磊田恩泽陈镔刘开辉王恩哥
申请(专利权)人:松山湖材料实验室
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1