System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料,具体而言,涉及一种三氧化钼微纳米球的快速制备方法及装置。
技术介绍
1、三氧化钼(moo3)是一种层状化合物,其原子级平整、没有悬挂键的优点,表面裸露的原子较多,具有大的比表面积,能够提供更多的活性吸附点,被广泛应用于材料学的各个领域,如氢气传感,析氢反应,电致色变,生物传感,光波导,以及作为钠离子和锂离子电池的柔性电极等。目前,已有多种方法合成moo3纳米材料,包括脉冲激光沉积法、化学气相沉积、热蒸发、喷雾热解法、水热法、电化学沉积法等。通常这些方法耗时较长,并且合成moo3的形貌为无规则颗粒状、管状、片状、带状、线状或棒状等。其中,moo3微纳米球的合成却很少,李长明等人采用磷钼酸(h3pmo12o40)作为聚阴离子,壳聚糖(cs)和溴化十六烷基三甲铵(ctab)作为聚阳离子模板,结合水热法调控moo3的形貌,制备了moo3纳米微球(journal ofmaterials chemistry a,2013,1(41):12926-12931)。但此moo3微球实则是纳米颗粒聚集,并不是一体的光滑moo3纳米微球。
2、以及公开专利cn201210417188.0,单分散三氧化钼实心微球的制备方法,其公开的技术方案中虽然制备的是光滑moo3纳米微球,但是其制备方法是利用过氧化氢、乙酰丙酮氧钼的甲醇溶液进行制备前驱体并进行洗涤、干燥、热处理等方式制备moo3纳米微球,不仅步骤繁琐,而且制备成本较高。而公开专栏cn 105621487a,一种三氧化钼薄膜的制备方法及制备的光电器件,其公开的技术方案中
3、综上,本专利技术的目的是提出一种三氧化钼微纳米球的快速制备方法及装置,制备时间只需要几分钟甚至几十秒,具有重大的实际工业化应用意义。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种三氧化钼微纳米球的快速制备方法及装置。
2、本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:
3、一种三氧化钼微纳米球的快速制备方法,包括以下步骤:
4、将适量三氧化钼粉体放入容器a内,并将所述容器a设置在高频感应线圈的有效加热区域;
5、向所述容器a内通入气体形成保护气氛,利用所述高频感应线圈通电进行加热使所述三氧化钼粉体升华,即得三氧化钼微纳米球。
6、作为本专利技术的一种优选技术方案,所述容器a为石英管、刚玉管、碳化硅管或耐火水泥管中的任一种。
7、作为本专利技术的一种优选技术方案,所述三氧化钼粉体先放入容器b内,再将所述容器b放入所述容器a内,所述容器b为耐高温惰性金属材料制成。
8、进一步地,所述容器b为金属钼舟。
9、作为本专利技术的一种优选技术方案,所述气体为氩气或氩氢混合气。
10、作为本专利技术的一种优选技术方案,所述高频感应线圈的工作电流为10~50a。
11、本专利技术还公开了一种实现上述的三氧化钼微纳米球的快速制备方法的装置,包括容器a,所述容器a外周设置有高频感应线圈,且所述容器a位于所述高频感应线圈的有效加热区域内,所述容器a用于盛放三氧化钼粉体,所述容器a两端设置有进气口和出气口,所述高频感应线圈在通电状态对所述三氧化钼粉体进行加热并使其升华。
12、作为本专利技术的一种优选技术方案,所述容器a为石英管、刚玉管、碳化硅管或耐火水泥管中的任一种。
13、作为本专利技术的一种优选技术方案,还包括容器b,所述容器b位于所述容器a内且用于盛放所述三氧化钼粉体,所述容器b为耐高温惰性金属材料制成。
14、进一步的,所述容器b为金属钼舟。
15、本专利技术针对现有技术中moo3微纳米球合成难及合成耗时长,本专利技术采用高频感应线圈加热金属钼舟使无规则的moo3粉体升华并快速合成为具有规则形貌的光滑moo3微纳米球,合成工艺无需额外引入其它试剂,合成时间最快只需几十秒,合成过程不产生额外副产物,具有成本低、合成工艺简单、合成时间快、绿色环保。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种三氧化钼微纳米球的快速制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳米球的快速制备方法,其特征在于,所述容器A为石英管、刚玉管、碳化硅管或耐火水泥管中的任一种。
3.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳米球的快速制备方法,其特征在于,所述三氧化钼粉体先放入容器B内,再将所述容器B放入所述容器A内,所述容器B为耐高温惰性金属材料制成。
4.根据权利要求3所述的三氧化钼微纳米球的快速制备方法,其特征在于,所述容器B为金属钼舟。
5.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳米球的快速制备方法,其特征在于,所述气体为氩气或氩氢混合气。
6.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳米球的快速制备方法,其特征在于,所述高频感应线圈的工作电流为10~50A。
7.一种实现如权利要求1至6任一项所述的制备方法的装置,其特征在于,包括容器A,所述容器A外周设置有高频感应线圈,且所述容器A位于所述高频感应线圈的有效加热区域内,所述容器A用于盛放三氧化钼粉体,所述容器A两端设置有进气口和出气口,所述高频感应线圈在通
8.根据权利要求7所述的三氧化钼微纳米球的快速制备装置,其特征在于,所述容器A为石英管、刚玉管、碳化硅管或耐火水泥管中的任一种。
9.根据权利要求7所述的三氧化钼微纳米球的快速制备装置,其特征在于,还包括容器B,所述容器B位于所述容器A内且用于盛放所述三氧化钼粉体,所述容器B为耐高温惰性金属材料制成。
10.根据权利要求9所述的三氧化钼微纳米球的快速制备装置,其特征在于,所述容器B为金属钼舟。
...【技术特征摘要】
1.一种三氧化钼微纳米球的快速制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳米球的快速制备方法,其特征在于,所述容器a为石英管、刚玉管、碳化硅管或耐火水泥管中的任一种。
3.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳米球的快速制备方法,其特征在于,所述三氧化钼粉体先放入容器b内,再将所述容器b放入所述容器a内,所述容器b为耐高温惰性金属材料制成。
4.根据权利要求3所述的三氧化钼微纳米球的快速制备方法,其特征在于,所述容器b为金属钼舟。
5.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳米球的快速制备方法,其特征在于,所述气体为氩气或氩氢混合气。
6.根据权利要求1所述的三氧化钼微纳米球的快速制备方法,其特征在于,所述高频感应线圈的工作电流为10~50a。
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。