【技术实现步骤摘要】
各种示例实施方式涉及半导体存储器件。
技术介绍
1、随着半导体器件变得越来越高度集成，各电路图案正变得更精细从而在相同面积内实现更多的半导体器件。也就是，随着半导体器件的集成度的提高，半导体器件的部件的设计规则已经减少。
2、在高度按比例缩小的半导体器件中，形成多条布线线路和插置在布线线路之间的多个接触的工艺已经变得越来越复杂和困难。
技术实现思路
1、各种示例实施方式提供一种可提高可靠性和/或性能的半导体存储器件。
2、示例实施方式的各种目的和/或改进不限于以上阐述的那些，本领域普通技术人员将从以下描述清楚地理解没有在这里提及的附加特征。
3、根据一些示例实施方式的一种半导体存储器件包括：基板，包括具有由单元元件隔离层限定的有源区的单元区、在单元区附近的外围区以及在单元区和外围区之间的边界区；字线结构，在第一方向上在基板中延伸；位线结构，在基板上在与第一方向交叉的第二方向上从单元区延伸到边界区，包括依次堆叠在基板上的第一单元导电层和第二单元导电层；以及位线接触，在基板和位线结构之间并将基板与位线结构连接。边界区中的第二单元导电层比单元区中的第二单元导电层厚。
4、可选地或另外地，根据各种示例实施方式的一种半导体存储器件包括：基板，包括具有由单元元件隔离层限定的有源区的单元区、在单元区附近的外围区以及在单元区和外围区之间的边界区；字线结构，在第一方向上在基板中延伸；位线结构，在基板上在与第一方向交叉的第二方向上从单元区延伸到基板上的边
5、可选地或另外地，根据各种示例实施方式的一种半导体存储器件包括：基板，包括具有由单元元件隔离层限定的有源区的单元区、在单元区附近的外围区以及在单元区和外围区之间的边界区；字线结构，在基板中在第一方向上在基板中延伸；位线结构，在基板上在与第一方向交叉的第二方向上从单元区延伸到边界区，包括依次堆叠在基板上的第一单元导电层至第三单元导电层；以及位线接触，在基板和位线结构之间并将基板与位线结构电连接。位线接触的上表面低于单元区中的第一单元导电层的上表面并高于边界区中的第一单元导电层的上表面，在位线接触上的第三单元导电层比单元区中的第一单元导电层上的第三单元导电层厚并且比边界区中的第三单元导电层薄。
6、附加和/或其它示例实施方式的这些和其它细节被包含在详细描述和附图中。
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1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中在所述单元区中，所述位线接触的上表面在所述第一单元导电层下面。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中在所述单元区中，在所述位线接触上的所述第二单元导电层比在所述第一单元导电层上的所述第二单元导电层厚。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中沿着所述第一方向，所述边界区中的所述第二单元导电层比在所述位线接触上的所述第二单元导电层长。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中在所述单元区中，沿着所述第一方向，在所述位线接触上的所述第二单元导电层比在所述第一单元导电层上的所述第二单元导电层长。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中沿着所述第一方向，所述位线接触比在所述位线接触上的所述第二单元导电层短。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中在所述边界区中，沿着所述第一方向，所述第一单元导电层比所述第二单元导电层短。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中
9.根据权利要求1所述的
10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中沿着所述第一方向，在所述位线接触上的所述第三单元导电层比所述位线接触长。
11.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中，在所述边界区中，沿着所述第一方向，所述第三单元导电层比所述第一单元导电层长。
12.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中
13.一种半导体存储器件，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中所述位线接触的上表面在所述单元区中的所述第一单元导电层的上表面下面并且在所述边界区中的所述第一单元导电层的上表面上面。
15.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中沿着所述第一方向，在所述位线接触上的所述第二单元导电层比所述单元区中的所述第一单元导电层上的所述第二单元导电层长，并且比所述边界区中的所述第二单元导电层短。
16.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中在所述位线接触上的所述第二单元导电层比所述单元区中的所述第一单元导电层上的所述第二单元导电层厚，并且比所述边界区中的所述第二单元导电层薄。
17.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中所述边界区中的所述第一单元导电层比所述单元区中的所述第一单元导电层薄。
18.根据权利要求13所述的半导体存储器件，其中
19.一种半导体存储器件，包括：
20.根据权利要求19所述的半导体存储器件，其中在所述位线接触上的所述第三单元导电层的侧壁的斜度大于在所述单元区中的所述第一单元导电层上的所述第三单元导电层的侧壁的斜度，并且小于所述边界区中的所述第三单元导电层的侧壁的斜度。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中在所述单元区中，所述位线接触的上表面在所述第一单元导电层下面。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中在所述单元区中，在所述位线接触上的所述第二单元导电层比在所述第一单元导电层上的所述第二单元导电层厚。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中沿着所述第一方向，所述边界区中的所述第二单元导电层比在所述位线接触上的所述第二单元导电层长。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中在所述单元区中，沿着所述第一方向，在所述位线接触上的所述第二单元导电层比在所述第一单元导电层上的所述第二单元导电层长。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中沿着所述第一方向，所述位线接触比在所述位线接触上的所述第二单元导电层短。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中在所述边界区中，沿着所述第一方向，所述第一单元导电层比所述第二单元导电层短。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中
9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述位线结构还包括在所述第一单元导电层和所述第二单元导电层之间的第三单元导电层。
10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中沿着所述第一方向，在所述位线接触上的所述第三单元导电层比所述位线接触长。
11.根据权利要求9所述的半导体存...
【专利技术属性】
技术研发人员：金真雅，金冈昱，S·闵，李忠炫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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